专利摘要

一种碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法，其包括以下步骤：提供一碳纳米管薄膜；以及采用电化学原位聚合法将导电聚合物复合在所述碳纳米管薄膜上，获得一碳纳米管/导电聚合物复合材料。

说明书

技术领域

本技术方案涉及一种碳纳米管/聚合物复合材料的制备方法，尤其涉及一种碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法。

背景技术

自1991年日本NEC公司的Iijima发现碳纳米管(Carbon Nanotube，CNT)以来(Iilima S.，Nature，1991，354，56-58)，立即引起科学界及产业界的极大重视。碳纳米管具有优良的机械和光电性能，被认为是复合材料的理想添加物。碳纳米管/聚合物复合材料已成为世界科学研究的热点(Ajjayan P.M.，StephanO.，Colliex C.，Tranth D.Science.1994，265，1212-1215：Calvert P.，Nature，1999，399，210-211)。碳纳米管作为增强体和导电体，形成的复合材料具有抗静电，微波吸收和电磁屏蔽等性能，具有广泛的应用前景。

现有技术中的碳纳米管/导电聚合物复合材料中的碳纳米管多为棒状物，而导电聚合物以颗粒的形式分布在碳纳米管的间隙中。当所述碳纳米管/导电聚合物复合材料应用于超级电容器、太阳能电池的电极时，其中的导电聚合物充放电时会引起体积收缩和膨胀，而碳纳米管的中空结构可缓解由上述导电聚合物的体积收缩和膨胀引起的碳纳米管/导电聚合物复合材料的体积收缩和膨胀，而且碳纳米管的高导电性可降低导电聚合物的电阻。因此，现有技术中的碳纳米管/导电聚合物复合材料具有较好的导电性和较高的比电容量(大于200法拉/克)。然而，现有技术中的碳纳米管/导电聚合物复合材料通常采用将碳纳米管分散于硫酸及硝酸等强氧化性酸或表面活性剂中，之后再与导电聚合物的单体进行电化学反应，并最终在工作电极上得到一碳纳米管/导电聚合物复合材料的薄膜。通过强酸处理，会使得所述碳纳米管受到一定程度的破坏，而使用表面活性剂处理会使得表面活性剂在最终的碳纳米管/导电聚合物复合材料中不易除去。因而，经强氧化性酸或表面活性剂处理后得到的碳纳米管/导电聚合物复合材料的性能会受到影响。另外，由于碳纳米管易团聚，目前一直不能很好的分散，故，现有技术所制备得到的碳纳米管/导电聚合物复合材料中的碳纳米管间通常没有形成良好的导电网络，且有些相邻碳纳米管之间间距较大，相互间接触性较差，因而不能充分发挥碳纳米管的优良导电性及导热性能，造成所述碳纳米管/导电聚合物复合材料的内阻较大、比电容量较低。

有鉴于此，确有必要提供一种能够使碳纳米管均匀分散、并且不破坏碳纳米管结构的碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法。

发明内容

一种碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法，其包括以下步骤：制备一碳纳米管薄膜；以及采用电化学原位聚合法将导电聚合物复合在所述碳纳米管薄膜上，获得一碳纳米管/导电聚合物复合材料。

与现有技术相比较，本技术方案提供的碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法具有以下优点：其一，由于碳纳米管薄膜中的多个碳纳米管均匀分散且相互连接形成导电网络，故采用电化学原位聚合法将所述碳纳米管薄膜与导电聚合物单体复合，所制得的碳纳米管/导电聚合物复合材料中碳纳米管均匀分散。其二，由于采用电化学原位聚合法将所述碳纳米管薄膜与导电聚合物单体复合，无需添加表面活性剂，使得碳纳米管/导电聚合物复合材料中不包含表面活性剂。其三，本技术方案提供的碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法，不需要用强酸氧化碳纳米管，碳纳米管的结构完整，在制备过程中不会破坏碳纳米管的结构。其四，采用电化学原位聚合法将所述碳纳米管薄膜与导电聚合物复合，制备工艺简单，可实现连续、规模化生产，且成本较低。

附图说明

图1是本技术方案实施例的碳纳米管/导电聚合物复合材料制备方法的流程图。

图2是本技术方案实施例的包含无序碳纳米管的碳纳米管/导电聚合物复合材料的结构示意图。

具体实施方式

以下将结合附图详细说明本技术方案提供的碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法。

请参阅图1，本技术方案实施例提供一种碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法，具体包括以下步骤：

