IPC分类号 : H01J1/304; C01B31/36; B82Y30/00; B82Y40/00
专利摘要
本发明公开的P掺杂SiC纳米线在场发射阴极材料中的应用,P掺杂SiC纳米线为场发射阴极,场发射阴极与场发射阳极之间在施加电压时形成有发射电场,场发射阴极在常温真空条件下的在发射电流密度为10μA/cm2时的开启场强为0.42‑0.65V/μm。本发明的P掺杂SiC纳米线具有开启电场低,电场稳定性好,光电性能强。
专利附图
P掺杂SiC纳米线在场发射阴极材料中的应用专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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