专利摘要

本发明公开一种双频双馈入天线结构，其包括一第一天线结构和一第二天线结构。该第一天线结构操作于一高频频带，并包括一第一馈入端、一第一馈入路径电性连接该第一馈入端、和一第一辐射部。该第二天线结构操作于一低频频带，并包括一第二馈入端、一第二馈入路径电性连接该第二馈入端、和一第二辐射部。该第一馈入路径包括一电容器和一第一馈入线；该第二馈入路径包括一电感器和一第二馈入线；以及该第二天线结构的该第二辐射部至少部分地围绕该第一天线结构的该第一辐射部。

权利要求

1.一种双频双馈入天线结构，包括一第一天线结构和一第二天线结构，其中：

该第一天线结构操作于一高频频带，并包括一第一馈入端、一第一馈入路径电性连接该第一馈入端和一第一辐射部；

该第二天线结构操作于一低频频带，并包括一第二馈入端、一第二馈入路径电性连接该第二馈入端和一第二辐射部；

该第一馈入路径包括一第一电容器和一第一馈入线；

该第二馈入路径包括一第一电感器和一第二馈入线；以及

该第二天线结构的该第二辐射部至少部分地围绕该第一天线结构的该第一辐射部。

2.如权利要求1所述的双频双馈入天线结构，其中该第一馈入线具有一第一馈入段和一第二馈入段，且该第一电容器电性连接在该第一馈入段和该第二馈入段之间，该第一馈入段电性连接在该第一馈入端和该第一电容器之间；以及

该第二馈入线具有一第三馈入段和一第四馈入段，且该第一电感器电性连接在该第三馈入段和该第四馈入段之间，该第三馈入段电性连接在该第二馈入端和该第一电感器之间。

3.如权利要求2所述的双频双馈入天线结构，其中该第一辐射部和该第二辐射部设置于一第一平面上；

该第一电容器、该第一馈入段、该第二馈入段、该第三馈入段、该第四馈入段和该第一电感器皆设置于一第二平面上；以及

该第一平面和该第二平面不共平面。

4.如权利要求3所述的双频双馈入天线结构，其中该第一天线结构还包括一馈入金属部，并电性连接至该第二馈入段；以及

该第一辐射部的中间具有一孔径，且该馈入金属部位于该第一辐射部的该孔径内。

5.如权利要求4所述的双频双馈入天线结构，还包括设置在一第三平面上的一接地面，该第三平面位于该第一平面和该第二平面之间，其中该第二辐射部还包括电性连接至该接地面的一短路部分。

6.如权利要求1所述的双频双馈入天线结构，其中该第二辐射部大体上呈U字形且该U字形的开口面向该第二馈入端。

7.如权利要求1所述的双频双馈入天线结构，其中该高频频带约介于3GHz～5GHz之间，而该低频频带约介于880MHz～920MHz之间。

8.如权利要求1所述的双频双馈入天线结构，其中该第一馈入路径和该第二馈入路径沿同一直线而分离地配置；该第一辐射部和该第二辐射部的形状分别对称于该直线且该第一馈入端和该第二馈入端分别设在该直线上对向的两端。

9.如权利要求1所述的双频双馈入天线结构，其中该第二天线结构的该第二辐射部完全包围该第一天线结构的该第一辐射部。

10.如权利要求1所述的双频双馈入天线结构，其中该第二辐射部大体上呈U字形，且该第一辐射部位于该U字形的一开口内的面积大于该第一辐射部位于该U字形的该开口外的面积。

11.一种双频双馈入天线结构，包括一第一天线结构和一第二天线结构，其中：

该第一天线结构操作于一高频频带，并包括一第一馈入端、一第一馈入路径电性连接该第一馈入端和一第一辐射部；

该第二天线结构操作于一低频频带，并包括一第二馈入端、一第二馈入路径电性连接该第二馈入端和一第二辐射部；

该第一馈入路径包括一第一电容器和一第一馈入线；

该第二辐射部包括一第一辐射支部和一第二辐射支部；

该第一辐射支部包括一第一电感器，且该第二辐射支部包括一第二电感器；以及

该第二天线结构的该第二辐射部至少部分地围绕该第一天线结构的该第一辐射部。

12.如权利要求11所述的双频双馈入天线结构，其中该第一馈入线具有一第一馈入段和一第二馈入段，该第一电容器电性连接在该第一馈入段和该第二馈入段之间，且该第一馈入段电性连接在该第一馈入端和该第一电容器之间。

