专利摘要
本发明提供用于形成在半导体装置的制造中使用的抗蚀剂下层膜等的薄膜形成用组合物。而且，提供能够使在极紫外光刻中不受欢迎的UV光在抵达抗蚀剂层前就被抗蚀剂上层存在的薄膜高效吸收的抗蚀剂上层膜、以及极紫外抗蚀剂用下层膜(硬掩模)、图案反转材料、溶剂显影用抗蚀剂的下层膜。本发明提供了一种在光刻工序中与抗蚀剂一起使用的薄膜形成用组合物，是含有以下混合物、该混合物的水解物、或该混合物的水解缩合物的组合物，所述混合物是钛化合物(A)和硅化合物(B)的混合物，所述钛化合物(A)选自下述式(1)所表示的化合物、钛络合物、和水解性钛二聚体，所述硅化合物(B)以下述式(2)表示，相对于该组合物中的以Ti原子和Si原子换算的总计摩尔数，Ti原子的摩尔数为50％～90％。ROaTi(R1)(4-a)式(1)，R2a'R3bsi(R4)4-(a'+b)式(2)。
权利要求
1.一种在光刻工序中与抗蚀剂一起使用的薄膜形成用组合物，是含有以下混合物、该混合物的水解物、或该混合物的水解缩合物的组合物，所述混合物是钛化合物(A)和硅化合物(B)的混合物，
所述钛化合物(A)选自下述式(1)所表示的化合物、钛络合物、和水解性钛二聚体，
ROaTi(R1)(4-a) 式(1)
式(1)中，R0表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、脂肪族烯基，或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、或氰基的有机基团，其通过Ti-C键与钛原子键合，R1表示烷氧基、酰氧基或卤原子，a表示整数0～2；
所述硅化合物(B)以下述式(2)表示，
R2a'R3bsi(R4)4-(a'+b) 式(2)
式(2)中，R2表示带氮原子的环基或含有它的有机基团、芳香族稠环基或含有它的有机基团、被保护了的酚性羟基或含有它的有机基团、或者联芳基或含有它的有机基团，其通过Si-C键与硅原子键合，R3表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、脂肪族烯基，或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、或氰基的有机基团，其通过Si-C键或Si-N键与硅原子键合，R4表示烷氧基、酰氧基、或卤原子，a’表示整数1，b表示整数0或1，(a’＋b)表示整数1或2，
相对于该组合物中的以Ti原子和Si原子换算的总计摩尔数，Ti原子的摩尔数为50％～90％。
2.如权利要求1所述的薄膜形成用组合物，所述薄膜形成用组合物含有以下混合物、该混合物的水解物、或该混合物的水解缩合物，所述混合物是选自上述式(1)所表示的化合物、钛络合物和水解性钛二聚体中的钛化合物(A)、上述式(2)所表示的硅化合物(B)和下述式(3)所表示的硅化合物(C)的混合物，
R5a”Si(R6)4-a” 式(3)
式(3)中，R5表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、脂肪族烯基，或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、磺酰基、硫醚键、醚键、酯键、磺酰胺基、或氰基的有机基团，其通过Si-C键与硅原子键合，R6表示烷氧基、酰氧基或卤原子，a’’表示整数0～3。
3.如权利要求1或2所述的薄膜形成用组合物，所述带氮原子的环基或含有它的有机基团是式(4)所示的有机基团，其通过Si-C键与硅原子键合，
式(4)中，R7表示氢原子、或碳原子数1～10的烷基、脂肪族烯基、环氧基、磺酰基、或含有它们的有机基团，R8表示碳原子数1～10的亚烷基、羟基亚烷基、硫醚键、醚键、酯键、或它们的组合，X1表示式(5)、式(6)、或式(7)所示的基团，
在式(5)、式(6)和式(7)中，R9～R13分别独立地表示氢原子、或碳原子数1～10的烷基、脂肪族烯基、环氧基、磺酰基、或含有它们的有机基团。
4.如权利要求1或2所述的薄膜形成用组合物，所述带氮原子的环基或含有它的有机基团为咪唑基或含有咪唑基的有机基团。
5.如权利要求1或2所述的薄膜形成用组合物，所述芳香族稠环基或含有它的有机基团为萘基或蒽基。
6.如权利要求1或2所述的薄膜形成用组合物，所述被保护了的酚性羟基或含有它的有机基团为烷氧基烷基取代芳基、或烷氧基烷氧基烷基取代芳基。
7.如权利要求1或2所述的薄膜形成用组合物，所述联芳基或含有它的有机基团为联苯基。
8.如权利要求1～7的任一项所述的薄膜形成用组合物，还含有β-二酮和/或β-酮酯。
9.如权利要求1～8的任一项所述的薄膜形成用组合物，还含有酸。
10.如权利要求1～9的任一项所述的薄膜形成用组合物，还含有盐。
11.如权利要求1～10的任一项所述的薄膜形成用组合物，还含有水。
12.一种薄膜，通过在半导体基板上涂布权利要求1～11的任一项所述的薄膜形成用组合物，并进行烘焙，从而得到。
13.一种半导体装置的制造方法，包含以下工序：
在半导体基板上涂布权利要求1～11的任一项所述的薄膜形成用组合物，并进行烘焙，而形成薄膜的工序；
在该薄膜上涂布抗蚀剂用组合物，而形成抗蚀剂膜的工序；
使该抗蚀剂膜曝光的工序；
在曝光后使该抗蚀剂膜显影，而得到抗蚀剂图案的工序；
通过该抗蚀剂图案对薄膜进行蚀刻的工序；以及
通过图案化了的抗蚀剂膜和薄膜对半导体基板进行加工的工序。
14.一种半导体装置的制造方法，包含以下工序：
在半导体基板上形成有机下层膜的工序；
在该有机下层膜上涂布权利要求1～11的任一项所述的薄膜形成用组合物，并进行烘焙，而形成薄膜的工序；
在该薄膜上涂布抗蚀剂用组合物，而形成抗蚀剂膜的工序；
使该抗蚀剂膜曝光的工序；
在曝光后使该抗蚀剂膜显影，而得到抗蚀剂图案的工序；
通过该抗蚀剂图案对薄膜进行蚀刻的工序；
通过图案化了的薄膜对有机下层膜进行蚀刻的工序；以及
通过图案化了的有机下层膜对半导体基板进行加工的工序。
15.一种半导体装置的制造方法，包含以下工序：
在半导体基板上形成有机下层膜的工序；
在该有机下层膜上涂布权利要求1～11的任一项所述的薄膜形成用组合物，并进行烘焙，而形成薄膜的工序；
在该薄膜上涂布有机抗蚀剂下层膜形成用组合物，而形成有机抗蚀剂下层膜的工序；
在该有机抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂用组合物，而形成抗蚀剂膜的工序；
使该抗蚀剂膜曝光的工序；
在曝光后使该抗蚀剂膜显影，而得到抗蚀剂图案的工序；
通过该抗蚀剂图案对有机抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；
通过图案化了的有机抗蚀剂下层膜对薄膜进行蚀刻的工序；
通过图案化了的薄膜对有机下层膜进行蚀刻的工序；以及
通过图案化了的有机下层膜对半导体基板进行加工的工序。
16.一种半导体装置的制造方法，包含以下工序：
在基板上形成抗蚀剂图案的工序；
在抗蚀剂图案上涂布权利要求1～11的任一项所述的薄膜形成用组合物，并进行烘焙，而形成薄膜的工序；
对该薄膜进行蚀刻，而使抗蚀剂表面露出的工序；以及
对抗蚀剂图案进行蚀刻，而使图案反转的工序。
17.如权利要求13～16的任一项所述的制造方法，抗蚀剂为极紫外抗蚀剂。
18.一种半导体装置的制造方法，包含以下工序：
在半导体基板上涂布极紫外抗蚀剂用组合物，并进行烘焙，而形成极紫外抗蚀剂膜的工序；
在该极紫外抗蚀剂膜上涂布权利要求1～11的任一项所述的薄膜形成用组合物而形成薄膜的工序；
用极紫外曝光的工序；
在曝光后将极紫外抗蚀剂显影，而得到抗蚀剂图案的工序；以及
通过抗蚀剂图案对半导体基板进行加工的工序。
说明书
技术领域
本发明涉及在半导体装置的制造中用于在使用的基板和抗蚀剂(例如，光致抗蚀剂、电子束抗蚀剂、极紫外(EUV)抗蚀剂)之间形成下层膜的组合物。
而且，涉及用于形成被覆在极紫外抗蚀剂上层的、吸收极紫外带域外的波长光的薄膜的组合物。
背景技术
一直以来，在半导体装置的制造中，使用光致抗蚀剂通过光刻来进行微细加工。上述微细加工为在硅晶片等半导体基板上形成光致抗蚀剂的薄膜，在其上隔着描绘有半导体器件的图案的掩模图案而照射紫外线等活性光线，进行显影，将所得的光致抗蚀剂图案作为保护膜对基板进行蚀刻处理，从而在基板表面形成与上述图案对应的微细凹凸的加工法。然而，近年来，有半导体器件的高集成度化发展，所使用的活性光线也从KrF准分子激光(248nm)向ArF准分子激光(193nm)短波长化的倾向。与此相伴，活性光线从半导体基板的反射的影响成为大问题。
