专利摘要

本发明提供了一种获得表面单极性放电痕迹的方法与装置，能够在导电剂配合下，用脉动直流在制品表面上获取单极性放电痕迹。本发明中，PWM信号发生器产生驱动信号，经由功率放大器激励升压变压器和整流电路获得直流脉动电压，电压传输至正负电极，再将正负电极置于被导电剂透入表层的制品上，从阳极或阴极进行表面放电，在制品表层留下单极性放电痕迹。放电痕迹的宏观图案具分形特征，可用于艺术创作、分形图形模板制作、工艺品制作。相比于在湿润材料表层施加工频交流高电压获取放电痕迹的方法与装置，本发明在方法上具有单极控制、可操作性强、保证图案连续性的优势。在装置方面具有容易实现、结构简单的优势。

权利要求

1.一种获得表面单极性放电痕迹的方法，其特征在于用峰值为0.2～1kV的脉动直流电压施加在被导电剂透入表层的制品上，令制品表面放电优先从阳极或阴极发生并发展，另一极性放电的发生和发展受到抑制或不能发生，从而在制品表面留下单极性放电痕迹。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：导电剂是电解质液体，金属离子所带正电荷浓度为6～24mol/L是实现单极性表面放电的原则；导电剂透入制品表层令制品表层导电，或均匀覆盖于制品上形成导电表层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：导电剂外还加入立方氮化硼、聚乙二醇-200(PEG-200)、SiO₂和ZnCl₂中的一种或多种，添加质量分别为原有导电剂的0.3～6.0wt.％、0.2～8.0wt.％、1.5～8.0wt.％和0.2～1.0wt.％。

4.一种获得高压电表面单极性放电痕迹的装置，其特征在于：将PWM信号发生器产生的驱动信号，通过功率放大器来激励升压变压器获取交流电压；经过整流电路获得脉动直流电压输送至电极；将电极置于被导电剂透入表层的制品上获得单极性放电痕迹。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于：驱动信号的频率为10kHz～120kHz，占空比为0.3～0.7，利用升压变压器的绕组在该频段下的阻抗限制装置的最大输出功率，不需要将施加于制品的电流或电压信号反馈给PWM信号发生器或功率放大器实施自动控制，即装置工作于开环控制状态，表面放电的耗散功率通过调整PWM信号发生器输出信号的频率和占空比调整。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于：在表面放电持续发展时，正负电极5间峰值电压为0.2～1kV，制品导电表层放电消耗的电功率为6.5～250W；制品导电表层放电消耗的电功率越大，表面放电发展速度越快、放电带越宽、放电痕迹越宽；正负电极间空载时峰值电压不高于10kV。

说明书

技术领域

本发明涉及在制品表面获得放电痕迹的方法与装置，具体是一种获得高压电表面单极性放电痕迹的方法与装置。

背景技术

表面放电是沿不同聚集态电介质分界面的放电现象。本发明将制品表面用导电剂透入后施加高电压，使制品发生带状表面放电，表面放电以放电带在制品表面上推进的形式发展，以材料表面碳化的形式留下放电痕迹，由此形成的放电痕迹的宏观图案具有分形特征，其细节高度随机、宏观方向可控。同时，放电痕迹的宏观图案在不同导电剂下具有不同分布模式，具备开发为制品表面修饰方法的价值。上述分布模式是指在宏观角度用肉眼观察局部或整个放电痕迹时，放电痕迹的图案所呈现出的特定形态，对同一导电剂与同一制品，在不同极性下阴阳极对应的放电痕迹具有不同的分布模式，分别为阳极分布模式与阴极分布模式，交流下为混合分布模式。

控制放电痕迹的发展方向与分布模式是修饰效果的关键，具有以下特征。首先，在绝缘材料表面电痕破坏中，阳极的侵蚀破坏强度更大，阴极的放电痕迹更容易发生和发展，本发明中所述制品表面放电具有相同规律，即阳极表面放电引起的侵蚀破坏程度大于阴极，在视觉上也更为清晰。其次，阳极放电痕迹比阴极和在交流情况下更能在分布模式上体现不同导电剂的差别。第三，当正负两个电极同时发展出放电痕迹时，两极延伸出的放电痕迹方向与分布模式存在不同，从而影响放电痕迹图案的方向性与连续性。第四，表面放电留下的碳化放电痕迹是导体，放电痕迹相当于延伸了引出电极，如果正负电极同时发展放电痕迹，导致两极的放电痕迹倾向于以最短距离相连，造成制品表面短路，容易在放电痕迹相连处附近留下难以填补的空白区域。然而在具体实施中如果不加以控制，那么不论采用交流、脉冲和直流，表面放电都可能在不止一个电极处同时发生并发展，限制表面放电痕迹在制品表面修饰方法的应用价值。