步骤一，制备一碳纳米管薄膜。

所述制备碳纳米管薄膜的方法包括直接生长法、絮化法、碾压法或拉膜法等其它方法。所述碳纳米管薄膜包括多个均匀分布的碳纳米管，且该多个碳纳米管相互连接形成导电网络结构。

本实施例采用絮化法制备所述碳纳米管薄膜，该方法具体包括以下步骤：

(一)提供一碳纳米管原料。

本实施例中，所述碳纳米管原料的制备方法具体包括以下步骤：(a)提供一平整基底，该基底可选用P型或N型硅基底，或选用形成有氧化层的硅基底，本实施例优选为采用4英寸的硅基底；(b)在基底表面均匀形成一催化剂层，该催化剂层材料可选用铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)或其任意组合的合金之一；(c)将上述形成有催化剂层的基底在700～900℃的空气中退火约30分钟～90分钟；(d)将处理过的基底置于反应炉中，在保护气体环境下加热到500～740℃，然后通入碳源气体反应约5～30分钟，生长得到碳纳米管阵列，其高度大于100纳米，优选为100纳米～10毫米；(e)使碳纳米管阵列脱离基底，获得碳纳米管原料。

该碳纳米管阵列为多个彼此平行且垂直于基底生长的碳纳米管形成的纯碳纳米管阵列，由于生成的碳纳米管长度较长，部分碳纳米管会相互缠绕。通过上述控制生长条件，该超顺排碳纳米管阵列中基本不含有杂质，如无定型碳或残留的催化剂金属颗粒等。本实施例中碳源气可选用乙炔等化学性质较活泼的碳氢化合物，保护气体可选用氮气、氨气或惰性气体。可以理解的是，本实施例提供的碳纳米管阵列不限于上述制备方法。本实施例优选采用刀片或其他工具将碳纳米管从基底刮落，获得碳纳米管原料，其中碳纳米管一定程度上保持相互缠绕的状态。

所述碳纳米管包括单壁碳纳米管、双壁碳纳米管及多壁碳纳米管中的一种或几种。该单壁碳纳米管的直径为0.5纳米～50纳米，该双壁碳纳米管的直径为1.0纳米～50纳米，该多壁碳纳米管的直径为1.5纳米～50纳米。所述碳纳米管的长度在100纳米到10毫米之间。

(二)将上述碳纳米管原料添加到一溶剂中并进行絮化处理获得碳纳米管絮状结构。

本实施例中，溶剂可选用水、易挥发的有机溶剂等。絮化处理可通过采用超声波分散处理或高强度搅拌等方法。优选地，本实施例采用超声波将碳纳米管在溶剂中分散10～30分钟。由于碳纳米管具有极大的比表面积，相互缠绕的碳纳米管之间具有较大的范德华力。上述絮化处理并不会将碳纳米管原料中的碳纳米管完全分散在溶剂中，碳纳米管之间通过范德华力相互吸引、缠绕，形成网络状结构。

(三)将上述碳纳米管絮状结构从溶剂中分离，并对该碳纳米管絮状结构定型处理以获得碳纳米管薄膜。

本实施例中，分离碳纳米管絮状结构的方法具体包括以下步骤：将上述含有碳纳米管絮状结构的溶剂倒入放有滤纸的漏斗中；静置干燥一段时间从而获得分离的碳纳米管絮状结构。

所述定型处理具体包括以下步骤：将上述碳纳米管絮状结构置于一容器中；将碳纳米管絮状结构按照预定形状摊开；施加一定压力于摊开的碳纳米管絮状结构；以及，将碳纳米管絮状结构中残留的溶剂烘干或等溶剂自然挥发后获得碳纳米管薄膜。可以理解，本实施例可通过控制碳纳米管絮状结构摊片的面积来控制碳纳米管薄膜的厚度和面密度。碳纳米管絮状结构摊片的面积越大，则碳纳米管薄膜的厚度和面密度就越小。本实施例中获得的碳纳米管薄膜的厚度为1微米至2毫米。