13.如权利要求12所述的双频双馈入天线结构，其中该第一辐射部和该第二辐射部设置于一第一平面上；

该第一电容器、该第一馈入段、该第二馈入段和该第一电容器皆设置于一第二平面上；以及

该第一平面和该第二平面不共平面。

14.如权利要求13所述的双频双馈入天线结构，其中该第一天线结构还包括一馈入金属部，并电性连接至该第二馈入段；

该第一辐射部包括一第一辐射支部和一第二辐射支部，且该第一辐射部的该第一辐射支部和该第一辐射部的该第二辐射支部各具有一孔径；以及

该馈入金属部由该第二平面向上延伸至该第一辐射支部和该第二辐射支部的两个所述孔径内。

15.如权利要求13所述的双频双馈入天线结构，还包括设置在一第三平面上的一接地面，该第三平面位于该第一平面和该第二平面之间，其中该第二辐射部还包括电性连接至该接地面的一短路部分。

16.如权利要求11所述的双频双馈入天线结构，其中该第二辐射部的缺口面向该第二馈入端。

17.如权利要求11所述的双频双馈入天线结构，其中该高频频带约介于3GHz～5GHz之间，而该低频频带约介于850MHz～950MHz之间。

18.如权利要求11所述的双频双馈入天线结构，其中该第一馈入路径和该第二馈入路径沿同一直线而分离地配置；该第一辐射部和该第二辐射部的形状分别对称于该直线；且该第一馈入端和该第二馈入端分别设在该直线上对向的两端。

19.如权利要求11所述的双频双馈入天线结构，其中该第一天线结构的该第一辐射部的该第一辐射支部位于该第二天线结构的该第二辐射部之内。

20.如权利要求11所述的双频双馈入天线结构，其中该第一电感器设置于该第二辐射部的该第一辐射支部最接近该第一辐射部的一区域，而该第二电感器设置于该第二辐射部的该第二辐射支部最接近该第一辐射部的一区域，且该第一辐射支部和该第二辐射支部大体上分别呈L字形。

说明书

技术领域

本发明涉及一种双频双馈入天线结构，特别是涉及一种应用主动负载的双频双馈入天线结构。

背景技术

在目前的天线设计之中，降低双频双馈入天线结构中两天线间互耦(mutualcoupling)的天线设计大致可分为三种改良方法。第一种改良方法为增加高频天线和低频天线之间的距离，且为降低两天线间互耦的一种常用方法。可以理解的是两天线的间距越大，两天线间互耦越小。但此方法的缺点为天线的间距大而增加双频双馈入天线结构的空间。

第二种改良方法为在高频天线和低频天线之间设置去耦合结构(decouplingstructure)以增加高频天线和低频天线的隔离度。上述去耦合结构包括将桅杆(post)/微带线(strip)/贴片(patch)短路、去耦合网路、电磁能隙(electromagnetic band-gap,EBG)结构等等。相较于第一种改良方法，第二种改良方法在改善天线间互耦的前提下，将双频双馈入天线结构设计在较小的空间之中。然而，增加该去耦合结构可能使双频双馈入天线得结构更为复杂。

第三种改良方法则是将高频天线的极化方向和低频天线的极化方向设计为彼此正交，以降低两天线间互耦。然而，此种改良方法并不适用在两天线的极化方向相似或相同的双频双馈入天线结构上。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明提供一种双频双馈入天线结构，其尺寸可适用于任何携带式装置。在较佳实施例中，本发明提供一种双频双馈入天线结构，该双频双馈入天线结构包括一第一天线结构和一第二天线结构。该第一天线结构操作于一高频频带，并包括一第一馈入端、一第一馈入路径电性连接该第一馈入端和一第一辐射部。该第二天线结构操作于一低频频带，并包括一第二馈入端、一第二馈入路径电性连接该第二馈入端和一第二辐射部。该双频双馈入天线结构的特征在于：该第一馈入路径包括一第一电容器和一第一馈入线；该第二馈入路径包括一第一电感器和一第二馈入线；以及该第二天线结构的该第二辐射部至少部分地围绕该第一天线结构的该第一辐射部。