发明内容

本发明提供了一种获得表面单极性放电痕迹的方法与装置，能够在导电剂配合下，用脉动直流在制品表面上获取单极性放电痕迹。本发明中，PWM信号发生器产生驱动信号，经由功率放大器激励升压变压器和整流电路获得直流脉动电压，电压传输至正负电极，再将正负电极置于被导电剂透入表层的制品上，从阳极或阴极进行表面放电，在制品表层留下单极性放电痕迹。放电痕迹的宏观图案具分形特征，可用于艺术创作、分形图形模板制作、工艺品制作。相比于在湿润材料表层施加工频交流高电压获取放电痕迹的方法与装置，本发明在方法上具有单极控制、可操作性强、保证图案连续性的优势。在装置方面具有容易实现、结构简单的优势。其技术方案如下：

一种获得表面单极性放电痕迹的方法，其特征在于用峰值为0.2～1kV的脉动直流电压施加在被导电剂透入表层的制品上，令制品表面放电优先从阳极或阴极发生并发展，另一极性放电的发生和发展受到抑制或不能发生，从而在制品表面留下单极性放电痕迹。

导电剂是电解质液体，金属离子所带正电荷浓度为6～24mol/L是实现单极性表面放电的原则；导电剂透入制品表层令制品表层导电，或均匀覆盖于制品上形成导电表层。

导电剂外还可以加入立方氮化硼、聚乙二醇-200(PEG-200)、SiO₂和ZnCl₂中的一种或多种，添加质量分别为原有导电剂的0.3～6.0wt.％、0.2～8.0wt.％、1.5～8.0wt.％和0.2～1.0wt.％。

一种获得高压电表面单极性放电痕迹的装置，其特征在于：将PWM信号发生器产生的驱动信号，通过功率放大器来激励升压变压器获取交流电压；经过整流电路获得脉动直流电压输送至电极；将电极置于被导电剂透入表层的制品上获得单极性放电痕迹。

驱动信号的频率为10kHz～120kHz，占空比为0.3～0.7，利用升压变压器的绕组在该频段下的阻抗限制装置的最大输出功率，不需要将施加于制品的电流或电压信号反馈给PWM信号发生器或功率放大器实施自动控制，即装置工作于开环控制状态，表面放电的耗散功率通过调整PWM信号发生器输出信号的频率和占空比调整。

在表面放电持续发展时，正负电极5间峰值电压为0.2～1kV，制品导电表层放电消耗的电功率为6.5～250W；制品导电表层放电消耗的电功率越大，表面放电发展速度越快、放电带越宽、主要放电痕迹越宽；正负电极间空载时峰值电压不高于10kV。

本发明所述放电痕迹多呈现类似树枝或闪电的分叉状，由主要放电痕迹和次要放电痕迹组成，次要放电痕迹是分布模式的基础，次要放电痕迹的分布模式的呈现和受施加于制品表面的电功率、电压频率、峰值电压影响，比如反馈控制引起的电压频率的波动可能引起次要放电痕迹不稳定的呈现，采用恒压控制易引起所得表面放电过于强烈且不稳定甚至制品表面燃烧。针对以上问题，本发明采用10～120kHz为PWM驱动频率范围，升压变压器工作在该范围下产生的阻抗使装置的最高输出功率有自限性；指定PWM信号的驱动频率范围保证输出的直流脉动频率不受表面放电过程的影响，导电剂分布模式的呈现在该频段内对电压频率不敏感，有利于放电痕迹的稳定获取；在采用导电剂中金属离子所带正电荷浓度为6～24mol/L的条件下表面放电能够自行稳定，通过调整PWM的频率和占空比可以调整制品表面放电消耗的电功率而无需自动控制。因而本发明可保证表面放电的自稳定，无需再反馈正负电极5或制品6的电流或电压信号对装置的输出功率、电流或电压进行自动控制，令发明所述装置结构简单、容易实现。