另外，上述分离与定型处理步骤也可直接通过抽滤的方式获得碳纳米管薄膜，具体包括以下步骤：提供一微孔滤膜及一抽气漏斗；将上述含有碳纳米管絮状结构的溶剂经过微孔滤膜倒入抽气漏斗中；以及抽滤并干燥后获得碳纳米管薄膜。该微孔滤膜为一表面光滑、孔径为0.22微米的滤膜。由于抽滤方式本身将提供一较大的气压作用于碳纳米管絮状结构，该碳纳米管絮状结构经过抽滤会直接形成一均匀的碳纳米管薄膜。且，由于微孔滤膜表面光滑，该碳纳米管薄膜容易剥离。

采用所述絮化法制备的碳纳米管薄膜，其包括多个均匀分布的碳纳米管，该多个均匀分布的碳纳米管通过范德华力相互连接形成网络结构，从而形成一具有自支撑结构的碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜具有较好的柔韧性。

可以理解，所述碳纳米管薄膜的制备方法还可以为直接生长法、碾压法或拉膜法等其它方法。所述直接生长法为用化学气相沉积法于一基板上生长碳纳米管薄膜。该碳纳米管薄膜为无序碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜包括多个无序排列的碳纳米管。所述采用碾压法制备碳纳米管薄膜的方法包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基底；以及提供一施压装置挤压上述碳纳米管阵列，从而得到碳纳米管薄膜。该碳纳米管薄膜为无序碳纳米管薄膜，且包括多个沿一个或多个方向择优取向排列的碳纳米管。所述采用拉膜法制备碳纳米管薄膜的方法包括以下步骤：制备一碳纳米管阵列；从上述碳纳米管阵列中选定一定宽度的多个碳纳米管片断，优选为采用具有一定宽度的胶带接触碳纳米管阵列以选定一定宽度的多个碳纳米管片断；以及以一定速度沿基本垂直于碳纳米管阵列生长方向拉伸该多个碳纳米管片断，以形成一连续的碳纳米管薄膜。

步骤二，采用电化学原位聚合法将导电聚合物复合在所述碳纳米管薄膜上，获得一碳纳米管/导电聚合物复合材料。

本技术方案采用电化学原位聚合法将所述碳纳米管薄膜与导电聚合物单体复合的方法具体包括以下步骤：

首先，制备一导电聚合物单体的酸溶液。

所述制备导电聚合物单体的酸溶液的方法具体包括以下步骤：提供20～40质量份的导电聚合物单体；配制摩尔浓度为0.1～5摩尔/升的酸溶液；将所述导电聚合物单体溶于酸溶液中，得到摩尔浓度为0.1～5摩尔/升的导电聚合物单体的酸溶液；以及将所述导电聚合物单体的酸溶液置于一容器中，将该导电聚合物单体的酸溶液作为电解液。所述导电聚合物单体包括苯胺、吡咯、噻吩、乙炔、对苯及对苯撑乙烯中的一种或几种。所述酸溶液为盐酸溶液、硫酸溶液、硝酸溶液、磷酸溶液或乙酸溶液中的一种或几种的混合。本实施例中，所述导电聚合物单体为苯胺，所述酸溶液为硫酸溶液。

本实施例中，所述制备一导电聚合物单体的酸溶液，将所述碳纳米管薄膜浸入所述聚合物单体的酸溶液中的方法具体包括以下步骤：取一容器，于该容器中配制40毫升1摩尔/升的硫酸溶液；用称量天平称量0.74504克的苯胺单体油状物(0.74504克苯胺单体油状物的物质的量为0.008摩尔)，并放入一容器内，向该容器内注入40毫升1摩尔/升的硫酸溶液，使所述苯胺单体油状物溶于所述硫酸溶液中，制备成0.2摩尔/升的苯胺的硫酸溶液，该苯胺的硫酸溶液用作电解液。

