专利摘要
本发明公开一种SOI CMOS射频开关电路结构，包括带隙基准电路、低压差线性稳压器、解码器、电平转换电路以及相对电压偏置开关核电路，逻辑电平连接至所述解码器的输入端；所述带隙基准电路的输出端连接至所述低压差线性稳压器的输入端；所述低压差线性稳压器的输出端分别连接至所述解码器和所述电平转换电路的输入端；所述解码器的输出端连接至所述电平转换电路的输入端；所述电平转换电路的输出端连接至所述相对电压偏置开关核电路的输入端。本专利电路中不包含负电压产生器或者升压电路，故降低了开关的芯片面积和制造成本，使其在低掷数开关和低控制电压应用中实现良好的射频性能。
专利附图
一种SOI CMOS射频开关电路结构专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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