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闪烁器面板和放射线检测器

闪烁器面板和放射线检测器

IPC分类号 : G01T1/20,G01T1/202,G21K4/00

申请号
CN201380048077.X
可选规格
  • 专利类型: 发明专利
  • 法律状态: 有权
  • 申请日: 2013-09-17
  • 公开号: 104718463A
  • 公开日: 2015-06-17
  • 主分类号: G01T1/20
  • 专利权人: 浜松光子学株式会社

专利摘要

一种用于将放射线转换为闪烁光的闪烁器面板,包括:基板,其具有表面和背面,并且形成有在从上述背面朝向上述表面的规定的方向上从上述表面突出的多个凸部和由上述凸部规定的凹部;在上述基板的上述凸部的各个上形成的多个第一闪烁器部;和在上述基板的上述凹部的底面上形成的第二闪烁器部,上述第一闪烁器部具有从上述凸部的上表面沿上述规定的方向延伸的第一部分和从上述凸部的侧面沿上述规定的方向延伸且与上述第一部分接触的第二部分,上述第一部分和第二部分由闪烁器材料的多个柱状晶体构成,上述第一闪烁器部彼此相互分离,上述第二闪烁器部与上述第二部分接触。

权利要求

1.一种闪烁器面板,其特征在于,

是用于将放射线转换为闪烁光的闪烁器面板,

包括:

基板,其具有表面和背面,并且形成有在从所述背面朝向所述表面的规定的方向上从所述表面突出的多个凸部和由所述凸部规定的凹部;

在所述基板的所述凸部的各个上形成的多个第一闪烁器部;和

在所述基板的所述凹部的底面上形成的第二闪烁器部,

所述第一闪烁器部具有从所述凸部的上表面沿所述规定的方向延伸的第一部分和从所述凸部的侧面沿所述规定的方向延伸且与所述第一部分接触的第二部分,

所述第一部分和所述第二部分由闪烁器材料的多个柱状晶体构成,

所述第一闪烁器部彼此相互分离,

所述第二闪烁器部与所述第二部分接触。

2.如权利要求1所述的闪烁器面板,其特征在于,

所述第一部分由从所述凸部的所述上表面沿所述规定的方向进行晶体生长而形成的多个所述柱状晶体构成,

所述第二部分由从所述凸部的所述侧面沿与所述规定的方向交叉的方向进行晶体生长而形成的多个所述柱状晶体构成。

3.如权利要求2所述的闪烁器面板,其特征在于,

构成所述第一部分的所述柱状晶体的柱径随着从所述凸部的所述上表面离开而扩大,

构成所述第二部分的所述柱状晶体的柱径随着从所述凸部的所述侧面离开而扩大,

构成所述第二部分的所述柱状晶体的柱径的扩大率比构成所述第一部分的所述柱状晶体的柱径的扩大率大。

4.如权利要求1~3中的任一项所述的闪烁器面板,其特征在于,

所述凸部的高度比所述柱状晶体的柱径大。

5.如权利要求1~4中的任一项所述的闪烁器面板,其特征在于,

还包括以覆盖所述第一闪烁器部和所述第二闪烁器部的方式形成的保护膜。

6.如权利要求1~5中的任一项所述的闪烁器面板,其特征在于,

还包括光遮蔽层,该光遮蔽层在所述第一闪烁器部彼此之间形成且用于遮蔽所述闪烁光。

7.一种放射线检测器,其特征在于,

包括权利要求1~6中的任一项所述的闪烁器面板,

所述基板是具有以与所述第一闪烁器部光学结合的方式排列的多个光电转换元件的传感器面板。

8.如权利要求7所述的放射线检测器,其特征在于,

所述基板的所述凸部相对于所述闪烁光具有透过性。

说明书

技术领域

本发明的一个侧面涉及闪烁器面板和放射线检测器。

背景技术

作为上述技术领域的现有技术,例如已知有专利文献1所记载的放射线检测元件。专利文献1所记载的放射线检测元件包括:玻璃基板;设置在玻璃基板上且包括多个光电转换元件的光传感器部;设置在光传感器部上的平坦化膜;和设置在平坦化膜上的多个闪烁器部。特别是在该放射线检测元件,在平坦化膜,形成有与光电转换元件分别对应的多个凸部,闪烁器部的各个以相互接触并被划分开的方式在该凸部的上表面上形成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2001-128064号公报