其次，提供一个阴极电极片。

所述阴极电极片包括惰性石墨电极片、铂电极片、不锈钢电极片及层状碳纳米管结构，其面积大于等于碳纳米管薄膜的面积。所述阴极电极片起到电极的作用，只要导电性好，且具有惰性即可满足要求。所述层状碳纳米管结构既可以为由直接生长法、絮化法、碾压法或拉膜法等其它方法所制得的碳纳米管薄膜，也可为碳纳米管线组成的层状结构或碳纳米管长线与碳纳米管薄膜复合组成的层状碳纳米管结构，也可以为碳纳米管。所述层状碳纳米管结构还可以为由碳纳米管结构与其他材料组成的层状碳纳米管复合结构，所述其他材料包括高分子材料、金属、非金属。所述高分子材料为热固性高分子材料或热塑性高分子材料，热固性高分子材料包括酚醛树脂、环氧树脂、双马来酰亚胺树脂、聚苯并恶嗪树脂、氰酸酯树脂、聚酰亚胺树脂和不饱和聚酰树脂中的一种或者几种的混合物。该热塑性高分子材料包括聚乙烯、聚氯乙烯、聚四氟乙烯、聚丙烯，聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚酰胺、聚醚酮、聚砜、聚醚砜、热塑性聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚苯醚、聚苯硫醚、聚乙酸乙烯酯、聚对苯撑苯并双恶唑的一种或者几种的混合物。所述金属包括铜、金或银等导电性好的金属或其合金。所述非金属为陶瓷、粘土等。总之，只要该层状碳纳米管结构具有较好的导电性即可。本实施例中，所述阴极电极片为碳纳米管薄膜。

再次，将一个碳纳米管薄膜及一个阴极电极片平行且间隔浸入导电聚合物单体的酸溶液中。

所述碳纳米管薄膜的质量份均为50～90，所述导电聚合物单体的酸溶液中的导电聚合物单体与所述碳纳米管薄膜的质量比为2∶9～4∶5。所述碳纳米管薄膜与阴极电极片之间的距离为0.5厘米～3厘米。所述碳纳米管薄膜的形状不限，可以为各种平面几何图形。

本实施例中，可采用两个面积相等的碳纳米管薄膜，并用称量天平称量，使得所述两个碳纳米管薄膜的质量均为40.1毫克，再将所述两个碳纳米管薄膜平行且间隔浸入所述苯胺单体的硫酸溶液中，使其中一个碳纳米管作阴极电极片，并使得两个碳纳米管薄膜之间保持1厘米的距离。

最后，在碳纳米管薄膜与阴极电极片之间形成一电势差，并使碳纳米管薄膜与电源正极相连作阳极，阴极电极片与电源负极相连作阴极，导电聚合物单体在作为阳极的碳纳米管薄膜上发生氧化聚合反应，导电聚合物单体均匀聚合形成导电聚合物纤维，导电聚合物纤维复合在所述碳纳米管薄膜中碳纳米管的表面或/和附着在所述碳纳米管的管壁上，导电聚合物纤维还可以彼此相互连结后再复合在所述碳纳米管的表面或/和附着在所述碳纳米管的管壁上。

所述导电聚合物纤维的长度为100纳米～10毫米，直径为30纳米～120纳米。所述在阳极与阴极之间形成电势差的方法包括在阳极与阴极之间施加恒流、恒压或扫描电势等。当阳极与阴极之间形成电势差的方法为施加扫描电势时，电势范围-0.2伏特～1.2伏特之间，扫描速度为1毫伏/秒～1000毫伏/秒，扫描时间为0.5小时～4小时，或扫描10～10000次。当阳极与阴极之间形成电势差的方法为施加恒流时，电流范围为10毫安/克～10安/克，恒流时间为0.5小时～4小时。本实施例中，在正电极与负电极之间形成电势差的方法为施加恒压，阳极与阴极之间施加的电压为0.5～1.2伏特，时间为0.5小时～4小时，导电聚合物单体在阳极发生氧化聚合。

本实施例中，碳纳米管薄膜与聚合物单体复合的方法具体包括以下步骤：首先，将作为阳极的碳纳米管薄膜与电源的正极电连接，将作为阴极电极片的碳纳米管薄膜与电源的负极电连接；然后，在正电极与负电极之间施加0.75伏特的电压2～3小时，在苯胺单体的酸溶液中，正电极为阳极，负电极为阴极，苯胺单体在阳极失电子被氧化，从而聚合成为聚苯胺纤维，复合在所述作为阳极的碳纳米管薄膜中的碳纳米管的表面和/或附着在所述碳纳米管的管壁上，从而获得碳纳米管/聚苯胺复合材料。所述聚苯胺纤维的长度为200纳米～1毫米，直径为50纳米～80纳米。作为阴极电极片的碳纳米管薄膜与电源负极相连，因此仅起到电极的作用，并无聚苯胺纤维复合在该碳纳米管薄膜上。