此外，作为半导体基板与光致抗蚀剂之间的下层膜，已经使用作为包含硅、钛等金属元素的硬掩模而被人们所知的膜(例如，参照专利文献1、专利文献2)。在该情况下，抗蚀剂与硬掩模，它们的构成成分具有大的差异，因此它们的通过干蚀刻而被除去的速度大大取决于干蚀刻所使用的气体种类。而且，通过适当地选择气体种类，能够在不会导致光致抗蚀剂的膜厚的大幅减少的情况下通过干蚀刻而除去硬掩模。
这样，在近年来的半导体装置的制造中，为了实现以防反射效果为代表的各种效果，已经逐渐开始在半导体基板与光致抗蚀剂之间配置抗蚀剂下层膜。而且，迄今为止也已经对抗蚀剂下层膜用的组合物进行了研究，但由于其所要求的特性的多样性等，因此期望开发出抗蚀剂下层膜用的新材料。
而且在极紫外光刻法中公开了以下方法：为了使极紫外抗蚀剂不受污染物质破坏而得到保护、或为了阻断不受欢迎的辐射线例如UV(紫外线)或DUV(深紫外线)，而在极紫外抗蚀剂上层含有选自铍、硼、碳、硅、锆、铌和钼中的1种以上的聚合物(专利文献3、专利文献4)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平11-258813号公报
专利文献2:日本特开2007-163846号公报
专利文献3:日本特开2004-348133号公报
专利文献4:日本特开2008-198788号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的是提供能够在半导体装置的制造中使用的、在光刻工序中与抗蚀剂(光致抗蚀剂、电子束抗蚀剂、极紫外抗蚀剂)一起使用的薄膜形成用组合物。具体地是提供用于形成能够作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。而且，提供用于形成能够用作防反射膜的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。而且，提供不与抗蚀剂发生掺合、具有比抗蚀剂大的干蚀刻速度的光刻用抗蚀剂下层膜和用于形成该下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。
而且，提供一种极紫外抗蚀剂上层膜形成用组合物，其在极紫外光刻中、在不受欢迎的UV光抵达极紫外抗蚀剂层之前，通过用在极紫外抗蚀剂上层存在的薄膜将UV光有效进行吸收，从而能够抑制由例如190～300nm、190～250nm、尤其200～240nm附近的波长光造成极紫外抗蚀剂的灵敏度降低或图案形状的老化。或提供作为在极紫外抗蚀剂的下层存在的薄膜的极紫外抗蚀剂用下层膜(硬掩模)，此外，还提供溶剂显影用抗蚀剂的下层膜形成用组合物。进而提供图案反转材料。
即、本发明提供可以作为光致抗蚀剂等的抗蚀剂下层膜形成用组合物、极紫外抗蚀剂等的抗蚀剂下层膜形成用组合物、极紫外抗蚀剂上层膜形成用组合物、图案反转材料形成用组合物、溶剂显影用抗蚀剂的下层膜形成用组合物等使用的、用于形成薄膜的组合物。
解决课题的手段
本发明的观点1，是一种在光刻工序中与抗蚀剂一起使用的薄膜形成用组合物，是含有以下混合物、该混合物的水解物、或该混合物的水解缩合物的组合物，所述混合物是钛化合物(A)和硅化合物(B)的混合物，
所述钛化合物(A)选自下述式(1)所表示的化合物、钛络合物、和水解性钛二聚体，
ROaTi(R1)(4-a) 式(1)
式(1)中，R0表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、脂肪族烯基，或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、或氰基的有机基团，其通过Ti-C键与钛原子键合，R1表示烷氧基、酰氧基或卤原子，a表示整数0～2；
所述硅化合物(B)以下述式(2)表示，
R2a，R3bSi(R4)4-(a，+b) 式(2)
式(2)中，R2表示带氮原子的环基或含有它的有机基团、芳香族稠环基或含有它的有机基团、被保护了的酚性羟基或含有它的有机基团、或者联芳基或含有它的有机基团，其通过Si-C键与硅原子键合，R3表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、脂肪族烯基，或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、或氰基的有机基团，其通过Si-C键或Si-N键与硅原子键合，R4表示烷氧基、酰氧基、或卤原子，a’表示整数1，b表示整数0或1，(a’＋b)表示整数1或2，
相对于该组合物中的以Ti原子和Si原子换算的总计摩尔数，Ti原子的摩尔数为50％～90％。
作为观点2，是如观点1所述的薄膜形成用组合物，所述薄膜形成用组合物含有以下混合物、该混合物的水解物、或该混合物的水解缩合物，所述混合物是选自上述式(1)所表示的化合物、钛络合物和水解性钛二聚体中的钛化合物(A)、上述式(2)所表示的硅化合物(B)和下述式(3)所表示的硅化合物(C)的混合物，
R5a”Si(R6)4-a” 式(3)
式(3)中，R5表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、脂肪族烯基，或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、磺酰基、硫醚键、醚键、酯键、磺酰胺基、或氰基的有机基团，其通过Si-C键与硅原子键合，R6表示烷氧基、酰氧基或卤原子，a’’表示整数0～3。
作为观点3，是如观点1或2所述的薄膜形成用组合物，所述带氮原子的环基或含有它的有机基团是式(4)所示的有机基团，其通过Si-C键与硅原子键合，
式(4)中，R7表示氢原子、或碳原子数1～10的烷基、脂肪族烯基、环氧基、磺酰基、或含有它们的有机基团，R8表示碳原子数1～10的亚烷基、羟基亚烷基、硫醚键、醚键、酯键、或它们的组合，X1表示式(5)、式(6)、或式(7)所示的基团，
在式(5)、式(6)和式(7)中，R9～R13分别独立地表示氢原子、或碳原子数1～10的烷基、脂肪族烯基、环氧基、磺酰基、或含有它们的有机基团。
作为观点4，是如观点1或2所述的薄膜形成用组合物，所述带氮原子的环基或含有它的有机基团为咪唑基或含有咪唑基的有机基团。
作为观点5，是如观点1或2所述的薄膜形成用组合物，所述芳香族稠环基或含有它的有机基团为萘基或蒽基。
作为观点6，是如观点1或2所述的薄膜形成用组合物，所述被保护了的酚性羟基或含有它的有机基团为烷氧基烷基取代芳基、或烷氧基烷氧基烷基取代芳基。
作为观点7，是如观点1或2所述的薄膜形成用组合物，所述联芳基或含有它的有机基团为联苯基。
作为观点8，是如观点1～7的任一项所述的薄膜形成用组合物，还含有β-二酮和/或β-酮酯。
作为观点9，是如观点1～8的任一项所述的薄膜形成用组合物，还含有酸。
作为观点10，是如观点1～9的任一项所述的薄膜形成用组合物，还含有盐。
作为观点11，是如观点1～10的任一项所述的薄膜形成用组合物，还含有水。
作为观点12，是一种薄膜，通过在半导体基板上涂布观点1～11的任一项所述的薄膜形成用组合物，并进行烘焙，从而得到。
作为观点13，是一种半导体装置的制造方法，包含以下工序：在半导体基板上涂布观点1～11的任一项所述的薄膜形成用组合物，并进行烘焙，而形成薄膜的工序；在该薄膜上涂布抗蚀剂用组合物，而形成抗蚀剂膜的工序；使该抗蚀剂膜曝光的工序；在曝光后使该抗蚀剂膜显影，而得到抗蚀剂图案的工序；通过该抗蚀剂图案对薄膜进行蚀刻的工序；以及通过图案化了的抗蚀剂膜和薄膜对半导体基板进行加工的工序。
作为观点14，是一种半导体装置的制造方法，包含以下工序：在半导体基板上形成有机下层膜的工序；在该有机下层膜上涂布观点1～11的任一项所述的薄膜形成用组合物，并进行烘焙，而形成薄膜的工序；在该薄膜上涂布抗蚀剂用组合物，而形成抗蚀剂膜的工序；使该抗蚀剂膜曝光的工序；在曝光后使该抗蚀剂膜显影，而得到抗蚀剂图案的工序；通过该抗蚀剂图案对薄膜进行蚀刻的工序；通过图案化了的薄膜对有机下层膜进行蚀刻的工序；以及通过图案化了的有机下层膜对半导体基板进行加工的工序。