发明内容

发明所要解决的问题

在专利文献1所记载的放射线检测元件中,如上所述,在基板和光传感器部之上的平坦化膜形成凸部,并且以相互被划分的方式在该凸部的上表面上形成闪烁器部,由此,与在基板和光传感器部的整个面形成闪烁器部的情况相比较,能够实现起因于在闪烁器部的串扰的MTF的降低的抑制等。

但是,当如专利文献1所记载的放射线检测元件那样,在平坦化膜的凸部的上表面上形成闪烁器部时,与在基板和光传感器部的整个面(即平坦化膜的整个面)形成闪烁器部的情况相比较,存在闪烁器部的紧贴性降低、可靠性降低的担忧。

本发明的一个侧面是有鉴于那样的情况而完成的发明,其目的在于提供能够抑制可靠性的降低的闪烁器面板和放射线检测器。

解决问题的技术手段

为了解决上述问题,本发明的一个侧面所涉及的闪烁器面板是用于将放射线转换为闪烁光的闪烁器面板,包括:基板,其具有表面和背面,并且形成有在从背面朝向表面的规定的方向上从表面突出的多个凸部和由凸部规定的凹部;在基板的凸部的各个上形成的多个第一闪烁器部;和在基板的凹部的底面上形成的第二闪烁器部,第一闪烁器部具有从凸部的上表面沿规定的方向延伸的第一部分和从凸部的侧面沿规定的方向延伸且与第一部分接触的第二部分,第一和第二部分由闪烁器材料的多个柱状晶体构成,第一闪烁器部彼此相互分离,第二闪烁器部与第二部分接触。

该闪烁器面板包括在基板的多个凸部上形成的第一闪烁器部和在由基板的凸部规定的凹部的底面上形成的第二闪烁器部。特别是第一闪烁器部不仅包括从凸部的上表面延伸的第一部分而且包括从凸部的侧面延伸且与第一部分接触的第二部分。因此,第一闪烁器部整体与基板的接触面积变大,紧贴性提高。再有,第二部分与在凹部的底面形成的第二闪烁器部接触。因此,构成第二部分的多个柱状晶体从凹部的底面侧被第二闪烁器部支承,因此能够防止它们的脱落。由此,根据该闪烁器面板,能够抑制可靠性的降低。另外,第一闪烁器部不仅具有第一部分而且还具有从凸部的侧面延伸的第二部分,因此,在放射线沿凸部的突出方向(从基板的背面朝向表面的规定的方向)入射的情况下,能够扩大有效区域。

在本发明的一个侧面所涉及的闪烁器面板中,能够为如下方式:第一部分由从凸部的上表面沿规定的方向进行晶体生长而形成的多个柱状晶体构成,第二部分由从凸部的侧面沿与规定的方向交叉的方向进行晶体生长而形成的多个柱状晶体构成。在这种情况下,在放射线沿上述规定的方向入射的情况下,能够更加扩大有效区域。

在本发明的一个侧面所涉及的闪烁器面板中,能够为如下方式:构成第一部分的柱状晶体的柱径随着从凸部的上表面离开而扩大,构成第二部分的柱状晶体的柱径随着从凸部的侧面离开而扩大,构成第二部分的柱状晶体的柱径的扩大率比构成第一部分的柱状晶体的柱径的扩大率大。在这种情况下,构成从凸部的侧面延伸的第二部分的柱状晶体的柱径相对较大,因此有效区域变大,并且放射线吸收变高。

在本发明的一个侧面所涉及的闪烁器面板中,能够为如下方式:凸部的高度比柱状晶体的柱径大。在这种情况下,能够可靠地由多个柱状晶体构成第二部分。此外,能够可靠地将第一闪烁器部彼此分离地形成。

在本发明的一个侧面所涉及的闪烁器面板中,能够为如下方式:还包括以覆盖第一和第二闪烁器部的方式形成的保护膜。在这种情况下,第一和第二闪烁器部的耐湿性得到提高。

本发明的一个侧面所涉及的闪烁器面板能够为如下方式:还包括光遮蔽层,该光遮蔽层在第一闪烁器部彼此之间形成且用于遮蔽闪烁光。在这种情况下,能够将在各个第一闪烁器部产生的闪烁光封入,因此能够实现高亮度、高清晰度。