本发明的另一实施例提供一种双频双馈入天线结构，该双频双馈入天线结构包括一第一天线结构和一第二天线结构。该第一天线结构操作于一高频频带，并包括一第一馈入端、一第一馈入路径电性连接该第一馈入端和一第一辐射部。该第二天线结构操作于一低频频带，并包括一第二馈入端、一第二馈入路径电性连接该第二馈入端和一第二辐射部。该双频双馈入天线结构的特征在于该第一馈入路径包括一第一电容器和一第一馈入线；该第二辐射部包括一第一辐射支部和一第二辐射支部；该第一辐射支部包括一第一电感器，且该第二辐射支部包括一第二电感器；以及该第二天线结构的该第二辐射部至少部分地围绕该第一天线结构的该第一辐射部。

附图说明

图1为显示依据本发明一实施例的双频双馈入天线1的一示意图。

图2A为显示本发明的双频双馈入天线结构2的一俯视图。

图2B为显示本发明的双频双馈入天线结构2的一三维视图(3D view diagram)。

图3A为显示本发明的双频双馈入天线结构3的一俯视图。

图3B为显示本发明的双频双馈入天线结构3的一三维视图。

图3C为显示本发明的双频双馈入天线结构3的一三维视图。

图3D为显示图3C的馈入金属部325的一三维视图。

图4A为显示根据本发明一实施例所述的双频双馈入天线结构2的第一天线结构22的天线性能图。

图4B为显示根据本发明一实施例所述的双频双馈入天线结构2的第二天线结构23的天线性能图。

图5A为显示根据本发明一实施例所述的双频双馈入天线结构2的第一天线结构22的天线性能图。

图5B为显示根据本发明一实施例所述的双频双馈入天线结构2的第二天线结构23的天线性能图。

图6为显示根据本发明一实施例所述的双频双馈入天线结构3的天线性能图。

【符号说明】

1～双频双馈入天线

11～高频天线

110～第一馈入端

111～第一馈入路径

113、114、115、116～传输线

12～低频天线

120～第二馈入端

121～第二馈入路径

13～电容器

14～电感器

2～双频双馈入天线结构

201～第一基板

202～第二基板

203～第三基板

21～接地面

22～第一天线结构

220～第一馈入路径

221～第一馈入端

222～第一馈入线

2221～第一馈入段

2222～第二馈入段

223～第一辐射部

2231～孔径

224～电容器

225～馈入金属部

23～第二天线结构

230～第二馈入路径

231～第二馈入端

232～第二馈入线

2321～第三馈入段

2322～第四馈入段

233～第二辐射部

2331～短路部分

234～电感器

3～双频双馈入天线结构

301～第一基板

302～第二基板

303～第三基板

31～接地面

32～第一天线结构

320～第一馈入路径

321～第一馈入端

322～第一馈入线

3221～第一馈入段

3222～第二馈入段

323～第一辐射部

3231～第一辐射支部

3232～第二辐射支部

3233、3234～孔径

324～电容器

325～馈入金属部

33～第二天线结构

330～第二馈入路径

331～第二馈入端

332～第二馈入线

333～第二辐射部

3331～第一L形辐射支部

3332～第二L形辐射支部

3333～短路部分

334～第一电感器

335～第二电感器

具体实施方式

本公开所附图示的实施例或例子将如以下说明。本公开的范畴并非以此为限。现有技艺者应能知悉在不脱离本公开的精神和架构的前提下，当可作些许更动、替换和置换。在本公开的实施例中，元件符号可能被重复地使用，本公开的数种实施例可能共用相同的元件符号，但为一实施例所使用的特征元件不必然为另一实施例所使用。

请参照图1，图1为依据本发明一实施例显示一双频双馈入天线1的示意图。在本发明实施例中，双频双馈入天线1包括一高频天线11和一低频天线12。高频天线11例如是一超宽频(Ultra-wideband,UWB)天线，而低频天线12例如是一超高频(Ultra-high,UHF)天线。高频天线11包括一第一馈入端110、一第一馈入路径111以及一高频天线结构112。低频天线12包括一第二馈入端120、一第二馈入路径121以及一低频天线结构122。第一馈入端110和第二馈入端120分别电性连接第一馈入路径111和第二馈入路径121。第一馈入路径111包括一传输线113、一传输线114和一电容器13。第一馈入端110所接收的信号，会通过第一馈入路径111而馈入高频天线结构112。第二馈入路径121包括一传输线115、一传输线116和电感器14。第二馈入端120所接收的信号，会通过第二馈入路径121而馈入低频天线结构122。

