专利摘要
本实用新型公开了一种基于二氧化钒的超材料太赫兹可调吸收器，包括多个吸收单元，每个所述吸收单元包括：图案层，包括两个垂直相交的椭圆形结构的二氧化钒层；介质层，设置在所述二氧化钒层的下方；反射层，设置在所述介质层的下方，所述反射层的厚度大于趋肤深度用以实现完全反射，本公开通过采用两个垂直相交的椭圆形结构的二氧化钒层，可以实现宽带的完美吸收效果，二氧化钒为相变材料，通过温度的改变可以使二氧化钒在绝缘体相与金属相之间转换，从而改变电导率，可实现改变吸收器的吸收率的功能。
权利要求
1.一种基于二氧化钒的超材料太赫兹可调吸收器，其特征在于，包括多个吸收单元，每个所述吸收单元包括：
图案层，包括两个垂直相交的椭圆形结构的二氧化钒层；
介质层，设置在所述二氧化钒层的下方；
反射层，设置在所述介质层的下方，所述反射层的厚度大于趋肤深度用以实现完全反射。
2.根据权利要求1所述的基于二氧化钒的超材料太赫兹可调吸收器，其特征在于，所述二氧化钒层的工作温度为300K至350K之间，所述二氧化钒层的电导率在2×10
3.根据权利要求1所述的基于二氧化钒的超材料太赫兹可调吸收器，其特征在于，多个所述吸收单元周期性排列在基底层上。
4.根据权利要求1至3任一项所述的基于二氧化钒的超材料太赫兹可调吸收器，其特征在于，两个垂直相交的椭圆形结构的二氧化钒层的厚度相同。
5.根据权利要求4所述的基于二氧化钒的超材料太赫兹可调吸收器，其特征在于，所述二氧化钒层的厚度为80*(1±5％)nm。
6.根据权利要求4所述的基于二氧化钒的超材料太赫兹可调吸收器，其特征在于，所述二氧化钒层的椭圆长半轴长度为14*(1±5％)μm，所述二氧化钒层的椭圆短半轴长度为8*(1±5％)μm。
7.根据权利要求4所述的基于二氧化钒的超材料太赫兹可调吸收器，其特征在于，所述介质层的横截面为正方形，所述正方形的边长为30μm。
8.根据权利要求1至3任一项所述的基于二氧化钒的超材料太赫兹可调吸收器，其特征在于，所述介质层的厚度为12*(1±5％)μm，介电常数为ε＝3.8。
9.根据权利要求1至3任一项所述的基于二氧化钒的超材料太赫兹可调吸收器，其特征在于，所述反射层为金属反射层，所述金属反射层材质包括以下之一：铜、银、铝、金。
10.根据权利要求9所述的基于二氧化钒的超材料太赫兹可调吸收器，其特征在于，所述反射层材质为金，所述反射层厚度为0.1μm至0.2μm，电导率为4.56×10
基于二氧化钒的超材料太赫兹可调吸收器专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
动态评分
0.0