此处,为了解决上述问题,本发明的一个侧面所涉及的放射线检测器包括上述的闪烁器面板,基板是具有以与第一闪烁器部光学结合的方式排列的多个光电转换元件的传感器面板。该放射线检测器因为具备上述的闪烁器面板,所以能够抑制可靠性的降低。特别是基板为包括光电转换元件的传感器面板,因此能够在该光电转换元件上直接形成凸部,在该凸部之上形成闪烁器部。因此,不需要将另外准备的闪烁器面板和传感器面板贴合。

在本发明的一个侧面所涉及的放射线检测器中,能够为如下方式:基板的凸部相对于闪烁光具有透过性。在这种情况下,能够通过凸部使来自第一闪烁器部的闪烁光有效率地到达光电转换件。

发明的效果

根据本发明的一个侧面,能够提供能够抑制可靠性的降低的、具有分离型闪烁器部的闪烁器面板和具有分离型闪烁器部的放射线检测器。

附图说明

图1是第一实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。

图2是图1所示的闪烁器面板的部分平面图。

图3是图1所示的闪烁器面板的部分侧面图。

图4是表示图1所示的闪烁器面板的一个例子的截面照片。

图5是第二实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。

图6是第三实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。

图7是图6所示的闪烁器面板的部分平面图。

图8是第四实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。

具体实施方式

以下,参照附图,对一个实施方式所涉及的闪烁器面板进行详细的说明。另外,在各图中,对相同或相当部分标注相同符号,省略重复的说明。以下的实施方式所涉及的闪烁器面板是用于将入射的X射线等的放射线R转换为可见光等的闪烁光的闪烁器面板,例如能够在乳房X射线照相装置、胸部检查装置、CT装置、齿科口内摄影装置和放射线照相机等中作为放射线成像用的装置来使用。

[第一实施方式]

首先,对第一实施方式所涉及的闪烁器面板进行说明。图1是第一实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。图2是图1所示的闪烁器面板的部分平面图。图3是图1所示的闪烁器面板的部分侧面图。如图1~3所示,闪烁器面板1具备矩形的基板10。

基板10具有彼此相对的表面10a和背面10b。基板10具有在表面10a形成的凹凸图案Pa。作为基板10的材料,例如能够使用Al或SUS(不锈钢)等的金属、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯等的树脂薄膜、无定形碳或碳纤维强化塑料等的碳类材料、FOP(光纤面板:将直径为几微米的大量光纤捆束而得到的光学装置(例如浜松光电子公司制J5734)等。作为凹凸图案Pa的材料,例如能够使用环氧类树脂(日本化药(株式会社)制KMPR和SU-8等)那样的高深宽比抗蚀剂、硅和玻璃等。特别是构成凹凸图案Pa的凸部的材料能够为对于在下述的闪烁器部20产生的闪烁光具有透过性的材料,在这种情况下,能够在基板10的背面10b侧将闪烁器面板1与具有光电转换元件的传感器面板贴合而构成放射线检测器。

凹凸图案Pa由多个凸部11、以及由凸部11规定的凹部12形成。即,在基板10形成有多个凸部11和凹部12。各个凸部11沿从基板10的背面10b朝向表面10a的规定的方向(此处,放射线R的入射方向和与基板10的表面10a及背面10b正交的方向)从表面10a突出。各个凸部11被形成为长方体状。凸部11在基板10的表面10a上呈二维矩阵状地周期性地排列。因此,由凸部11规定的凹部12是在平面视时呈矩形的格子状的槽。

这样的凹凸图案Pa的各尺寸,在令凸部11的间距(凸部11的形成周期)P为100μm左右的情况下能够令凹部12的宽度(槽宽度)W为35μm左右,在令凸部11的间距P为127μm左右的情况下能够令凹部12的宽度W为20μm~40μm左右,在令凸部11的间距P为200μm左右的情况下能够令凹部12的宽度W为50μm~70μm左右。此外,凸部11的高度H能够为2.5μm~50μm左右。特别是在本实施方式中,令凸部11的间距P为127μm左右,令凹部12的宽度W为45μm左右,令凸部11的高度H为15μm左右。

闪烁器面板1包括在各个凸部11上形成的多个闪烁器部(第一闪烁器部)20和在凹部12内形成的闪烁器部(第二闪烁器部)30。闪烁器部20彼此相互分离(即,闪烁器面板1具有分离型闪烁器部)。闪烁器部30遍及整个凹部12而一体地形成。闪烁器部20、30例如能够由CsI(碘化铯)等形成柱状晶体的闪烁器材料形成。闪烁器部20的高度(闪烁器膜厚)T例如能够为100μm~600μm左右。