可以理解，当采用碳纳米管薄膜作阴极电极片时，导电聚合物单体在作为阳极的碳纳米管薄膜上充分聚合形成导电聚合物复合在碳纳米管薄膜上后，还可以通过使已获得的碳纳米管/导电聚合物复合材料与电源负极相连作阴极，使碳纳米管薄膜与电源正极相连作阳极，由于碳纳米管/导电聚合物复合材料具有较好得导电性，从而使导电聚合物单体被氧化，聚合成导电聚合物并复合在作为阳极的碳纳米管薄膜上。

所述制备碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法还可以进一步包括一采用清洗溶液清洗并烘干所述碳纳米管/导电聚合物复合材料的步骤。具体地，该步骤为：首先，将碳纳米管/导电聚合物复合材料从电解液中取出，将其放入盛有去离子水的容器内清洗多次，以除去碳纳米管/导电聚合物复合材料中的离子。其次，再将其放入盛有乙醇的容器中清洗多次以去除碳纳米管/导电聚合物复合材料中残留的有机杂质。最后，将碳纳米管/导电聚合物复合材料取出，放入烘箱内，在80摄氏度下烘干4小时，将碳纳米管/导电聚合物复合材料中的乙醇蒸发出来。所述清洗碳纳米管/导电聚合物复合材料10的目的是去除碳纳米管/导电聚合物复合材料10中存在的其他离子杂质，以及残留的其它有机杂质。

本技术方案碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法中，采用将两个50～90质量份的碳纳米管薄膜平行间隔放置在20～40质量份导电聚合物单体配置的导电聚合物单体的酸溶液中，在两个碳纳米管薄膜之间形成一电势差，使导电聚合物单体在阳极氧化聚合成导电聚合物，从而与碳纳米管薄膜复合形成碳纳米管/导电聚合物复合材料。上述碳纳米管薄膜、导电聚合物单体以及的质量比例关系有利于确保本技术方案制备的碳纳米管/导电聚合物复合材料中导电聚合物纤维直接或相连接后复合在所述碳纳米管的表面或/和附着在所述碳纳米管的管壁上。本技术方案由于采用了两个相同的碳纳米管薄膜采用电化学聚合法制备碳纳米管/导电聚合物复合材料，可以通过改变碳纳米管薄膜与碳纳米管/导电聚合物复合材料上的电极，一次制备获得两个碳纳米管/导电聚合物复合材料薄膜，大大提高了生产效率。

请参阅图2，本技术方案所制备的碳纳米管/导电聚合物复合材料10包括多个碳纳米管12及多个导电聚合物纤维14。所述多个碳纳米管12相互连接形成一碳纳米管薄膜16，多个导电聚合物纤维14复合在所述碳纳米管12的表面或/和附着在所述碳纳米管12的管壁上。在上述的碳纳米管/导电聚合物复合材料10中，碳纳米管12形成的碳纳米管薄膜16起到了骨架作用，导电聚合物纤维14依附在所述的碳纳米管薄膜16骨架上。进一步地，所述碳纳米管12和导电聚合物纤维14均匀分布于所述碳纳米管/导电聚合物复合材料中。

本技术方案所提供的碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法具有以下优点：其一，由于碳纳米管薄膜中的多个碳纳米管均匀分散且相互连接形成导电网络，故采用电化学原位聚合法将所述碳纳米管薄膜与导电聚合物单体复合，所制得的碳纳米管/导电聚合物复合材料中碳纳米管均匀分散。其二，由于采用电化学原位聚合法将所述碳纳米管薄膜与导电聚合物单体复合，无需添加表面活性剂，使得碳纳米管/导电聚合物复合材料中不包含表面活性剂。其三，本技术方案提供的碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法，不需要用强酸氧化碳纳米管，碳纳米管的结构完整，在制备过程中不会破坏碳纳米管的结构。其四，采用电化学原位聚合法将所述碳纳米管薄膜与导电聚合物复合，制备工艺简单，可实现连续、规模化生产，且成本较低。

另外，本领域技术人员还可以在本技术方案精神内做其它变化，当然，这些依据本技术方案精神所做的变化，都应包含在本技术方案所要求保护的范围之内。

碳纳米管/导电聚合物复合材料的制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。