IPC分类号 : C23C14/34; C23C14/06; C23C14/16; C23C14/02
专利摘要
一种低残余应力的硬质类金刚石薄膜的制备方法,依次包括清洗、预处理、沉积纯Ti层、沉积TiC层、沉积DLC复合层和后处理步骤,其特征在于:所述沉积DLC复合层,是依次沉积第一层DLC层、TiC层和第二层DLC层。膜的内应力通过Ti层、TiC层过渡缓冲得到释放,增强了Ni‑Ti合金基材与膜的结合力,以及膜层与膜层之间的结合力,制得的类金刚石膜均匀性好、表面平整,采用Si、Cu非金属与金属的共掺杂,减小体系弹性能,从而减小膜的内应力,同时增强了膜的热传导能力、膜的石墨化温度到600℃以上,保证了其机械性能,增强其稳定性,整个制备过程中增加了膜中sp3键的比例,也提高了膜的硬度、弹性模量。
专利附图
一种低残余应力的硬质类金刚石薄膜的制备方法专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
动态评分
0.0