用频率过低的电压引发表面放电时，如50Hz，不论电压形式为交流还是脉动直流，次要放电痕迹的生成易被强烈抑制，对放电痕迹的获得与分布模式的呈现产生障碍，且所需最低电压和电流大于本发明提出的最低维持条件，当制品表面绝缘性能较好或导电剂阻抗较高时，维持条件的区别更为显著，是采用工频电压升压方案的问题。然而应用一些导电剂时，在表面放电刚形成的一段时间内存在放电带不稳定的情况，该时间段为启动阶段，启动阶段的放电痕迹表现为不符合预期的分布模式，如果采用自激升压方案，在启动阶段内易发生闪络放电，导致制品表面被烧毁或放电熄灭。本发明所述方法和装置可以避免启动阶段放电失控和引发启动阶段自恢复现象，在应用具有启动阶段的导电剂时尤其有效，表面放电进入启动阶段后可自行稳定而非失控，而表面放电的行为在启动区前后具有突变性，因此通过观察容易区分，因此可以在放电痕迹上标记启动区的边界以测量启动区长度。与工频升压方案相比，装置结构中升压变压器与工频下工作的升压变压器在10kHz～120kHz下工作有重量轻的优点；自激升压方案相比，实现了频率可控、表面放电功率可控、启动阶段自恢复，具有可操作性强的优势。

本发明所述方法和装置令制品表面放电优先从阳极或阴极发生并发展，另一极性放电的发生和发展受到抑制或不能发生，从而保证制品表面电势分布均匀、制品表层放电痕迹发展均匀，避免多极放电痕迹的不连续；同时，采用阳极单极放电时，表面放电对制品表面的侵蚀破坏程度比在阴极或交流情况下更大，所得放电痕迹在视觉上更清晰和明确。上述单极控制是本发明的基础。

本发明的有益效果为：本发明所提供的一种获得表面单极性放电痕迹的方法与装置，其方法可操作性强，装置容易实现且结构简单，能够在被导电剂透入表面的制品上留下单极性发展的连续放电痕迹，清晰呈现不同导电剂对应的放电痕迹、使分布模式更加明确，所得放电痕迹可用于艺术创作、分形图形模板制作、工艺品制作。

附图说明

图1为一种获得高压电表面单极性放电痕迹的方法与装置的系统框图

图2为实施例1条件1～3的实施结果

图3为实施例1交流情况下对照结果

图4为实施例1阴极阳极放电痕迹对照结果

图5为实施例1表面放电抑制对照结果

图6为实施例2条件1～3的实施结果

图7为实施例3条件1～3的实施结果

图8为实施例4条件1的测试结果

图9为实施例4条件2的测试结果

图10为实施例4条件3的测试结果

图11为实施例5条件1的测试结果

图12为实施例5条件2的测试结果

图13为实施例5条件3的测试结果

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详细说明。为量化说明本发明所能实现的结果和优点，在实施例1～5中采用中密度纤维板作被修饰制品，为适应制品亲水性采用水溶液作导电剂。实施例1～3中修饰范围是9.0.×7.2cm，实施例4～5的修饰范围是9.0×3.1cm。两个电极为φ1mm的金属电极，电极末端垂直接触修饰范围对角点位置上。在实施例1～3中，阴极固定于修饰范围左下角以提供极端的单极性测试条件，于修饰范围右上角阳极放置可移动阳极；在实施例4～5中，两个电极为φ1mm的金属电极，阳极末端垂直接触于修饰范围右边界中点，阴极以1.5cm长度水平接触于修饰范围左边界，两个电极不可动。

实施例1～5中所用测试装置结构如图1，以PWM控制芯片SG3235作为PWM信号发生器的核心，通过以IRFP460组成半桥结构作为功率放大器激励升压变压器，升压变压器采用UY磁芯，整流为脉动直流后输送至正负电极，脉动直流的频率为10kHz～120kHz，占空比为0.3～0.7。以上述方式搭建8组电路参数有所不同的测试装置，与本专利相关的参数如表1。实施例1～3中逐个使用8个测试装置，实施例4～5使用测试装置4。

表1

实施例5为说明正负电极间空载时峰值电压高于3kV的影响提供反例，采用自激推挽升压电源作为对照用装置，电源结构为频率开环控制的自激推挽ZVS升压电路，工作频率范围是13～42kHz，将该电源的输出整流为脉动直流接至正负电极后，电极间空载峰值电压10kV。该装置峰值功率200W，整流电路与本发明测试装置中整流电路一致，测试装置与对照用装置使用同一电极组，提供对照测试所需条件。

