IPC分类号 : H01Q21/06,H01Q9/16,H01Q1/38,H01Q1/48,H01Q1/50,H01Q15/00
专利摘要
本发明公开了一种基于强耦合效应的锥台载二维共形低散射超宽带相控阵天线，该它完全共形于锥台表面，偶极子辐射单元沿着圆周方向的间距随着锥台母线呈线性变化，呈现锥形变化的布阵方式，在6‑18GHz的宽频带范围内实现了E面以及H面±45°扫描。通过加载长条金属贴片，有效改善了由共形环境引起的有源驻波恶化。此外，准周期性电磁超材料的加载在相控阵天线工作频的全频频范围内显著地降低相控阵天线自身的交叉极化RCS，共形相控阵的总体辐射效率保证在较高水平。最后，全裂口环的应用帮助实现了相控阵天线在具有超宽带宽角扫描特性的同时，保证了相控阵天线的散射特性。
权利要求
1.基于强耦合效应的锥台载二维共形低散射超宽带相控阵，它包括:天线的非平衡馈电结构(1)；两个金属短路柱(2)；具有一定厚度的金属地板(3)；位于所述金属地板上方用于支撑的介质基板(4)；印刷在上述支撑介质基板上表面的强电容耦合结构的偶极子辐射单元(5)，所述两个金属短路柱分别设置于偶极子辐射单元的左右臂，偶极子辐射单元的左右臂各有一个金属短路柱，通过所述金属短路柱实现与金属地板的电连接；位于支撑介质基板上方的第一层宽角阻抗匹配层(6)；位于第一层宽角阻抗匹配层上方的阻性印刷介质层(7)；位于阻性印刷介质层上方的第二层宽角阻抗匹配层(8)；印刷在阻性印刷介质层的双矩形阻性贴片(9)，该阻性贴片的长边与偶极子辐射单元相互正交；印刷在第二层宽角阻抗匹配层上表面的长条金属贴片(10)；印刷在第二层宽角阻抗匹配层上表面的全裂口环金属环(11)，所述全裂口环沿着偶极子辐射单元布阵方向排列；阻性贴片(9)、宽角阻抗匹配层(6)、全裂口环金属环(11)以及介质基板(4)构成了共形电磁超材料。
2.根据权利要求1所述的基于强耦合效应的锥台载二维共形低散射超宽带相控阵，其特征在于：整个所述相控阵天线与锥台载体完全共形，偶极子辐射单元沿着圆周方向的间距随着锥台母线呈线性变化，在偶极子辐射单元上方加载长条金属贴片，能有效改善由锥台共形环境引起的相控阵有源驻波恶化。
3.根据权利要求1所述的基于强耦合效应的锥台载二维共形低散射超宽带相控阵，其特征在于：所述的双矩形阻性贴片完全共形于载体表面，且其长度随着在锥台母线方向上的位置呈线性改变，能保证锥台载共形相控阵的带内散射特性得到有效缩减。
4.根据权利要求1所述的基于强耦合效应的锥台载二维共形低散射超宽带相控阵，其特征还在于：在偶极子辐射单元上方采用全裂口环周期结构，该结构在改善相控阵扫描驻波特性的同时，对交叉极化入射波保持透射状态，保证了加载的共形电磁超材料吸收外来电磁波的能力。
基于强耦合效应的锥台载二维共形低散射超宽带相控阵专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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