在本发明实施例中，高频天线11的高频天线结构112激发产生一高频频带，低频天线12的低频天线结构122激发产生一低频频带，上述高频频带约介于3GHz～5GHz之间，而上述低频频带约介于880MHz～920MHz之间。因此，依据上述频带需求，电容器13的电容值选定为2pF，而电感器14的电感值选定为6nH，其中电容器13和电感器14在不同操作频率对应的电抗值(reactance)表示如以下表(一)和表(二)。

表(一)

表(二)

在本发明实施例中，通过上述选定的电容值和电感值，电容器13在该高频频带(3GHz～5GHz)时视为短路且在该低频频带(880MHz～920MHz)时视为开路，而电感器14在高频时视为开路且在低频时视为短路。因此，电容器13做为一高通滤波器，以降低高频天线11的第一馈入端110的输入信号对低频天线12的低频天线结构122的影响。同理，电感器14则做为一低通滤波器，以降低低频天线12的第二馈入端120的输入信号对高频天线11的高频天线结构112的影响。由于电容器13和电感器14能有效降低高频天线11和低频天线12之间的互耦，所以无须增大两者间的距离，便能将高频天线11和低频天线12以较紧密的方式设计在同一空间之中。例如，如图1所示，低频天线12围绕高频天线11，且高频天线11和低频天线12设计在同一空间之中。但是本发明并非限定于此，低频天线12可以是大致上围绕高频天线11，也即仅围绕部分的高频天线11。

图2A至图2B为依据本发明一实施例的一双频双馈入天线结构2的示意图。图2A为显示本发明的双频双馈入天线结构2的俯视图，而图2B为显示本发明的双频双馈入天线结构2的三维视图。如图2A和图2B所示，本实施例的双频双馈入天线结构2包括一第一天线结构22和一第二天线结构23。第一天线结构22操作于一高频频带，而第二天线结构23操作于一低频频带。第一天线结构22包括设置于一第一平面上的一第一辐射部223、一第一馈入端221、以及设置于一第二平面上的一第一馈入路径220。第二天线结构23包括第二馈入端231、设置于该第一平面上的第二辐射部233、以及设置于该第二平面上的第二馈入路径230。第一馈入路径220包括一第一馈入线222及一电容器224，且第二馈入路径230包括一第二馈入线222及一电感器234。第一馈入端221和第二馈入端231分别耦接至第一馈入路径220和第二馈入路径230，由此将各别所接收的信号通过第一馈入路径220和该第二馈入路径230，分别馈入第一辐射部223和第二辐射部233。

如图2B所示，双频双馈入天线结构2还包括一第一基板201、一第二基板202、一第三基板203以及一接地面21。第一基板201的正面(面向+Z方向的该第一平面)201A上设置有第一辐射部223和第二辐射部233。第二基板202的正面202A(面向+Z方向)设置有接地面21。接地面21耦接至一接地电位。第二基板202的反面(面向-Z方向的该第二平面)202B上设置有第一馈入路径220和第二馈入路径230。第一基板201和第二基板202互相平行。第三基板203，是以其正面/反面垂直于第一基板201的正面和第二基板202的正面的方式，而设置于第一基板201和第二基板202之间。第一至第三基板201～203可以是一FR4(FlameRetardant 4)基板。

在本发明实施例中，双频双馈入天线结构2设计在长度L、宽度W和厚度T分别为100mm、50mm和5mm的空间里面，其中第一基板201的长度L和宽度W和第二基板202的长度L和宽度W皆分别为100mm和50mm。第一天线结构22为该超宽频天线，而第二天线结构23为该超高频天线。第一天线结构22和第二天线结构23皆为垂直的极化方向。该高频频带约介于3GHz～5GHz之间，而该低频频带约介于880MHz～920MHz之间。

在本发明实施例中，第一馈入端221和第二馈入端231分别设置于第二基板202的两侧，使双频双馈入天线结构2对称于第一馈入端221和第二馈入端231的一直线L2。更明确地说，第一馈入路径220和第二馈入路径230是沿同一直线L2而分离地配置；第一辐射部223和第二辐射部233的形状分别对称于直线L2；且第一馈入端221和第二馈入端231分别设在直线L2上对向的两端。第二天线结构22的第二辐射部233可以完全围绕第一辐射部223、或是部分地围绕第一辐射部223。在此实施例中，第二辐射部233部分地围绕第一辐射部223、且大致上为一U字形形状，但是并非限定于此。其中该U字形的开口面向第二馈入端231。在本发明实施例中，第一辐射部223位于第二辐射部233的该开口内的面积大于第一辐射部223位于第二辐射部233的该开口外的面积。但本发明并不限定于此，在本发明另一实施例中，第一天线结构22的第一辐射部223位于第二天线结构23的第二辐射部233之内，亦即第一辐射部223位于第二辐射部233的该开口内。