作为观点15，是一种半导体装置的制造方法，包含以下工序：在半导体基板上形成有机下层膜的工序；在该有机下层膜上涂布观点1～11的任一项所述的薄膜形成用组合物，并进行烘焙，而形成薄膜的工序；在该薄膜上涂布有机抗蚀剂下层膜形成用组合物，而形成有机抗蚀剂下层膜的工序；在该有机抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂用组合物，而形成抗蚀剂膜的工序；使该抗蚀剂膜曝光的工序；在曝光后使该抗蚀剂膜显影，而得到抗蚀剂图案的工序；通过该抗蚀剂图案对有机抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；通过图案化了的有机抗蚀剂下层膜对薄膜进行蚀刻的工序；通过图案化了的薄膜对有机下层膜进行蚀刻的工序；以及通过图案化了的有机下层膜对半导体基板进行加工的工序。
作为观点16，是一种半导体装置的制造方法，包含以下工序：在基板上形成抗蚀剂图案的工序；在抗蚀剂图案上涂布观点1～11的任一项所述的薄膜形成用组合物，并进行烘焙，而形成薄膜的工序；对该薄膜进行蚀刻，而使抗蚀剂表面露出的工序；以及对抗蚀剂图案进行蚀刻，而使图案反转的工序。
作为观点17，是如观点13～16的任一项所述的制造方法，抗蚀剂为极紫外抗蚀剂。
作为观点18，是一种半导体装置的制造方法，包含以下工序：在半导体基板上涂布极紫外抗蚀剂用组合物，并进行烘焙，而形成极紫外抗蚀剂膜的工序；在该极紫外抗蚀剂膜上涂布观点1～11的任一项所述的薄膜形成用组合物而形成薄膜的工序；用极紫外曝光的工序；在曝光后将极紫外抗蚀剂显影，而得到抗蚀剂图案的工序；以及通过抗蚀剂图案对半导体基板进行加工的工序。
发明效果
本发明中通过涂布法在基板上形成上述薄膜，或隔着基板上的有机下层膜通过涂布法在其上形成上述薄膜，再在该薄膜上形成抗蚀剂膜(例如，光致抗蚀剂、电子束抗蚀剂、极紫外抗蚀剂)。然后通过曝光和显影形成抗蚀剂图案，使用该抗蚀剂图案对上述薄膜进行干蚀刻，从而进行图案的转印，通过该图案对基板进行加工，或通过对有机下层膜进行蚀刻来转印图案，通过该有机下层膜对基板进行加工。
在要形成微细的图案时，为了防止图案倒塌有使抗蚀剂膜厚变薄的倾向。用于通过抗蚀剂的薄膜化使存在于其下层的膜转印图案的干蚀刻，如果蚀刻速度比上层的膜还高，则不能进行图案转印。本发明中在基板上隔着有机下层膜、或不隔着有机下层膜，在基板上被覆本发明的薄膜(含有无机类钛-硅系化合物)，在本发明的薄膜上被覆抗蚀剂膜(有机抗蚀剂膜)。有机类成分的膜和无机类成分的膜，根据蚀刻气体的选择不同而干蚀刻速度大大不同，有机类成分的膜用氧系气体时干蚀刻速度高，无机类成分的膜在用含卤素的气体时干蚀刻速度高。
例如抗蚀剂图案形成后，将在其下层存在的本发明的薄膜用含卤素的气体进行干蚀刻，向薄膜转印图案，借助在该薄膜上转印的图案使用含卤素的气体对基板进行加工。或、使用转印图案了的薄膜，用氧系气体对其下层的有机下层膜进行干蚀刻，从而对有机下层膜进行图案转印，借助该转印了图案的有机下层膜，使用含卤素的气体对基板进行加工。
本发明中的该薄膜作为抗蚀剂下层膜具有硬掩模功能，上述式(1)、(2)和(3)所表示的化合物的结构中的烷氧基、酰氧基、卤基等水解性基进行水解或部分水解，然后进行羟基的缩合反应，会生成聚钛氧烷(Titanoxane)(Ti-O-Ti结构)或聚有机硅氧烷(Si-O-Si结构)或Ti-O-Si结构的共聚物。本发明的薄膜以Ti-O-Si结构的共聚物作为主成分，但也可以含有聚钛氧烷(Ti-O-Ti结构)、聚有机硅氧烷(Si-O-Si结构)。这些结构具有充分的防反射功能和充分的硬掩模功能。
而且，无机聚合物(中间膜)，在对其下存在的有机下层膜的蚀刻中或对基板的加工(蚀刻)中可以有效地作为硬掩模。即、相对于基板加工时或有机下层膜的氧系干蚀刻气体具有充分的耐干蚀刻性。
本发明的薄膜，具有相对于它们的上层抗蚀剂的干蚀刻速度提高性和基板加工时等的耐干蚀刻性。
而且，本发明的薄膜形成用组合物，作为极紫外抗蚀剂上层膜不会与极紫外抗蚀剂发生掺和，在进行极紫外曝光之际能够阻断不受欢迎的曝光光线例如UV、DUV而仅选择性透过极紫外光，此外可以作为在曝光后能够用显影液显影的极紫外抗蚀剂上层的膜形成用组合物使用。
在极紫外抗蚀剂的曝光之际，与极紫外光一起，UV光、DUV光也被放射出来的。该极紫外光中含有极紫外光以外的300nm以下的波长的光5％左右，例如190～300nm、190～250nm、尤其200～240nm附近的波长光会造成极紫外抗蚀剂的灵敏度降低和图案形状的劣化。在线宽为22nm以下时，开始出现该UV光和DUV光(OUT of BAND/带域外放射)的影响，对极紫外抗蚀剂的图像形成性造成不良影响。
为了除去200～240nm附近的波长光，有在光刻体系中设置滤波器的方法，但工序上复杂。本发明中能够用抗蚀剂上层的薄膜吸收极紫外曝光光线中含有的OUT of BAND光(带域外放射)、尤其是200～240nm的不受欢迎的DUV光，提高极紫外抗蚀剂的图像形成性。由于氧化钛能够选择性地有效吸收该200～240nm附近的DUV光，所以在极紫外抗蚀剂上层的薄膜中使用的无机聚合物优选含氧化钛。
并且，由于在曝光后的显影时能够与极紫外抗蚀剂一起溶解在显影液(例如，碱性显影液)中，所以能够通过显影液进行溶解除去。
而且，作为极紫外抗蚀剂的下层膜，作为与极紫外抗蚀剂不发生掺和，能够防止在极紫外曝光之际不受欢迎的曝光光线例如上述UV或DUV从基板或界面反射的极紫外抗蚀剂的下层防反射膜，可以使用本发明的薄膜形成用组合物。能够用极紫外抗蚀剂的下层有效防止反射。
而且，本发明的薄膜形成用组合物可以作为图案反转材料使用。图案反转材料是在基板上形成的抗蚀剂图案上被覆本发明的薄膜形成用组合物，使其干燥而形成薄膜。然后对薄膜进行反蚀刻使抗蚀剂图案面露出，用能够选择性除去抗蚀剂的气体(例如，氧系气体)进行干蚀刻而仅留下薄膜层，由此使图案反转。
附图说明
图1是实施例1中得到的抗蚀剂图案的截面的电镜照片。
图2是比较例1中得到的抗蚀剂图案的截面的电镜照片。
具体实施方式
本发明是在光刻工序中与抗蚀剂一起使用的薄膜形成用组合物，是含有以下混合物、该混合物的水解物、或该混合物的水解缩合物的组合物，所述混合物是由选自上述式(1)所表示的化合物、钛络合物、和水解性钛二聚体中的钛化合物(A)与上述式(2)所表示的硅化合物(B)形成的混合物，相对于该组合物中的以Ti原子和Si原子换算的总计摩尔数，Ti原子的摩尔数为50％～90％、优选是55％～90％、更优选是60％～90％。
而且，本发明是在光刻工序中与抗蚀剂一起使用的薄膜形成用组合物，是含有以下混合物、该混合物的水解物、或该混合物的水解缩合物的组合物，所述混合物是由选自上述式(1)所表示的化合物、钛络合物和水解性钛二聚体中的钛化合物(A)、和上述式(2)所表示的硅化合物(B)以及上述式(3)所表示的硅化合物(C)形成的混合物，相对于该组合物中的以Ti原子和Si原子换算的总计摩尔数，Ti原子的摩尔数为50～90％、优选是55％～90％、更优选是60％～90％。
在使用由选自上述式(1)所表示的化合物、钛络合物、和水解性钛二聚体中的钛化合物(A)、和上述式(2)所表示的硅化合物(B)以及上述式(3)所表示的硅化合物(C)形成的混合物时，在上述式(2)所表示的硅化合物(B)和上述式(3)所表示的硅化合物(C)的硅化合物的全体中，式(2)所表示的硅化合物(B)的比例小于50摩尔％、例如是0.5～40摩尔％的比例。
本发明的薄膜形成用组合物含有以下混合物、该混合物的水解物或该混合物的水解缩合物，和溶剂，所述混合物由选自上述式(1)所表示的化合物、钛络合物、和水解性钛二聚体中的钛化合物(A)和上述式(2)所表示的硅化合物(B)、以及上述式(3)所表示的硅化合物(C)形成。
并且可以作为任意成分含有酸、水、醇、固化催化剂、产酸剂、其它的有机聚合物、吸光性化合物、和表面活性剂等。
本发明的薄膜形成用组合物中的固体成分占例如0.1～50质量％、或0.1质量％～30质量％、或0.1质量％～25质量％。在此固体成分是指从薄膜形成用组合物的全成分中去除溶剂成分后剩下的成分。
