专利摘要

本发明公开了一种实现忆容器电容特性的模拟电路，该电路包括集成运算放大器U1、第二乘法器U2和第三乘法器U3，集成运算放大器U1实现积分运算产生磁通，再通过加法运算实现加法电路，再通过反相比例运算实现信号的反相，最后再和第二乘法器U2构成开方电路实现信号的开方，乘法器U3用于实现信号的相乘，将集成运算放大器U1的输入信号和开方后的信号进行相乘，最终得到电荷量。该模拟电路只含1个集成运放和2个乘法器，结构简单。

权利要求

1.一种实现忆容器电容特性的模拟电路，包括集成运算放大器U1、第二乘法器U2和第三乘法器U3，其特征在于：集成运算放大器U1实现积分运算产生磁通，再通过加法运算实现加法电路，再通过反相比例运算实现信号的反相，最后再和第二乘法器U2构成开方电路实现信号的开方，乘法器U3用于实现信号的相乘，将集成运算放大器U1的输入信号和开方后的信号进行相乘，最终得到电荷量；

所述的集成运算放大器U1采用LF347N；集成运算放大器U1的第1引脚与第十电阻R10的一端、第一电容C1的一端、第二电阻R2的一端连接，第2引脚与第一电阻R1的一端、第十电阻R10的另一端、第一电容C1的另一端连接，第6引脚与第三电阻R3的一端、第四电阻R4的一端、第二电阻R2的另一端连接，第7引脚与第三电阻R3的一端、第五电阻R5的一端连接，第8引脚与第六电阻R6的一端、第七电阻R7的一端连接，第9引脚与第五电阻R5的另一端、第六电阻R6的另一端连接，第13引脚与第七电阻R7的一端、第八电阻R8的一端连接，第14引脚与第一二极管D1的正极连接，第3、5、10、12引脚接地，第4引脚接电源VCC，第11引脚接电源VEE，第四电阻R4的另一端-5V电源；

第二乘法器U2采用AD633JN；第二乘法器U2的1脚与第二乘法器U2的3脚、第一二极管D1的负极、第三乘法器U3的3脚连接，2脚与第二乘法器U2的4脚、第二乘法器U2的6脚连接并接地，5脚接电源VEE,7脚与第八电阻R8的另一端连接，8脚接电源VCC；

第三乘法器U3采用AD633JN；第三乘法器U3的与第一电阻R1的另一端连接并接正弦电压源，2脚与第三乘法器U3的4脚、第三乘法器U3的6脚连接并接地，5脚接电源VEE,7脚接测试端，8脚接电源VCC。

说明书

技术领域

本发明属于电路设计技术领域，涉及一种忆容器数学模型及其等效模拟电路，具体涉及一种实现符合忆容器电压-电荷(伏-库)关系的模拟等效电路。

背景技术

2008年美国HP实验室采用TiO₂材料，使用纳米技术实现了具有记忆性能的电阻元件，称之为忆阻器。2009年扩展了记忆元件的概念，在忆阻器的基础上提出了忆容器的概念，即具有记忆特性的电容器。此类器件和忆阻器一样无需电源即可存储信息，可应用于非易失性存储器以及对学习、适应和自发行为的仿真。

目前，对忆阻器已经有大量的研究，而对忆容器的研究还很少，主要原因是忆容器的数学模型还不够完善，物理可实现的实际忆容器尚未出现。因此，设计实现忆容器的等效模型对忆容器研究具有重要应用。目前，虽已报道了少量的忆容器电路模型，但这些数学模型和电路模型对应的是忆容器电容C的倒数，即C^-1。这与一般电容器的电容参数不对应，也给忆容器的理论和应用研究带来不便。因此，本发明提出了一种可用电容参数C描述的忆容器数学模型，并设计实现了该模型的等效电路，该等效电路可作为忆容器的一种仿真器，替代尚未实现的忆容器，在理论和应用研究中模拟实际忆容器器件的伏-库特性。

发明内容

针对现有技术存在的上述不足，本发明提供了一种实现忆容器特性的模拟电路，用以模拟忆容器的伏库特性，替代实际忆容器进行实验和应用及研究。

本发明解决技术问题所采取的技术方案如下：一种实现忆容器电容特性的模拟电路，包括集成运算放大器U1、第二乘法器U2和第三乘法器U3，集成运算放大器U1实现积分运算产生磁通，再通过加法运算实现加法电路，再通过反相比例运算实现信号的反相，最后再和第二乘法器U2构成开方电路实现信号的开方，乘法器U3用于实现信号的相乘，将集成运算放大器U1的输入信号和开方后的信号进行相乘，最终得到电荷量。

进一步优选的，集成运算放大器U1采用LF347N；集成运算放大器U1的第1引脚与第十电阻R10的一端、第一电容C1的一端、第二电阻R2的一端连接，第2引脚与第一电阻R1的一端、第十电阻R10的另一端、第一电容C1的另一端连接，第6引脚与第三电阻R3的一端、第四电阻R4的一端、第二电阻R2的另一端连接，第7引脚与第三电阻R3的一端、第五电阻R5的一端连接，第8引脚与第六电阻R6的一端、第七电阻R7的一端连接，第9引脚与第五电阻R5的另一端、第六电阻R的另一端连接，第13引脚与第七电阻R7的一端、第八电阻R8的一端连接，第14引脚与第一二极管D1的正极连接，第3、5、10、12引脚接地，第4引脚接电源VCC，第11引脚接电源VEE，第四电阻R4的另一端-5V电源；