在本发明实施例中，第一天线结构22的第一馈入路径220(包括第一馈入线222和电容器224)设置在第一馈入端221和第一辐射部223之间，并设置在第二基板202的反面。更明确地说，第一馈入线222具有一第一馈入段2221和一第二馈入段2222。电容器224电性连接在第一馈入线222的第一馈入段2221和第二馈入段2222之间，且第一馈入段2221电性连接在第一馈入端221和电容器224之间。第一天线结构22还包括一馈入金属部225。馈入金属部225电性连接至第二馈入段2212。馈入金属部225一馈入微带线(feeding strip)，但本发明并不限定于此。第一辐射部223的中间具有一孔径(aperture)2231。因此，第一辐射部223大致为一环状结构。馈入金属部225位于第一辐射部223的孔径2231之内。更详细地说，馈入金属部225由第二馈入段2222的一端向上延伸至第一辐射部223的孔径2231的范围内。在本发明实施例中，第一天线结构22的馈入金属部225以间接耦合的方式激发第一天线结构22的第一辐射部223。

在本发明实施例中，第二天线结构23的第二馈入路径230(包括第二馈入线232和电感器234)设置在第二馈入端231和第二辐射部233之间，并设置在第二基板202的反面。更明确地说，第二馈入线232具有一第三馈入段2321和一第四馈入段2322之间。电感器234电性连接在第二馈入线232的一第三馈入段2321和一第四馈入段2322之间，而第三馈入段2321电性连接在第二馈入端231和电感器234之间。第二辐射部233还包括一短路部分2331。短路部分2331电性连接至接地面21。短路部分2331一短路细片(shorting pin)，但本发明并不限定于此。在本发明实施例中，第一天线结构22的电容器224和第二天线结构23的电感器234皆为表面贴装器件(surface mounted components,SMD)。上述表面贴装器件的尺寸远小于双频双馈入天线结构2整体所占空间。因此，设置电容器224和电感器234不需增加双频双馈入天线结构2的整体空间。

图3A、图3B、图3C和图3D为依据本发明一实施例的一双频双馈入天线结构3的示意图。图3A为显示本发明的双频双馈入天线结构3的第一天线结构32和第二天线结构33各别的俯视图。图3B为显示本发明的双频双馈入天线结构3的第一天线结构32和第二天线结构33各别的侧视图。图3C为显示本发明的双频双馈入天线结构3的一三维视图。图3D为显示本发明的双频双馈入天线结构3的馈入金属部325的一三维视图。

如图3A和图3B所示，本实施例的双频双馈入天线结构3包括一第一天线结构32和一第二天线结构33。第一天线结构32操作于一高频频带，而第二天线结构33操作于一低频频带。第一天线结构32包括设置于一第一平面上的一第一辐射部323、一第一馈入端321、以及设置于一第二平面上的一第一馈入路径320。第二天线结构33包括第二馈入端331、设置于该第一平面上的第二辐射部333、以及设置于该第二平面上的第二馈入路径330。第一馈入路径320包括一第一馈入线322及一电容器324，且第二馈入路径330包括一第二馈入线332。第一馈入端321和第二馈入端331分别耦接至第一馈入路径320和第二馈入路径330，由此将各别所接收的信号通过第一馈入路径320和该第二馈入路径330，分别馈入第一辐射部323和第二辐射部333。

如图3C和图3D所示，双频双馈入天线结构3还包括一介质基板30以及一接地面31。介质基板30包括一第一基板301、一第二基板302、一第三基板303。第一基板301的正面301A(面向+Z方向的该第一平面)上设置有第一辐射部323和第二辐射部333。第二基板302的正面302A(面向+Z方向)上设置有接地面31。接地面31耦接至一接地电位。第二基板302的反面302B(面向-Z方向的该第二平面)上设置有第一馈入路径320和第二馈入路径330。第一基板301和第二基板302互相平行。第三基板303，以其正面/反面垂直于第一基板301的正面301A和第二基板302的正面302A的方式，而设置于第一基板301和第二基板302之间。第一至第三基板301～303可以是一FR4(Flame Retardant 4)基板。

