专利摘要

本发明公开了一种长沟道MOS管阈值电压片上产生电路，包括4个NMOS管、2个运算放大器、1个电流镜、1个电压2倍放大单元、1个电压减法运算单元；所述4个NMOS管包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述2个运算放大器包括第一运算放大器和第二运算放大器。本发明的长沟道MOS管阈值电压片上产生电路利用提出的电路结构在芯片上直接产生待测MOS管的阈值电压VTH参数，在芯片外不可以直接测得，无需计算或描点，比较方便。当整个芯片的环境温度发生变化时，待测MOS管的阈值电压VTH也随之实时变化，无需重新计算或描点。

专利附图

一种长沟道MOS管阈值电压片上产生电路专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。