在实施例1～3中，表面放电启动于首个供电条件，在放电痕迹覆盖试样表面一定范围后切换供电条件，直至覆盖试样表面，即实施例1～3中从右至左依次以3种不同供电条件连续测试，以测试本发明所述供电条件下分布模式是否受到影响。在实施例4中，以实施例1～3为基础，通过调整向电极加载脉动直流的占空比和频率调整制品表面消耗的电功率，来说明制品表面消耗电功率P和表面放电发展速度V、放电带宽度D、主要放电痕迹宽度的关系d。在实施例5中，以实施例1、3、4为基础针对说明启动区的问题。实施例4～5以阳极放电痕迹发展超过8cm(距阴极1cm)且不抵达阴极为测试终止条件，下面说明V、D、d的定义。

表面放电发展速度V：自启动阶段结束，到阳极放电痕迹发展超过8cm(距阴极1cm)后所花费的时间与对应的实际放电痕迹长度的比值，单位为mm/s。放电带宽度D：自启动区结束，到阳极放电痕迹发展至8cm(距阴极1cm)期间，最大连续表面放电带的宽度，测量5次取平均值，单位为mm。主要放电痕迹宽度d：整个放电痕迹中最粗的放电痕迹宽度，单位为mm。另外记录启动区长度L，单位为mm。

实施例1

本实施例中条件1～3说明单极性放电的可行性，并以条件4～5作为对照说明单极性放电的意义；条件6说明在单极性表面放电时另一极性放电的发生和发展受到抑制或不能发生。在9M NiCl₂水溶液中添加2.3wt.％SiO₂、4.2wt.％PEG-200作为本实施例所用导电剂，其中金属离子电荷浓度为18M。向被修饰制品的测试范围内施加导电剂的体积为1.0ml。

实施例1条件1。使用测试装置1，电极加载35kHz、占空比0.3的脉动直流。在表面放电过程中峰值电压0.78kV，消耗功率25W。

实施例1条件2。使用测试装置2，电极加载18kHz、占空比0.4的脉动直流。在表面放电过程中峰值电压0.91kV，消耗功率55W。

实施例1条件3。使用测试装置3，电极加载120kHz、占空比0.5的脉动直流。在表面放电过程中峰值电压0.98kV，消耗功率7.5W。

实施例1条件1～3的实施结果如图2。图中斜线为切换供电条件的分界线，自右向左划分条件1～3的实施结果，三种供电条件下不存在分布模式转变，如图2a～2c；本实施例条件下不存在启动阶段，表面放电始终稳定发生；左下角箭头所指黑点为阴极电极接触点，阴极表面放电始终未发展。

实施例1条件4为交流情况下对照结果，如图3。在实施例1条件2的基础上修改供电条件，撤走测试装置2的整流电路，直接将加载18kHz的正弦交变电压加载于电极上。在表面放电过程中，电极间峰值电压平均峰值电压为1.2kV，制品表面消耗功率50W。在本对照测试中，两极几乎同时开始并发展。线条围成的圈意为正负极放电痕迹连接附近的空白区域，由于制品表面被放电痕迹短路，移动正负电极也无法填补这些空白。由图3a～3c可见分布模式与图2a～2c具有明显区别，两极产生的放电痕迹分布模式基本一致(图3a～3b)，存在混乱现象(图3c)。

实施例1条件5是阴极阳极放电痕迹对照结果，如图4。在实施例1条件2的基础上修改电极测试条件：将阳极电极改为φ30mm金属圆柱，令试样左下角电极接触位置在700℃下碳化，将正负电极置于被导电剂透入表层的制品上，再向电极间接入脉动直流，此时阴极处立即发生表面放电，阳极表面放电的发生由于电极接触面积大而受到抑制。箭头指示方向为表面放电发展方向，可见多极放电的方向不同，两种放电痕迹的分布模式与发展方向不同(图4a和4b)，引起放电痕迹的不连续，阴极放电痕迹分布模式不能很好呈现(图4c)；黑色虚线围成的圈意为正负极放电痕迹连接附近的空白区域，由于制品表面被短路，移动电极也无法填补这些空白。

实施例1条件6是表面放电抑制对照结果，如图5。在实施例1条件2的基础上修改电极测试条件：令试样左下角电极接触点在700℃下碳化后，将正负电极置于被导电剂透入表层的制品上，再向电极间接入脉动直流。图中箭头所示位置发生了表面放电抑制(图5a)，阴极放电痕迹不能发展。