水解性钛、水解性有机硅烷、其水解物、和其水解缩合物在固体成分中所占据的比例是20质量％以上，例如50～100质量％、或60～100质量％、或70～100质量％。
本发明中使用的式(1)所表示的化合物(下文中也称作“水解性钛”。)中，R0表示通过Ti-C键与钛原子键合的，烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、脂肪族烯基，或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、或氰基的有机基团。R1表示烷氧基、酰氧基、或卤原子。a表示0～2的整数。
式(1)所表示的化合物，在a为0时优选使用。
作为上述烷基，可以列举出直链或支链的碳原子数1～10的烷基、可以列举出例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、正戊基、1-甲基-正丁基、2-甲基-正丁基、3-甲基-正丁基、1,1-二甲基-正丙基、1,2-二甲基-正丙基、2,2-二甲基-正丙基、1-乙基-正丙基、正己基、1-甲基-正戊基、2-甲基-正戊基、3-甲基-正戊基、4-甲基-正戊基、1,1-二甲基-正丁基、1,2-二甲基-正丁基、1,3-二甲基-正丁基、2,2-二甲基-正丁基、2,3-二甲基-正丁基、3,3-二甲基-正丁基、1-乙基-正丁基、2-乙基-正丁基、1,1,2-三甲基-正丙基、1,2,2-三甲基-正丙基、1-乙基-1-甲基-正丙基和1-乙基-2-甲基-正丙基等。
此外上述烷基可以使用环状烷基，例如作为碳原子数1～10的环状烷基，可以列举出环丙基、环丁基、1-甲基-环丙基、2-甲基-环丙基、环戊基、1-甲基-环丁基、2-甲基-环丁基、3-甲基-环丁基、1,2-二甲基-环丙基、2,3-二甲基-环丙基、1-乙基-环丙基、2-乙基-环丙基、环己基、1-甲基-环戊基、2-甲基-环戊基、3-甲基-环戊基、1-乙基-环丁基、2-乙基-环丁基、3-乙基-环丁基、1,2-二甲基-环丁基、1,3-二甲基-环丁基、2,2-二甲基-环丁基、2,3-二甲基-环丁基、2,4-二甲基-环丁基、3,3-二甲基-环丁基、1-正丙基-环丙基、2-正丙基-环丙基、1-异丙基-环丙基、2-异丙基-环丙基、1,2,2-三甲基-环丙基、1,2,3-三甲基-环丙基、2,2,3-三甲基-环丙基、1-乙基-2-甲基-环丙基、2-乙基-1-甲基-环丙基、2-乙基-2-甲基-环丙基和2-乙基-3-甲基-环丙基等。
此外，作为碳原子数1～10的亚烷基可以例示出，由上述烷基衍生的亚烷基。
作为上述芳基可以列举出碳原子数6～20的芳基，可以列举出例如苯基、邻甲基苯基、间甲基苯基、对甲基苯基、邻氯苯基、间氯苯基、对氯苯基、邻氟苯基、对巯基苯基、邻甲氧基苯基、对甲氧基苯基、对氨基苯基、对氰基苯基、α-萘基、β-萘基、邻联苯基、间联苯基、对联苯基、1-蒽基、2-蒽基、9-蒽基、1-菲基、2-菲基、3-菲基、4-菲基和9-菲基。
作为上述脂肪族烯基可以列举出碳原子数2～10的脂肪族烯基，可以列举出例如乙烯基、1-丙烯基、2-丙烯基、1-甲基-1-乙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、2-甲基-1-丙烯基、2-甲基-2-丙烯基、1-乙基乙烯基、1-甲基-1-丙烯基、1-甲基-2-丙烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-正丙基乙烯基、1-甲基-1-丁烯基、1-甲基-2-丁烯基、1-甲基-3-丁烯基、2-乙基-2-丙烯基、2-甲基-1-丁烯基、2-甲基-2-丁烯基、2-甲基-3-丁烯基、3-甲基-1-丁烯基、3-甲基-2-丁烯基、3-甲基-3-丁烯基、1,1-二甲基-2-丙烯基、1-异丙基乙烯基、1,2-二甲基-1-丙烯基、1,2-二甲基-2-丙烯基、1-环戊烯基、2-环戊烯基、3-环戊烯基、1-己烯基、2-己烯基、3-己烯基、4-己烯基、5-己烯基、1-甲基-1-戊烯基、1-甲基-2-戊烯基、1-甲基-3-戊烯基、1-甲基-4-戊烯基、1-正丁基乙烯基、2-甲基-1-戊烯基、2-甲基-2-戊烯基、2-甲基-3-戊烯基、2-甲基-4-戊烯基、2-正丙基-2-丙烯基、3-甲基-1-戊烯基、3-甲基-2-戊烯基、3-甲基-3-戊烯基、3-甲基-4-戊烯基、3-乙基-3-丁烯基、4-甲基-1-戊烯基、4-甲基-2-戊烯基、4-甲基-3-戊烯基、4-甲基-4-戊烯基、1,1-二甲基-2-丁烯基、1,1-二甲基-3-丁烯基、1,2-二甲基-1-丁烯基、1,2-二甲基-2-丁烯基、1,2-二甲基-3-丁烯基、1-甲基-2-乙基-2-丙烯基、1-仲丁基乙烯基、1,3-二甲基-1-丁烯基、1,3-二甲基-2-丁烯基、1,3-二甲基-3-丁烯基、1-异丁基乙烯基、2,2-二甲基-3-丁烯基、2,3-二甲基-1-丁烯基、2,3-二甲基-2-丁烯基、2,3-二甲基-3-丁烯基、2-异丙基-2-丙烯基、3,3-二甲基-1-丁烯基、1-乙基-1-丁烯基、1-乙基-2-丁烯基、1-乙基-3-丁烯基、1-正丙基-1-丙烯基、1-正丙基-2-丙烯基、2-乙基-1-丁烯基、2-乙基-2-丁烯基、2-乙基-3-丁烯基、1,1,2-三甲基-2-丙烯基、1-叔丁基乙烯基、1-甲基-1-乙基-2-丙烯基、1-乙基-2-甲基-1-丙烯基、1-乙基-2-甲基-2-丙烯基、1-异丙基-1-丙烯基、1-异丙基-2-丙烯基、1-甲基-2-环戊烯基、1-甲基-3-环戊烯基、2-甲基-1-环戊烯基、2-甲基-2-环戊烯基、2-甲基-3-环戊烯基、2-甲基-4-环戊烯基、2-甲基-5-环戊烯基、2-亚甲基-环戊基、3-甲基-1-环戊烯基、3-甲基-2-环戊烯基、3-甲基-3-环戊烯基、3-甲基-4-环戊烯基、3-甲基-5-环戊烯基、3-亚甲基-环戊基、1-环己烯基、2-环己烯基和3-环己烯基等。
而且，作为上述卤代烷基和上述卤代芳基，可以列举出上述烷基或芳基中的1个以上的氢原子被氟原子、氯原子、溴原子、或碘原子等卤原子取代了的烷基或芳基。
作为上述具有环氧基的有机基团，可以列举出缩水甘油醚氧基甲基、缩水甘油醚氧基乙基、缩水甘油醚氧基丙基、缩水甘油醚氧基丁基、环氧环己基等。
作为上述具有丙烯酰基的有机基团，可以列举出丙烯酰基甲基、丙烯酰基乙基、丙烯酰基丙基等。
作为上述具有甲基丙烯酰基的有机基团，可以列举出甲基丙烯酰甲基、甲基丙烯酰乙基、甲基丙烯酰丙基等。
作为上述具有巯基的有机基团，可以列举出巯基乙基、巯基丁基、巯基己基、巯基辛基等。
上述具有氨基的有机基团可以列举出，氨基甲基、氨基乙基、氨基丙基等。
作为上述具有氰基的有机基团，可以列举出氰基乙基、氰基丙基等。
作为具有磺酰基的有机基团，可以列举出甲磺酰基、烯丙基磺酰基、苯基磺酰基等。
作为上述烷氧基，可以列举出例如碳原子数1～30、或例如碳原子数1～10的烷氧基，可以列举出例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、1-甲基-正丁氧基、2-甲基-正丁氧基、3-甲基-正丁氧基、1,1-二甲基-正丙氧基、1,2-二甲基-正丙氧基、2,2-二甲基-正丙氧基、1-乙基-正丙氧基、正己基氧基、1-甲基-正戊基氧基、2-甲基-正戊基氧基、3-甲基-正戊基氧基、4-甲基-正戊基氧基、1,1-二甲基-正丁氧基、1,2-二甲基-正丁氧基、1,3-二甲基-正丁氧基、2,2-二甲基-正丁氧基、2,3-二甲基-正丁氧基、3,3-二甲基-正丁氧基、1-乙基-正丁氧基、2-乙基-正丁氧基、1,1,2-三甲基-正丙氧基、1,2,2,-三甲基-正丙氧基、1-乙基-1-甲基-正丙氧基、和1-乙基-2-甲基-正丙氧基、苯氧基等。