在本发明实施例中，双频双馈入天线结构3设计在长度L、宽度W和厚度T分别为100mm、50mm和5mm的空间里面，其中第一基板301的长度L和宽度W和第二基板302的长度L和宽度W皆分别为100mm和50mm。第一天线结构32是该超宽频天线，而第二天线结构33是该超高频天线。第一天线结构32和第二天线结构33皆为垂直的极化方向。该高频频带约介于3GHz～5GHz之间，而该低频频带约介于850MHz～950MHz之间。

在本发明实施例中，第一馈入端321和第二馈入端331分别设置于第二基板302的两侧，使双频双馈入天线结构3对称于第一馈入端321和第二馈入端331的一直线L3。更明确地说，第一馈入路径320和第二馈入路径330是沿同一直线L3而分离地配置；第一辐射部323和第二辐射部333的形状分别对称于直线L3；且第一馈入端321和第二馈入端331分别设在直线L3上对向的两端。第二天线结构32的第二辐射部333的开口方向面向第二馈入端331。第二天线结构32的第二辐射部333至少部分地围绕第一天线结构32的第一辐射部323。

在本发明实施例中，第一天线结构32的第一馈入路径320(包括第一馈入线322和电容器324)设置在第一馈入端321和第一辐射部323之间，并设置在第二基板302的反面302B。更明确地说，第一馈入线322具有一第一馈入段3221和一第二馈入段3222。电容器324电性连接在第一馈入线322的第一馈入段3221和第二馈入段3222之间，且第一馈入段3221电性连接在第一馈入端321和电容器324之间。电容器324该表面贴装器件。

在本发明实施例中，第一辐射部323包括一第一辐射支部3231和一第二辐射支部3232。第一天线结构32的第一辐射部323的第一辐射支部3231位于第二天线结构33的第二辐射部333之内。第一辐射支部3231和第二辐射支部3232皆为椭圆形状，且第一辐射支部3231和第二辐射支部3232的形状和大小皆相同，其中第一辐射支部3231的长轴D约41.6mm，而第一辐射支部3231的短轴D1则约26mm。第一辐射支部3231具有一孔径3233，而第二辐射支部3232具有一孔径3234。孔径3233和孔径3234皆为椭圆形状，其中孔径的该椭圆形状的长轴D2约11.4mm，而孔径的该椭圆形状的短轴D3则约5.1mm。第一辐射支部3231的短轴、第二辐射支部3232的短轴、孔径3233的长轴和孔径3234的长轴皆平行于第一馈入端321至第二馈入端331的一连线L3。

在本发明实施例中，第一天线结构32还包括一馈入金属部325。馈入金属部325电性连接至第二馈入段3222。馈入金属部325为一馈入微带线(feeding strip)，但本发明并不限定于此。馈入金属部325位于第一辐射部323的孔径3233和孔径3234之内。如图3B和图3D所示，馈入金属部325由第二基板302的正面302A向上延伸至第一基板301的反面301B。更详细地说，馈入金属部325由第二基板302的正面302A向上分别延伸至孔径3233的范围内和孔径3234的范围内。

在本发明实施例中，第二天线结构33还包括一第一电感器334和一第二电感器335，而第二辐射部333包括一第一L形辐射支部3331和一第二L形辐射支部3332。第一电感器334设置于第一L形辐射支部3331之中，而第二电感器335设置于第二L形辐射支部3332之中。第一L形辐射支部3331在最接近第一辐射支部3231的区域具有最强的高频电流。相同地，第二L形辐射支部3332在最接近第一辐射支部3231的区域亦具有最强的高频电流。因此，在本发明实施例中，第一电感器334设置于第一L形辐射支部3331最接近第一辐射支部3231的一区域，而第二电感器335设置于第二L形辐射支部3332最接近第一辐射支部3231的一区域。换句话说，第一电感器334和第二电感器335被设置在第一辐射部323和第二辐射部333彼此耦合效应最强的区域。通过上述选定的配置位置，得以进一步降低第一天线结构32和第二天线结构33彼此间的耦合效应。