实施例2

本实施除更换导电剂，重复说明本发明所述方法和装置的可行性，并验证“启动阶段自恢复”。在4M CoCl₂水溶液中添加0.5wt.％40nm CBN、1.2wt.％PEG-200作为本实施例所用导电剂，其中金属离子电荷浓度为8M。向被修饰制品的测试范围内施加导电剂的体积为1.3ml。

实施例2条件1。使用测试装置4，电极加载18kHz、占空比0.5的脉动直流。在表面放电过程中峰值电压0.56kV，消耗功率50W。

实施例2条件2。使用测试装置5，电极加载37kHz、占空比0.4的脉动直流。在表面放电过程中峰值电压0.48kV，消耗功率22W。

实施例2条件3。使用测试装置6，电极加载50kHz、占空比0.6的脉动直流。在表面放电过程中峰值电压0.42kV，消耗功率10W。

实施例2条件1～3的实施结果如图6。图中虚线为切换供电条件的分界线，自右向左划分条件1～3的实施结果，三种供电条件下不存在分布模式转变，如图6a～6c；左下角箭头所指处为阴极电极接触点，阴极表面放电始终未发展。实施例2中采用的导电剂具有启动阶段，实线右上部分是对应的启动区，表面放电在实线另一侧发生启动阶段自恢复，可观察到分布模式从启动区向左下方向逐渐显现并覆盖试样表面。

实施例3

本实施除更换导电剂，重复说明本发明所述方法和装置的可行性，和验证“启动阶段自恢复”。本实施例所用导电剂为悬浊水溶液，在6M K₄P₂O₇水溶液中添加6.4wt.％SiO₂、0.75wt.％ZnCl₂、2.6wt.％40nm CBN、0.8wt.％PEG-200作为本实施例所用导电剂，其中金属离子电荷浓度为24M。向被修饰制品的测试范围内施加导电剂的体积为1.3ml。

实施例3条件1。使用测试装置7，电极加载15kHz、占空比0.7的脉动直流。在表面放电过程中峰值电压0.50kV，消耗功率45W

实施例3条件2。使用测试装置8，电极加载37kHz、占空比0.4的脉动直流。在表面放电过程中峰值电压0.41kV，消耗功率20W。

实施例3条件3。使用测试装置3，电极加载90kHz、占空比0.6的脉动直流。在表面放电过程中峰值电压0.26kV，消耗功率11W。

实施例3条件1～3的实施结果如图7。图中虚线为切换供电条件的分界线，自右向左划分条件1～3的实施结果，三种供电条件下不存在分布模式转变，如图7a～7c；该实施例不存在启动阶段，表面放电始终稳定发生；左下角箭头所指黑点为阴极电极接触点，阴极表面放电始终未发展。实施例2中采用的导电剂具有启动阶段，实线右上部分是对应的启动区，表面放电在实线另一侧发生启动阶段自恢复，可观察到分布模式从启动区向左下方向逐渐显现并覆盖试样表面。

实施例4

本实施例说明制品导电表层放电消耗的电功率对表面放电发展速度、放电带宽度、主要放电痕迹宽度的影响，并说明确定条件下较优的实施范围。

实施例4条件1。采用实施例1的导电剂，向测试范围内施加导电剂0.5ml/次，调整PWM参数改变表面放电时制品表面消耗的电功率P，计量表面放电发展速度V、放电带宽度D、主要放电痕迹宽度d，所用导电剂在测试条件下没有启动阶段，测试结果见图8和图14。

结合测试过程与图14说明测试结果。随表面放电时制品表面消耗的电功率P升高，放电带宽度D和表面放电发展速度V增大；P<28W时放电痕迹覆盖制品表面需要较长时间，主要放电痕迹在表面放电期间持续释放热量，容易掩盖次要放电痕迹；P≥56时，热量来不及散发，导致制品表面易燃烧。因此测试条件下较优的实施功率位于34～56W内。

实施例4条件2。采用实施例2的导电剂，向测试范围内施加导电剂0.65ml/次，调整PWM参数改变表面放电时制品表面消耗的电功率P，计量表面放电发展速度V、放电带宽度D、主要放电痕迹宽度d，该导电剂在测试条件存在启动阶段，记录启动区长度L，测试结果见图9和图15。