作为上述酰氧基，可以列举出例如碳原子数1～30、或例如碳原子数1～10的酰氧基，可以列举出例如甲基羰基氧基、乙基羰基氧基、正丙基羰基氧基、异丙基羰基氧基、环丙基羰基氧基、正丁基羰基氧基、异丁基羰基氧基、仲丁基羰基氧基、叔丁基羰基氧基、环丁基羰基氧基、1-甲基-环丙基羰基氧基、2-甲基-环丙基羰基氧基、正戊基羰基氧基、1-甲基-正丁基羰基氧基、2-甲基-正丁基羰基氧基、3-甲基-正丁基羰基氧基、1,1-二甲基-正丙基羰基氧基、1,2-二甲基-正丙基羰基氧基、2,2-二甲基-正丙基羰基氧基、1-乙基-正丙基羰基氧基、环戊基羰基氧基、1-甲基-环丁基羰基氧基、2-甲基-环丁基羰基氧基、3-甲基-环丁基羰基氧基、1,2-二甲基-环丙基羰基氧基、2,3-二甲基-环丙基羰基氧基、1-乙基-环丙基羰基氧基、2-乙基-环丙基羰基氧基、正己基羰基氧基、1-甲基-正戊基羰基氧基、2-甲基-正戊基羰基氧基、3-甲基-正戊基羰基氧基、4-甲基-正戊基羰基氧基、1,1-二甲基-正丁基羰基氧基、1,2-二甲基-正丁基羰基氧基、1,3-二甲基-正丁基羰基氧基、2,2-二甲基-正丁基羰基氧基、2,3-二甲基-正丁基羰基氧基、3,3-二甲基-正丁基羰基氧基、1-乙基-正丁基羰基氧基、2-乙基-正丁基羰基氧基、1,1,2-三甲基-正丙基羰基氧基、1,2,2-三甲基-正丙基羰基氧基、1-乙基-1-甲基-正丙基羰基氧基、1-乙基-2-甲基-正丙基羰基氧基、环己基羰基氧基、1-甲基-环戊基羰基氧基、2-甲基-环戊基羰基氧基、3-甲基-环戊基羰基氧基、1-乙基-环丁基羰基氧基、2-乙基-环丁基羰基氧基、3-乙基-环丁基羰基氧基、1,2-二甲基-环丁基羰基氧基、1,3-二甲基-环丁基羰基氧基、2,2-二甲基-环丁基羰基氧基、2,3-二甲基-环丁基羰基氧基、2,4-二甲基-环丁基羰基氧基、3,3-二甲基-环丁基羰基氧基、1-正丙基-环丙基羰基氧基、2-正丙基-环丙基羰基氧基、1-异丙基-环丙基羰基氧基、2-异丙基-环丙基羰基氧基、1,2,2-三甲基-环丙基羰基氧基、1,2,3-三甲基-环丙基羰基氧基、2,2,3-三甲基-环丙基羰基氧基、1-乙基-2-甲基-环丙基羰基氧基、2-乙基-1-甲基-环丙基羰基氧基、2-乙基-2-甲基-环丙基羰基氧基和2-乙基-3-甲基-环丙基羰基氧基等。
作为上述卤原子，可以列举出氟原子、氯基、溴原子、碘原子。
作为式(1)所表示的化合物(水解性钛化合物)，在R1表示烷氧基时，R1既可以是相同的烷氧基，也可以是不同的烷氧基。而且，在R1表示酰氧基或卤原子时，R1既可以是相同的酰氧基或卤素，也可以是不同的酰氧基或卤素。
作为式(1)所表示的化合物(水解性钛化合物)，可以列举出例如四甲氧基钛、四乙氧基钛、四异丙氧基钛、四正丁氧基钛、四异丁氧基钛、四-2-乙基己氧基钛、四(甲氧基丙氧基)钛、四苯氧基钛、四苄氧基钛、四苯基乙氧基钛、四苯氧基乙氧基钛、四萘氧基钛、四-2-乙基己氧基钛、单乙氧基三异丙氧基钛、二异丙氧基二异丁氧基钛、丙烯氧基(聚氧乙烯)三异丙氧基钛、三异丙氧基氯化钛、二乙氧基二氯化钛、2-乙基己氧基钛、三异丙氧基碘钛、四甲氧基丙氧基钛、四甲基苯氧基钛、正壬氧基钛、四硬脂氧基钛、三异硬脂酰基单异丙氧基钛等烷氧基钛。
而且，可以列举出四甲基羰基氧钛、四乙基羰基氧钛、四正丙基羰基氧钛、四异丙基羰基氧钛、甲基羰基氧三乙基羰基氧钛、二乙基羰基氧二异丙基羰基氧钛等酰氧钛化合物。
而且，可以列举出四氟化钛、四氯化钛、四溴化钛、四碘化钛等卤化钛。
而且，作为式(1)所表示的化合物(水解性钛化合物)，可以列举出水解性烷基烷氧基钛，可以列举出例如甲基三异丙氧基钛、乙基三异丙氧基钛、甲基三丁氧基钛等。
并且，作为本发明中使用的钛络合物(下文中也称作“水解性钛络合物”。)，可以列举出例如钛酸四(2-乙基己醇)酯、异硬脂酰基二丙烯酰基钛酸异丙基酯、二甲基丙烯酰基异硬脂酰基钛酸异丙基酯、异丙基三(N-氨基乙基-氨基乙基)钛酸酯、三(二辛基磷酸基)钛酸异丙基酯、三异硬脂酰基钛酸异丙基酯、三辛酰基钛酸异丙基酯、异丙基三枯基苯基钛酸酯、三(二辛基焦磷酸基)钛酸异丙基酯、三(十二烷基苯磺酰基)钛酸异丙基酯、辛二醇钛酸酯、钛酸甲酚酯单体、二正丁氧基双(三乙醇胺合)钛、二异硬脂酰基钛酸乙二醇酯、双(三乙醇氨基)钛酸二异丙基酯、二异丙氧基双(乙酰丙酮)钛、二枯基苯氧基乙酸钛酸酯、二羟基双乳酸钛、钛酸硬脂基酯、异丙氧基辛二醇钛、硬脂酸钛、乳酸钛、四(2,2-二烯丙基氧甲基-1-丁基)双(二(十三烷基))亚磷酸钛酸酯、四异丙基双(二辛基亚磷酸)钛酸酯、四辛基双(二（十三烷基）亚磷酸)钛酸酯、四(2-乙基己氧基)钛、双(二辛基焦磷酸)钛酸乙二醇酯、双(二辛基焦磷酸)氧乙酸钛酸酯、二异丙氧基双(乙酰丙酮)钛、四乙酰丙酮钛、二(2-乙基己氧基)双(2-乙基-3-羟基己氧基)钛、二异丙氧基双(乙酰乙酸乙酯)钛、二异丙氧基双(三乙醇胺合)钛、乳酸钛铵盐、乳酸钛、多羟基硬脂酸钛、以及四乙酰丙酮钛、三乙氧基·单(乙酰丙酮)钛、三-正丙氧基·单(乙酰丙酮)钛、三-异丙氧基·单(乙酰丙酮)钛、三-正丁氧基·单(乙酰丙酮)钛、三-仲丁氧基·单(乙酰丙酮)钛、三-叔丁氧基·单(乙酰丙酮)钛、二乙氧基·双(乙酰丙酮)钛、二-正丙氧基·双(乙酰丙酮)钛、二-异丙氧基·双(乙酰丙酮)钛、二-正丁氧基·双(乙酰丙酮)钛、二-仲丁氧基·双(乙酰丙酮)钛、二-叔丁氧基·双(乙酰丙酮)钛、单乙氧基·三(乙酰丙酮)钛、单-正丙氧基·三(乙酰丙酮)钛、单-异丙氧基·三(乙酰丙酮)钛、单-正丁氧基·三(乙酰丙酮)钛、单-仲丁氧基·三(乙酰丙酮)钛、单-叔丁氧基·三(乙酰丙酮)钛、四(乙酰丙酮)钛、三乙氧基·单(乙酰乙酸乙酯)钛、三-正丙氧基·单(乙酰乙酸乙酯)钛、三-异丙氧基·单(乙酰乙酸乙酯)钛、三-正丁氧基·单(乙酰乙酸乙酯)钛、三-仲丁氧基·单(乙酰乙酸乙酯)钛、三-叔丁氧基·单(乙酰乙酸乙酯)钛、二乙氧基·双(乙酰乙酸乙酯)钛、二-正丙氧基·双(乙酰乙酸乙酯)钛、二-异丙氧基·双(乙酰乙酸乙酯)钛、二-正丁氧基·双(乙酰乙酸乙酯)钛、二-仲丁氧基·双(乙酰乙酸乙酯)钛、二-叔丁氧基·双(乙酰乙酸乙酯)钛、单乙氧基·三(乙酰乙酸乙酯)钛、单-正丙氧基·三(乙酰乙酸乙酯)钛、单-异丙氧基·三(乙酰乙酸乙酯)钛、单-正丁氧基·三(乙酰乙酸乙酯)钛、单-仲丁氧基·三(乙酰乙酸乙酯)钛、单-叔丁氧基·三(乙酰乙酸乙酯)钛、四(乙酰乙酸乙酯)钛、单(乙酰丙酮)三(乙酰乙酸乙酯)钛、双(乙酰丙酮)双(乙酰乙酸乙酯)钛、三(乙酰丙酮)单(乙酰乙酸乙酯)钛、双(2,6-二氟-3-(1-氢吡咯-1-基)苯基)二茂钛、五甲基环戊二烯基三氯化钛、五甲基环戊二烯基三甲氧基钛、酞菁氧化钛、烯丙基乙酰乙酸酯三异丙氧基钛、双(三乙醇胺)二异丙氧基钛、二-正丁氧基(双-2,4-戊二酮)钛、二乙基二硫代氨基甲酸钛、二异丙氧基(双-2,4-戊二酮)钛、二异丙氧基双(四甲基庚二酮)钛、二异丙氧基双(乙酰乙酸乙酯)钛、甲基丙烯酰氧基乙酰乙酸乙酯三异丙氧基钛、(2-甲基丙烯酰氧基乙氧基)三异丙氧基钛酸酯、双(戊二酮)氧化钛、双(四甲基庚二酮)氧化钛、四(双2,2-(烯丙氧基甲基)丁氧基钛、四(二乙胺)钛、四(二甲胺)钛、三异丙氧基三正丁基锡氧化钛、三甲基丙烯酸甲氧基乙氧基乙氧基钛、四(三甲基硅氧基)钛、三(二辛基亚磷酸)异丙氧基钛、三(十二烷基苯磺酸)异丙氧基钛、双(环戊二烯基)二氯化钛、聚(辛二醇钛酸酯)、二乙氧基硅氧烷乙基钛酸酯共聚物等钛络合物。
此外本发明中使用的水解性钛二聚体是由烷氧基钛、卤化钛、酰氧基钛通过Ti-O-Ti键二聚化而成的，具有(R1)3-Ti-O-Ti-(R1)3的结构。可以列举出例如丁氧基钛二聚体、异丁氧基钛二聚体、丙氧基钛二聚体、异丙氧基钛二聚体。
上述钛化合物(A)优选使用选自式(1)所表示的化合物和钛络合物中的钛化合物。
并且，钛化合物(A)优选使用选自式(1)所表示的化合物中的钛化合物。
本发明中使用的式(2)所表示的硅化合物(B)［以下也称作“水解性硅烷化合物(B)”。］中，R2是带氮原子的环基或含有它的有机基团、芳香族稠环基或含有它的有机基团、被保护了的酚性羟基或含有它的有机基团、或联芳基或含有它的有机基团，并且R2是通过Si-C键与硅原子键合的基团或有机基团，R3表示烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、脂肪族烯基，或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、或氰基的有机基团，并且R3是通过Si-C键或Si-N键与硅原子键合的有机基团。R4表示烷氧基、酰氧基、或卤原子。a’表示整数1，b表示整数0或1，(a’＋b)表示整数1或2。
烷氧基、酰氧基、和卤原子可以例示出前面所讲的。
