专利摘要

本发明涉及一种去除阳极氧化法制备纳米材料过程中出现的帽层的方法，属于材料技术领域。所述的方法包括在以SiC晶片为阳极在刻蚀液刻蚀前先用饱和NH4HF溶液进行预刻蚀。本发明可有效去除阳极氧化法制备SiC纳米结构过程中产生的帽层，工艺简单可控，具有很好的重复性，且方法简单，帽层自动脱落，无需外力，去除效率高。通过本发明去除帽层的方法还还原了阳极氧化制得的SiC纳米结构的顶部表面该有的形貌，提高其开放度，进而提高了SiC纳米结构的性能。另外，该去除帽层的方法无需额外设备，并缩短了刻蚀的时间，降低了成本。

专利附图

一种去除阳极氧化制备SiC纳米结构中帽层的方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。