详细地说，设置于第二L形辐射支部3332中的第二电感器335的X方向宽度T2约1mm，使第二L形辐射支部3332的支臂分成长度L1(约6.2mm)和长度L2(约29.5mm)的两段。第一L形辐射支部3331的支臂和第二L形辐射支部3332的支臂在Y方向的宽度W1皆约2.5mm，第二辐射部333与第二馈入线332耦接处的Y方向宽度W2约5mm，第二辐射部333的X方向长度参数T和T1皆约1mm，但本发明并不限定于此。在本发明实施例中，第二天线结构33的第一电感器334和第二电感器335皆为上述表面贴装器件。上述表面贴装器件的尺寸远小于双频双馈入天线结构3整体所占空间。因此，设置电容器324、第一电感器334和第二电感器335不需增加双频双馈入天线结构3的整体空间。在本发明实施例中，第二辐射部333还包括一短路部分3333。短路部分3333电性连接至接地面31。短路部分3333为一短路细片(shorting pin)，但本发明并不限定于此。

图4A为显示根据本发明一实施例所述的双频双馈入天线结构2的第一天线结构22的天线性能图。图4B为显示根据本发明一实施例所述的双频双馈入天线结构2的第二天线结构23的天线性能图。在图4A和图4B中，未设置电容器224的双频双馈入天线结构2的S参数量测结果以虚线C1表示，而设置有电容器224的双频双馈入天线结构2的S参数量测结果则以实线C2表示。

在图4A和图4B中，依据频带需求，双频双馈入天线结构3的电容器224的电容值选定为2pF，其中电容器224在不同操作频率对应的电抗值表示如以下表(三)。

表(三)

在图4A和图4B中，在该低频频带，第二天线结构23的传输系数S21在设置电容器224之后由-12dB降至-18dB。因此，设置电容器224有助于降低第一天线结构22和第二天线结构23之间的互耦效应。

图5A为显示根据本发明一实施例所述的双频双馈入天线结构2的第一天线结构22的天线性能图。图5B为显示根据本发明一实施例所述的双频双馈入天线结构2的第二天线结构33的天线性能图。在图5A和图5B中，未设置电感器234的双频双馈入天线结构2的S参数量测结果以虚线C3表示，而设置有电感器234的双频双馈入天线结构2的S参数量测结果则以实线C4表示。在图5A和图5B中，依据频带需求，双频双馈入天线结构3的电感器234的电感值选定为6nH，其中电感器234在不同操作频率对应的电抗值表示如以下表(四)。

表(四)

在图5A中，在该高频频带，第一天线结构22的传输系数S12在设置电感器234之后约减少30dB。因此，设置电感器234有助于降低第一天线结构22和第二天线结构23之间的互耦效应。

图6为显示根据本发明一实施例所述的双频双馈入天线结构3的天线性能图。在图6中，未设置任何电容器和电感器的双频双馈入天线结构3的S参数量测结果以虚线C5表示，而设置有电容器324、第一电感器334和第二电感器335的双频双馈入天线结构3的S参数量测结果则以实线C6表示。在图6中，依据频带需求，双频双馈入天线结构3的电容器324的电容值选定为2pF，而双频双馈入天线结构3的第一电感器334和第二电感器335的电感值选定为9.5nH，其中电容器324、第一电感器334和第二电感器335在不同操作频率对应的电抗值表示如以下表(五)和表(六)。

表(五)

表(六)

在图6中，在该高频频带，第一天线结构32的传输系数S12降低至-25dB以下。在该低频频带，第二天线结构33的传输系数S21则降低至-30dB以下。

值得注意的是，以上所述的元件尺寸、元件形状，以及频率范围皆非为本发明的限制条件。天线设计者可以根据不同需要调整这些设定值。本发明的双频双馈入天线结构并不仅限于图1至图3所图示的状态。本发明可以仅包括图1至图3的任何一或多个实施例的任何一或多项特征。换言之，并非所有图示的特征均须同时实施于本发明的双频双馈入天线结构当中。再者，在本说明书以及权利要求中的序数，例如“第一”、“第二”、“第三”等等，彼此之间并没有顺序上的先后关系，其仅用于标示区分两个具有相同名字的不同元件。

本发明虽以较佳实施例公开如上，使得本领域技术人员能够更清楚地理解本发明的内容。然而，本领域技术人员应理解到他们可轻易地以本发明做为基础，设计或修改流程以及操作不同的双频双馈入天线结构进行相同的目的和/或达到这里介绍的实施例的相同优点。因此本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定为准。

双频双馈入天线结构专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。