作为上述带氮原子的环基或含有它的有机基团，可以列举出通过Si-C键与硅原子键合的式(4)所表示的有机基团。通过使用式(4)所表示的带氮原子的环基，能够提高与其它层的紧密附着性。
式(4)中，R7表示氢原子、或碳原子数1～10的烷基、脂肪族烯基、环氧基、磺酰基、或含有它们的有机基团，R8表示碳原子数1～10的亚烷基、羟基亚烷基、硫醚键、醚键、酯键、或它们的组合。
X1表示式(5)、式(6)、或式(7)。
式(5)、式(6)、和式(7)中，R9～R13分别独立地表示氢原子、或碳原子数1～10的烷基、脂肪族烯基、环氧基、磺酰基、或含有它们的有机基团。
而且，作为上述带氮原子的环基或含有它的有机基团，可以列举出咪唑基、或含有咪唑基的有机基团。
而且，作为上述芳香族稠环基或含有它的有机基团，可以列举出萘基、或蒽基。通过使用芳香族稠环基，能够提高带域外的吸收。
而且，作为上述被保护了的酚性羟基或含有它的有机基团，可以列举出烷氧基烷基取代芳基、或烷氧基烷氧基烷基取代芳基。通过使用被保护了的酚性羟基，可以提高酸性度，提高抗蚀剂轮廓。
而且，作为上述联芳基或含有它的有机基团，可以列举出联苯基。
作为上述烷基、芳基、脂肪族烯基、卤代烷基、卤代芳基、具有环氧基的有机基团、具有丙烯酰基的有机基团、具有甲基丙烯酰基的有机基团、具有巯基的有机基团、具有氨基的有机基团、具有氰基的有机基团、具有磺酰基的有机基团，可以例示出上述中记载的。
式(2)所表示的硅化合物(B)［水解性硅烷化合物(B)］的例子可以列举以下的。
本发明中使用的式(3)所表示的硅化合物(C)［下文也称作“水解性硅烷化合物(C)”。］中，R5表示通过Si-C键与硅原子键合的，烷基、芳基、卤代烷基、卤代芳基、脂肪族烯基，或具有环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、磺酰基、硫醚键、醚键、酯键、磺酰胺基、或氰基的有机基团。R6表示烷氧基、酰氧基、或卤原子，a’’表示0～3的整数。作为这些有机基团，可以例示出上述中记载的。
作为磺酰胺基，可以例示出苯基磺酰胺基、甲基磺酰胺基。
作为式(3)所表示的化合物［水解性硅烷化合物(C)］，可以列举出例如，四甲氧基硅烷、四氯硅烷、四乙酰氧基硅烷、四乙氧基硅烷、四正丙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷、四乙酰氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三氯硅烷、甲基三乙酰氧基硅烷、甲基三丙氧基硅烷、甲基三乙酰氧基硅烷、甲基三丁氧基硅烷、甲基三丙氧基硅烷、甲基三戊氧基硅烷、甲基三苯氧基硅烷、甲基三苄基氧硅烷、甲基三苯乙基氧硅烷、缩水甘油醚氧基甲基三甲氧基硅烷、缩水甘油醚氧基甲基三乙氧基硅烷、α-缩水甘油醚氧基乙基三甲氧基硅烷、α-缩水甘油醚氧基乙基三乙氧基硅烷、β-缩水甘油醚氧基乙基三甲氧基硅烷、β-缩水甘油醚氧基乙基三乙氧基硅烷、α-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、α-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、β-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、β-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基三丙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基三丁氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基三苯氧基硅烷、α-缩水甘油醚氧基丁基三甲氧基硅烷、α-缩水甘油醚氧基丁基三乙氧基硅烷、β-缩水甘油醚氧基丁基三乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丁基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丁基三乙氧基硅烷、δ-缩水甘油醚氧基丁基三甲氧基硅烷、δ-缩水甘油醚氧基丁基三乙氧基硅烷、(3,4-环氧环己基)甲基三甲氧基硅烷、(3,4-环氧环己基)甲基三乙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三乙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三丙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三丁氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三苯氧基硅烷、γ-(3,4-环氧环己基)丙基三甲氧基硅烷、γ-(3,4-环氧环己基)丙基三乙氧基硅烷、δ-(3,4-环氧环己基)丁基三甲氧基硅烷、δ-(3,4-环氧环己基)丁基三乙氧基硅烷、缩水甘油醚氧基甲基甲基二甲氧基硅烷、缩水甘油醚氧基甲基甲基二乙氧基硅烷、α-缩水甘油醚氧基乙基甲基二甲氧基硅烷、α-缩水甘油醚氧基乙基甲基二乙氧基硅烷、β-缩水甘油醚氧基乙基甲基二甲氧基硅烷、β-缩水甘油醚氧基乙基乙基二甲氧基硅烷、α-缩水甘油醚氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、α-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-缩水甘油醚氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、β-缩水甘油醚氧基丙基乙基二甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基甲基二丙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基甲基二丁氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基甲基二苯氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基乙基二甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基乙基二乙氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基乙烯基二甲氧基硅烷、γ-缩水甘油醚氧基丙基乙烯基二乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三氯硅烷、苯基三乙酰氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、苯基三乙酰氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三乙氧基硅烷、γ-氯丙基三乙酰氧基硅烷、3,3,3-三氟丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三乙氧基硅烷、β-氰基乙基三乙氧基硅烷、氯甲基三甲氧基硅烷、氯甲基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、苯基甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、苯基甲基二乙氧基硅烷、γ-氯丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-氯丙基甲基二乙氧基硅烷、二甲基二乙酰氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-巯基甲基二乙氧基硅烷、甲基乙烯基二甲氧基硅烷、甲基乙烯基二乙氧基硅烷、苯基磺酰基氨基丙基三乙氧基硅烷、甲磺酰氨基丙基三乙氧基硅烷、苯磺酰氨基丙基三甲氧基硅烷、甲磺酰氨基丙基三甲氧基硅烷、N-［3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基］苯磺酰胺、N-［3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基］甲磺酰胺、N-［3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基］烯丙磺酰胺、N-［3-(三乙氧基甲硅烷基)丙基］乙烯基磺酰胺等。