结合测试过程与图15说明测试结果。随表面放电时制品表面消耗的电功率P升高，放电带宽度D和表面放电发展速度V增大，主要放电痕迹宽度d从P＝22W后有减小的趋势。导电剂对应的启动区长度L在测试条件下可重复，启动阶段在P接近下限时消失，启动区长度L的上升幅度随P上升减缓。由于P≥48W时制品表面热量来不及散发而易燃烧，P过低时主要放电痕迹容易掩盖次要放电痕迹，测试条件下较优的实施方法为，在P∈[10,15]W的情况下启动，待表面放电发展1～2cm确认启动区不存在或启动区结束后，调整PWM发生器频率或占空比，如降低PWM频率，令P位于36～48W内。

实施例4条件3。采用实施例3的导电剂，向测试范围内施加导电剂0.65ml/次，调整PWM参数改变表面放电时制品表面消耗的电功率P，计量表面放电发展速度V、放电带宽度D、主要放电痕迹宽度d，所用导电剂在测试条件存在启动阶段，记录启动区长度L，测试结果见图10和图16。

结合测试过程与图16说明测试结果。导电剂对应的放电带为点状放电，随表面放电时制品表面消耗的电功率P升高，仅有表面放电发展速度V增大，其余变量无明显变化趋势。当P>32W时，导电剂对应的启动区长度L在测试条件下无法重复，L总体上的变化规律与P无关，分布于[0.5,3.0]cm经验范围内，在P接近下限时相对较短。由于P≥42W时制品表面热量来不及散发而易燃烧，且表面放电发展速度V可重复，因此在测试条件下较优的实施方法为，在P∈[10,16]W的情况下启动，待启动阶段结束后调整PWM发生器频率或占空比，如降低PWM频率，令P位于24～42W内。

实施例5

本实施例的条件1和2说明正负电极间空载时峰值电压高于3kV的影响，条件3说明添加物的作用，并从启动阶段抑制方面说明本发明采用装置结构的优点。本实施例采用未出现启动阶段的实施例1中导电剂，向测试范围内施加导电剂0.5ml/次；以及具有启动阶段的实施例3中导电剂，向测试范围内施加导电剂0.65ml/次。

实施例5条件1。首先对于实施例1中导电剂，使用对照用装置时出现表面放电失控的现象，表现为基于阳极末端的闪络放电，如图11a箭头处，闪络放电将制品表面导电表层击毁并灼烧制品表面，留下破坏性碳化痕迹，如图11b右侧黑色区域，闪络放电随制品表面导电表层的丧失自行熄灭，未发生启动阶段自恢复现象，闪络放电熄灭后电极间处于空载状态。

为尝试引发表面放电和减少重试的次数，将测试方法改为：每当闪络放电发生时即关断对照用装置的供电，补充缺失的导电剂后再向装置供电，补充过的导电剂覆盖被碳化的部分。表面放电在第5次重试时出现并正常推进直至测试结束，并烧毁部分制品表面，即图11c右侧黑色区域。在表面放电期间，电极间峰值电压900V，频率22kHz，制品表面消耗电功率P53W，V＝1.9mm/s。与实施例4图14中数值相比，P落在较优的实施功率范围内，靠近P＝56W的测试点，但表面放电发展速度V相当于应用测试装置时P＝42W的情况。

实施例5条件2。对于实施例3中导电剂，使用对照装置时出现表面放电失控的现象，表现为基于阳极末端的闪络放电(图12a箭头)，闪络放电将制品表面导电表层击毁并灼烧制品表面，采用实施例5条件1中修改过的测试方法，表面放电在第4次重试时出现，在表面放电将要稳定时再度失控(图12b箭头)，由于放电痕迹已经靠近阴极而终止测试，结果如图12c，修饰失败。

实施例5条件3。对于实施例3中导电剂，在不加入添加物的情况下使用测试装置，表面放电时制品表面消耗的电功率同实施例4条件3的第二个测试点(结果如图13a)，结果如图13b，启动区长度4.1cm，超出实施例4条件3中L∈[0.5,3.0]cm的经验范围，图中白色虚线右侧为启动区。在加入添加物的情况下使用测试装置，向电极两端提供87kHz，占空比0.5的脉动直流，在表面放电发生时制品表面消耗电功率6.5W，待放电痕迹发展处2cm后降低PWM频率以提高制品表面消耗的电功率P直至测试结束，结果如图13c，启动区被消除。

一种获得高压电表面单极性放电痕迹的方法与装置专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。