第二乘法器U2采用AD633JN；第二乘法器U2的1脚与第二乘法器U2的3脚、第一二极管D1的负极、第三乘法器U3的3脚连接，2脚与第二乘法器U2的4脚、第二乘法器U2的6脚连接并接地，5脚接电源VEE,7脚与第八电阻R8的另一端连接，8脚接电源VCC；

第三乘法器U3采用AD633JN；第三乘法器U3的与第一电阻R1的另一端连接并接正弦电压源，2脚与第三乘法器U3的4脚、第三乘法器U3的6脚连接并接地，5脚接电源VEE,7脚接测试端，8脚接电源VCC；

本发明设计了一种能够实现忆容器伏库特性的模拟等效电路，该模拟电路只含1个集成运放和2个乘法器，结构简单，本发明利用集成运算电路实现忆容器特性中的相应运算，其中，集成运算放大器U1主要用以实现电压的积分运算、电压加法运算、反相放大和电压的开方运算，模拟乘法器U2用以和集成运算放大器U1组成开方电路，模拟乘法器U3用以实现开方后的电压积分和电压的乘积。

附图说明

图1是本发明的电路结构框图。

图2是本发明实现忆容器特性的模拟电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明优选实施例作详细说明。

本发明的理论出发点是忆容器伏库特性的一般表达式：

如图1所示，本实例忆容器模拟等效电路包括集成运算放大器U1、乘法器U2和乘法器U3，集成运算放大器U1用于积分运算、求和运算、反相运算和开方运算；集成运算放大器U1与乘法器U2、乘法器U3相连，乘法器U2和集成运算放大器U1组合实现开方运算，乘法器U3实现信号的相乘。集成运算放大器采用LF347N，乘法器U2和乘法器U3采用AD633JN。LF347N、AD633JN为现有技术。

如图2所示，忆容器的电压u在测试端A通过第一电阻R1接入集成运算放大器U1的引脚2,即积分器的输入端，忆容器的电荷量q的测试端B接乘法器U3的引脚W，即乘法器的输出端。

集成运算放大器U1内有4个运算放大器，其中第1、2、3引脚对应的运算放大器与外围第一电阻R1、第十电阻R10和第一电容C1构成积分电路，来获得忆容器的磁通量 设输入的电压为u_A，则U1引脚1的电压u₁为：

集成运算放大器U1的第5、6、7引脚对应的运算放大器，与外围第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4构成反相求和电路，用以u₁和外围电压u₂的求和，即U1引脚7的电压u₃为：

集成运算放大器U1的第8、9、10引脚与外围第五电阻R5和第六电阻R6构成反相放大器，用以实现负的电压u₃，并放大，即U1引脚8的电压u₄为：

第二乘法器U2的型号为AD633JN，集成运算放大器U1的第12、13、14引脚与外围第七电阻R7、第八电阻R8相连，并和乘法器U2、二极管1N4009组合用以实现开方电路，即乘法器U2的X1引脚电压u₅为：

第三乘法器U3的型号为AD633JN，X1引脚与乘法器U2X引脚相连，Y1引脚与测试端A相连，用以实现正弦电压与开方电路输出电压u₅相乘，即乘法器W引脚的电压u₆为：

u_A即为忆容器的输入电压u，可将上式化简为：

忆容器模拟等效电路的伏库特性，与忆容器数学模型比较可知：

a=R8R6R310R7R5R4(-u2),b=R8R6R310R7R5R2.]]>

集成运算放大器U1采用LF347N；集成运算放大器U1的第1引脚与第十电阻R10的一端、第一电容C1的一端、第二电阻R2的一端连接，第2引脚与第一电阻R1的一端、第十电阻R10的另一端、第一电容C1的另一端连接，第6引脚与第三电阻R3的一端、第四电阻R4的一端、第二电阻R2的另一端连接，第7引脚与第三电阻R3的一端、第五电阻R5的一端连接，第8引脚与第六电阻R6的一端、第七电阻R7的一端连接，第9引脚与第五电阻R5的另一端、第六电阻R的另一端连接，第13引脚与第七电阻R7的一端、第八电阻R8的一端连接，第14引脚与第一二极管D1的正极连接，第3、5、10、12引脚接地，第4引脚接电源VCC，第11引脚接电源VEE，第四电阻R4的另一端-5V电源；

第二乘法器U2采用AD633JN；第二乘法器U2的1脚与第二乘法器U2的3脚、第一二极管D1的负极、第三乘法器U3的3脚连接，2脚与第二乘法器U2的4脚、第二乘法器U2的6脚连接并接地，5脚接电源VEE,7脚与第八电阻R8的另一端连接，8脚接电源VCC；

第三乘法器U3采用AD633JN；第三乘法器U3的与第一电阻R1的另一端连接并接正弦电压源，2脚与第三乘法器U3的4脚、第三乘法器U3的6脚连接并接地，5脚接电源VEE,7脚接测试端，8脚接电源VCC；

本领域的普通技术人员应当认识到，以上实施例仅是用来验证本发明，而并非作为对本发明的限定，只要是在本发明的范围内，对以上实施例的变化、变形都将落在本发明的保护范围内。

一种实现忆容器电容特性的模拟电路专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。