专利摘要

本发明涉及一种应用于场发射材料中的纳米线材料，尤其涉及B掺杂SiC纳米线在场发射阴极材料中的应用，属于纳米材料技术领域。所述的B掺杂SiC纳米线为场发射阴极，所述场发射阴极与场发射阳极之间在施加电压时形成有发射电场，所述场发射阴极在真空条件下的在发射电流密度为10μA/cm2时的开启场强为0.6‑1.05V/μA。本发明B掺杂SiC纳米线场发射阴极材料加工方便，成本可控性好，性能稳定，具有很高的柔韧性；在不同弯曲次数后均具有较低的开启电场，且基本保持不变，均保持较高的电子发射稳定性；在不同弯曲状态下均具有较低的开启电场，且基本保持不变，均保持较高的电子发射稳定性；在不同温度下均具有较低的开启电场，均保持较高的电子发射稳定性。

专利附图

B掺杂SiC纳米线在场发射阴极材料中的应用专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。