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一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流-直流变换器死区设置方法

一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流-直流变换器死区设置方法

IPC分类号 : H02M1/38; H02M3/158

申请号
CN202010248870.6
可选规格
  • 专利类型: 发明专利
  • 法律状态: 有权
  • 申请日: 2020/4/1
  • 公开号: CN111313677A
  • 公开日: 2020/6/19
  • 主分类号: H02M1/38
  • 专利权人: 南通大学

专利摘要

本发明公开了一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流‑直流变换器死区设置方法,包括以下步骤:S1、获取变换器输出电压及输入电感电流;S2、通过SiC MOSFET及其驱动的数据手册获取相关参数信息;S3、利用所提公式计算SiC MOSFET漏源电压为输出电压时的输出电荷;S4、利用所提公式计算死区时间一T1,并将续流SiC MOSFET关断后的死区设为N倍的死区时间一,1.5≤N≤2;S5、利用所提公式计算死区时间二T2;S6、将死区时间二T2与N倍的T1及变换器允许的最大死区时间Tmax比较,并根据比较结果将主动SiC MOSFET关断后的死区设为死区时间二、N倍的T1或最大死区时间。本发明不仅可以同时降低二极管与输出电容带来的损耗,而且无需死区设置硬件电路,实现简单,成本较低。

专利附图

一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流-直流变换器死区设置方法

一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流-直流变换器死区设置方法专利购买费用说明

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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