本发明中使用的水解缩合物(聚合物、共聚物)可以例示以下的。
在使用选自上述式(1)所表示的化合物、钛络合物、和水解性钛二聚体中的钛化合物(A)、和上述式(2)所表示的硅化合物(B)时，作为获得钛化合物(A)和硅化合物(B)的混合物的水解缩合物的方法，可以列举出将选自上述式(1)所表示的化合物、钛络合物、和水解性钛二聚体中的钛化合物(A)和上述式(2)所表示的硅化合物(B)水解，形成共水解缩合物(共聚物)的方法，以及，将选自上述式(1)所表示的化合物、钛络合物、和水解性钛二聚体中的钛化合物(A)的水解缩合物、和上述式(2)所表示的硅化合物(B)的水解缩合物混合在一起的方法。
而且，可以将选自上述式(1)所表示的化合物、钛络合物、和水解性钛二聚体中的钛化合物(A)、和上述式(2)所表示的硅化合物(B)、以及上述式(3)所表示的硅化合物(C)合并使用。作为得到钛化合物(A)和硅化合物(B)和硅化合物(C)的混合物的水解缩合物的方法，可以列举出将选自上述式(1)所表示的化合物、钛络合物、和水解性钛二聚体中的钛化合物(A)、和上述式(2)所表示的硅化合物(B)以及上述式(3)所表示的硅化合物(C)水解，形成共水解缩合物(共聚物)的方法，以及，将选自上述式(1)所表示的化合物、钛络合物、和水解性钛二聚体中的钛化合物(A)的水解缩合物、和上述式(2)所表示的硅化合物(B)的水解缩合物以及上述式(3)所表示的硅化合物(C)的水解缩合物混合在一起的方法。
上述水解缩合物是聚合物、或共聚物，可以作为重均分子量300～1000000、300～100000、或300～20000的缩合物得到。这些分子量是通过GPC分析，经聚苯乙烯换算而得到的分子量。GPC的测定条件是例如：GPC装置(商品名HLC-8220GPC、东ソー株式会社制)、GPC柱(商品名ShodexKF803L、KF802、KF801、昭和电工株式会社制)、柱温是40℃、洗脱液(洗脱溶剂)是四氢呋喃、流量(流速)是1.0mL/min，标准试验使用聚苯乙烯(昭和电工株式会社制)。
为了得到上述水解缩合物，在烷氧基甲硅烷基、酰氧基甲硅烷基、或卤代甲硅烷基的水解中使用相对于水解性基1摩尔为0.5～100摩尔、优选1～10摩尔的水。
而且，可以使用相对于水解性基1摩尔为0.001～10摩尔、优选是0.001～1摩尔的水解催化剂。
进行水解和缩合时的反应温度通常是20～120℃。
水解可以完全地进行水解，也可以进行部分水解。即、在水解缩合物中也可以残留水解物、单体。
水解缩合之际可以使用催化剂。
作为水解催化剂，可以列举出金属络合化合物、有机酸、无机酸、有机碱、无机碱。
作为上述水解催化剂的金属络合化合物，可以列举出例如三乙氧基·单(乙酰丙酮)锆、三正丙氧基·单(乙酰丙酮)锆、三异丙氧基·单(乙酰丙酮)锆、三正丁氧基·单(乙酰丙酮)锆、三仲丁氧基·单(乙酰丙酮)锆、三叔丁氧基·单(乙酰丙酮)锆、二乙氧基·双(乙酰丙酮)锆、二正丙氧基·双(乙酰丙酮)锆、二异丙氧基·双(乙酰丙酮)锆、二正丁氧基·双(乙酰丙酮)锆、二仲丁氧基·双(乙酰丙酮)锆、二叔丁氧基·双(乙酰丙酮)锆、单乙氧基·三(乙酰丙酮)锆、单正丙氧基·三(乙酰丙酮)锆、单异丙氧基·三(乙酰丙酮)锆、单正丁氧基·三(乙酰丙酮)锆、单仲丁氧基·三(乙酰丙酮)锆、单叔丁氧基·三(乙酰丙酮)锆、四(乙酰丙酮)锆、三乙氧基·单(乙酰乙酸乙酯)锆、三正丙氧基·单(乙酰乙酸乙酯)锆、三异丙氧基·单(乙酰乙酸乙酯)锆、三正丁氧基·单(乙酰乙酸乙酯)锆、三仲丁氧基·单(乙酰乙酸乙酯)锆、三叔丁氧基·单(乙酰乙酸乙酯)锆、二乙氧基·双(乙酰乙酸乙酯)锆、二正丙氧基·双(乙酰乙酸乙酯)锆、二异丙氧基·双(乙酰乙酸乙酯)锆、二正丁氧基·双(乙酰乙酸乙酯)锆、二仲丁氧基·双(乙酰乙酸乙酯)锆、二叔丁氧基·双(乙酰乙酸乙酯)锆、单乙氧基·三(乙酰乙酸乙酯)锆、单正丙氧基·三(乙酰乙酸乙酯)锆、单异丙氧基·三(乙酰乙酸乙酯)锆、单正丁氧基·三(乙酰乙酸乙酯)锆、单仲丁氧基·三(乙酰乙酸乙酯)锆、单叔丁氧基·三(乙酰乙酸乙酯)锆、四(乙酰乙酸乙酯)锆、单(乙酰丙酮)三(乙酰乙酸乙酯)锆、双(乙酰丙酮)双(乙酰乙酸乙酯)锆、三(乙酰丙酮)单(乙酰乙酸乙酯)锆等锆络合物；三(乙酰丙酮)铝、三(乙酰乙酸乙酯)铝等铝络合物；等等。
作为上述水解催化剂的有机酸，可举出例如乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、草酸、马来酸、甲基丙二酸、己二酸、癸二酸、没食子酸、丁酸、苯六甲酸、花生四烯酸、莽草酸、2－乙基己酸、油酸、硬脂酸、亚油酸、亚麻酸、水杨酸、苯甲酸、对氨基苯甲酸、对甲苯磺酸、苯磺酸、一氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、甲酸、丙二酸、磺酸、邻苯二甲酸、富马酸、柠檬酸、酒石酸等。
作为上述水解催化剂的无机酸，可举出例如盐酸、硝酸、硫酸、氢氟酸、磷酸等。
作为上述水解催化剂的有机碱，可举出例如吡啶、吡咯、哌嗪、吡咯烷、哌啶、皮考啉、三甲胺、三乙胺、单乙醇胺、二乙醇胺、二甲基单乙醇胺、单甲基二乙醇胺、三乙醇胺、二氮杂二环辛烷、二氮杂二环壬烷、二氮杂二环十一碳烯、四甲基氢氧化铵等。
作为上述水解催化剂的无机碱，可以列举出例如氨、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钡、氢氧化钙等。
这些催化剂中，优选为金属络合物、有机酸、无机酸，它们可以使用1种或2种以上同时使用。
作为上述水解中所使用的有机溶剂，可举出例如正戊烷、异戊烷、正己烷、异己烷、正庚烷、异庚烷、2,2,4－三甲基戊烷、正辛烷、异辛烷、环己烷、甲基环己烷等脂肪族烃系溶剂；苯、甲苯、二甲苯、乙苯、三甲基苯、甲基乙基苯、正丙基苯、异丙基苯、二乙基苯、异丁基苯、三乙基苯、二异丙基苯、正戊基萘、三甲基苯等芳香族烃系溶剂；甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、仲丁醇、叔丁醇、正戊醇、异戊醇、2－甲基丁醇、仲戊醇、叔戊醇、3－甲氧基丁醇、正己醇、2－甲基戊醇、仲己醇、2－乙基丁醇、仲庚醇、庚醇－3、正辛醇、2－乙基己醇、仲辛醇、正壬醇、2,6－二甲基庚醇－4、正癸醇、仲十一烷醇、三甲基壬醇、仲十四烷醇、仲十七烷醇、苯酚、环己醇、甲基环己醇、3,3,5－三甲基环己醇、苄醇、苯基甲基甲醇、双丙酮醇、甲酚等一元醇系溶剂；乙二醇、丙二醇、1,3－丁二醇、戊二醇－2,4、2－甲基戊二醇－2,4、己二醇－2,5、庚二醇－2,4、2－乙基己二醇－1,3、二甘醇、双丙甘醇、三甘醇、三丙二醇、甘油等多元醇系溶剂；丙酮、甲基乙基甲酮、甲基－正丙基甲酮、甲基－正丁基甲酮、二乙基甲酮、甲基－异丁基甲酮、甲基－正戊基甲酮、乙基－正丁基甲酮、甲基－正己基甲酮、二异丁基甲酮、三甲基壬酮、环己酮、甲基环己酮、2,4－戊二酮、丙酮基丙酮、双丙酮醇、苯乙酮、葑酮等酮系溶剂；乙醚、异丙基醚、正丁基醚、正己基醚、2－乙基己基醚、氧化乙烯、1,2－氧化丙烯、二氧戊环、4－甲基二氧戊环、二烷、二甲基二烷、乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚、乙二醇二乙基醚、乙二醇单正丁基醚、乙二醇单正己基醚、乙二醇单苯基醚、乙二醇单－2－乙基丁基醚、乙二醇二丁基醚、二甘醇单甲基醚、二甘醇单乙基醚、二甘醇二乙基醚、二甘醇单－正丁基醚、二甘醇二正丁基醚、二甘醇单正己基醚、乙氧基三乙二醇、四甘醇二正丁基醚、丙二醇单甲基醚、丙二醇单乙基醚、丙二醇单丙基醚、丙二醇单丁基醚、双丙甘醇单甲基醚、双丙甘醇单乙基醚、双丙甘醇单丙基醚、双丙甘醇单丁基醚、三丙二醇单甲基醚、四氢呋喃、2－甲基四氢呋喃等醚系溶剂；碳酸二乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、γ－丁内酯、γ－戊内酯、乙酸正丙酯、乙酸异丙酯、乙酸正丁酯、乙酸异丁酯、乙酸仲丁酯、乙