IPC分类号 : H01M4/36,H01M4/38,H01M4/587,H01M10/0525
专利摘要
本发明涉及一种多孔Si/SiC/C材料的制备方法和负极材料,其制备方法包括:S1、将废硅粉和镁粉按质量比进行研磨混合,混合物和无水乙醇置于行星式球磨机中进行物理球磨,烘干,得到硅镁合金粉体;S2、在惰性气体保护下,将所述硅镁合金粉体进行加热反应,随炉冷却,研磨,得到所述硅化镁粉体;S3、在CO2氛围下对硅化镁粉体进行加热反应,随炉冷却,研磨,酸洗,即得。所述多孔Si/SiC/C材料用作锂离子电池负极材料,利用SiC/C保护层上的多孔结构缓解了内部被包裹的硅的体积膨胀效应,同时SiC/C层可以将硅包覆得更加完全,从而有效提高了硅碳负极材料的倍率性能和循环性能。
一种多孔Si/SiC/C材料的制备方法及负极材料专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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