酸正戊酯、乙酸仲戊酯、乙酸3－甲氧基丁酯、乙酸甲基戊酯、乙酸2－乙基丁酯、乙酸2－乙基己酯、乙酸苄酯、乙酸环己酯、乙酸甲基环己酯、乙酸正壬酯、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙酸乙二醇单甲基醚酯、乙酸乙二醇单乙基醚酯、乙酸二甘醇单甲基醚酯、乙酸二甘醇单乙基醚酯、乙酸二甘醇单正丁基醚酯、乙酸丙二醇单甲基醚酯、乙酸丙二醇单乙基醚酯、乙酸丙二醇单丙基醚酯、乙酸丙二醇单丁基醚酯、乙酸双丙甘醇单甲基醚酯、乙酸双丙甘醇单乙基醚酯、乙二醇二乙酸酯、乙酸甲氧基三乙二醇酯、丙酸乙酯、丙酸正丁酯、丙酸异戊酯、草酸二乙酯、草酸二正丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丁酯、乳酸正戊酯、丙二酸二乙酯、邻苯二甲酸二甲酯、邻苯二甲酸二乙酯等酯系溶剂；丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、丙二醇单丙醚乙酸酯等醚酯系溶剂；N－甲基甲酰胺、N,N－二甲基甲酰胺、N,N－二乙基甲酰胺、乙酰胺、N－甲基乙酰胺、N,N－二甲基乙酰胺、N－甲基丙酰胺、N－甲基吡咯烷酮等含氮系溶剂；二甲基硫醚、二乙基硫醚、噻吩、四氢噻吩、二甲亚砜、环丁砜、1,3－丙烷磺内酯等含硫系溶剂等。这些溶剂可以使用1种或2种以上组合使用。
其中，优选丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丙醚、丙二醇单丁醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、丙二醇单甲醚乙酸酯、丙二醇单乙醚乙酸酯、丙二醇单丙醚乙酸酯。
而且，优选丙酮等酮类、四氢呋喃等非醇系的极性溶剂，优选使用式(2)所表示的水解性硅烷化合物(B)(水解时硅烷化合物的分子中具有2～3个水解基的硅烷化合物)作为原料的情况。但、水解性硅烷化合物(B)的分子中具有5～9个水解基的硅烷，在这样的丙酮溶剂中容易过度进行水解和缩合而凝胶化。
使水解性钛、水解性硅烷化合物(B)和水解性硅烷化合物(C)在溶剂中，在使用催化剂或不使用催化剂的情况下水解并缩合，将所得到的水解缩合物(聚合物、共聚物)进行减压蒸馏等，由此可以将副生成的醇、反应中使用的水解催化剂和水同时除去。而且，水解中使用的酸、碱性催化剂可以通过中和或离子交换除去。
并且在本发明的光刻工序中使用的薄膜形成用组合物中，为了稳定化，可以添加酸(有机酸)、盐、水、醇、或它们的组合。
作为上述有机酸，可以列举出例如草酸、丙二酸、甲基丙二酸、琥珀酸、马来酸、苹果酸、酒石酸、邻苯二甲酸、柠檬酸、戊二酸、柠檬酸、乳酸、水杨酸等。尤其优选是草酸、马来酸、乙酸、丙酸、丁酸、吉草酸、己酸、庚酸、辛烷酸、丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、乙烯基乙酸、己烯酸、富马酸、苯基乙酸、苯基丙酸、三苯基乙酸、肉桂酸、苯甲酸、偏苯三甲酸、均苯四甲酸等。加入的机酸相对于缩合物(聚钛氧烷、聚有机硅氧烷、共聚物、或它们的组合)100质量份为0.5～5.0质量份。
此外加入的水可以使用纯水、超纯水、离子交换水等，其添加量相对于薄膜形成用组合物100质量份为1～20质量份。
本发明的光刻工序中使用的薄膜形成用组合物可以含有β-二酮和/或β-酮酯。β-二酮和/或β-酮酯可以使用下述所示的作为溶剂的一部分。
作为β-二酮和/或β-酮酯，可以列举出例如乙酰丙酮、乙酰乙酸甲酯、乙酰乙酸乙酯、乙酰乙酸正丙酯、乙酰乙酸异丙酯、乙酰乙酸正丁酯、乙酰乙酸异丁酯、乙酰乙酸仲丁酯、乙酰乙酸叔丁酯、2,4-己二酮、2,4-戊二酮、2,4-庚二酮、3,5-庚二酮、2,4-辛二酮、3,5-辛二酮、2,4-壬二酮、3,5-壬二酮、5-甲基-2,4-己二酮等。这些化合物中优选乙酰丙酮、乙酰乙酸乙酯。该成分可以单独使用，或2种以上混合使用。该β-二酮和/或β-酮酯，相对于缩合物(聚钛氧烷、聚有机硅氧烷、共聚物、或它们的组合)100质量份可以使用1～2000质量份、或10～500质量份。
而且，本发明的光刻工序中使用的薄膜形成用组合物，还可以添加可以与钛或硅形成配位化合物的配体化合物。作为这样的配体化合物，可以列举出烯丙醇。
而且，作为添加剂可以添加双酚S、或双酚S衍生物。双酚S、或双酚S衍生物，相对于缩合物(聚钛氧烷、聚有机硅氧烷、共聚物、或它们的组合)100质量份有0.01～20质量份、或0.01～10质量份、或0.01～5质量份。
优选的双酚S、或双酚S衍生物可以列举出以下的。
本发明的薄膜形成用组合物可以含有盐。盐，在使含有缩合物(聚钛氧烷、聚有机硅氧烷、共聚物、或它们的组合)的涂膜加热、固化时能够发挥固化催化剂的作用。
作为盐，可以使用铵盐、膦类、 盐、锍盐。
作为铵盐，可举出具有式(E－1)所示的结构的季铵盐、具有式(E－2)所示的结构的季铵盐、具有式(E－3)所示的结构的季铵盐、具有式(E－4)所示的结构的季铵盐、具有式(E－5)所示的结构的季铵盐、具有式(E－6)所示的结构的叔铵盐。
(其中，m表示2～11的整数，n表示2～3的整数，R14表示烷基或芳基，Y－表示阴离子。)
R15R16R17R18N+Y-式(E-2)
(其中，R15、R16、R17和R18表示烷基或芳基，N表示氮原子，Y－表示阴离子，并且R15、R16、R17和R18分别通过C－N键而与氮原子结合)
(其中，R19和R20表示烷基或芳基，Y－表示阴离子)
(其中，R21表示烷基或芳基，Y－表示阴离子)
(其中，R22和R23分别独立地表示烷基或芳基，Y－表示阴离子。)
(其中，m表示2～11的整数，n表示2～3的整数，H表示氢原子，Y－表示阴离子)
此外，作为盐，可举出式(E－7)所示的季 盐。
R24R25R26R27p+Y- 式(E-7)
(其中，R24、R25、R26和R27表示烷基或芳基，P表示磷原子，Y－表示阴离子，并且R24、R25、R26和R27分别通过C－P键而与磷原子结合)
此外，作为锍盐，可举出式(E－8)所示的叔锍盐。
R28R29R30S+Y- 式(E-8)
(其中，R28、R29和R30表示烷基或芳基，S表示硫原子，Y－表示阴离子，并且R28、R29和R30分别通过C－S键而与硫原子结合)
上述式(E－1)所示的化合物为由胺衍生的季铵盐，m表示2～11的整数，n表示2～3的整数。该季铵盐的R14表示碳原子数1～18，优选为2～10的烷基或芳基，可举出例如，乙基、丙基、丁基等直链烷基、苄基、环己基、环己基甲基、二聚环戊二烯基等。
此外作为阴离子(Y－)，可举出氯离子(Cl－)、溴离子(Br－)、碘离子(I－)等卤离子、羧酸根(－COO－)、磺酸根(－SO3－)、烃氧离子(－O－)等酸根。
上述式(E－2)所示的化合物为R15R16R17R18N＋Y－所示的季铵盐。该季铵盐的R15、R16、R17和R18为碳原子数1～18的烷基或芳基，或通过Si－C键而与硅原子结合的硅烷化合物。
作为阴离子(Y－)，可举出氯离子(Cl－)、溴离子(Br－)、碘离子(I－)等卤离子、羧酸根(－COO－)、磺酸根(－SO3－)、烃氧离子(－O－)等酸根。
该季铵盐能够由市售品获得，可例示例如乙酸四甲基铵、乙酸四丁基铵、氯化三乙基苄基铵、溴化三乙基苄基铵、氯化三辛基甲基铵、氯化三丁基苄基铵、氯化三甲基苄基铵等。
上述式(E－3)所示的化合物为由1－取代咪唑衍生的季铵盐，R19和R20为分别独立的表示碳原子数1～18的烷基或芳基，优选R19和R20的碳原子数的总和为7以上。例如作为R19，可以例示甲
含钛和硅的光刻用薄膜形成用组合物专利购买费用说明
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1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
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4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
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