闪烁器部20具有第一部分21和第二部分22。第一部分21在平面视时呈矩形,以与凸部11的形状对应。第二部分22在平面视时呈矩形环状,以覆盖第一部分21的侧部。第一部分21从凸部11的上表面11a沿放射线R的入射方向(与基板10大致垂直的方向)延伸。更具体而言,第一部分21由从凸部11的上表面11a沿放射线R的入射方向进行晶体生长而形成的闪烁器材料的多个柱状晶体C1构成。

第二部分22从凸部11的侧面11b沿放射线R的入射方向延伸,与第一部分21接触。第二部分22与第一部分21一体地形成(与第一部分21接合)。更具体而言,第二部分22由从凸部11的侧面11b沿与放射线R的入射方向(与基板10大致垂直的方向)交叉的方向(与规定的方向交叉的方向)进行晶体生长而形成的闪烁器材料的多个柱状晶体C2构成,作为整体沿放射线R的入射方向延伸。柱状晶体C2在凸部11的侧面11b的整个面形成。

构成第一部分21的柱状晶体C1呈随着从凸部11的上表面11a离开而扩径的锥形状。即,柱状晶体C1的柱径R1随着从凸部11的上表面11a离开(即,从上表面11a侧的基端部朝向相反侧的前端部)而扩大。构成第二部分22的柱状晶体C2呈随着从凸部11的侧面11b离开而扩径的锥形状。即,柱状晶体C2的柱径R2随着从凸部11的侧面11b离开(即,从侧面11b侧的基端部朝向相反侧的前端部)而扩径。

特别是柱状晶体C2的柱径R2的扩大率比柱状晶体C1的柱径R1的扩大率大。因此,例如在各个前端部,与柱状晶体C1的柱径R1相比柱状晶体C2的柱径R2相对较大。另外,上述的凸部11的高度H至少比构成第一部分21的柱状晶体C1和构成第二部分22的柱状晶体C2的基端部上的柱径大。因此,在凸部11的上表面11a或侧面11b上形成有多个柱状晶体C1或柱状晶体C2。

闪烁器部30在凹部12内、特别是在凹部12的底面12a上形成。闪烁器部30与闪烁器部20的第一部分21和第二部分22同样,由CsI等闪烁器材料的多个柱状晶体构成。构成闪烁器部30的各柱状晶体从凹部12的底面12a沿放射线R的入射方向进行晶体生长而形成。闪烁器部30呈从凹部12的角部(凸部11的侧面11b与凹部12的底面12a的连接部分)朝向凹部12的宽度方向的中心而厚度增加那样的凸状(截面大致三角形)。闪烁器部30以从凹部12的底面12a侧支承从凸部11的侧面11b延伸的第二部分22的柱状晶体C2的方式与第二部分22接触。因此,第二部分22的与闪烁器部30接触的部分的柱状晶体的柱径比第一部分21的柱状晶体C1的柱径R1小。

如以上那样构成的闪烁器面板1例如能够如以下那样进行制造。即,首先,准备成为基板10的基础的基材,通过在基材上涂布干燥凹凸图案Pa的材料而形成。接着,通过光刻在该基材形成凹凸图案Pa而制作具有所期望的尺寸的凹凸图案Pa的基板10。另外,也可以在基材上通过丝网印刷形成凹凸图案Pa。之后,通过真空蒸镀将CsI等闪烁器材料蒸镀在基板10上。通过对各种蒸镀条件(真空度、蒸镀速率、基板加热温度、蒸气流的角度等)进行控制,能够在凹凸图案Pa上形成上述那样的闪烁器部20、30。

此时,进行闪烁器材料的蒸镀,直至凸部11的上表面11a上的闪烁器部成为规定的高度(例如100μm~600μm)为止。由此,如图4所示那样,从凸部11的上表面11a上形成第一部分21,并且从凸部11的侧面11b上形成第二部分22,从而构成闪烁器部20。此外,同时在凹部12的底面12a上形成闪烁器部30,制造闪烁器面板1。

另外,基板10的凹凸图案Pa的各尺寸(凸部11的间距P、凹部12的宽度W和凸部11的高度H等)为了形成闪烁器部20、30而能够设定为上述的各值,特别是凹部12的宽度W和凸部11的高度H能够与通过真空蒸镀形成的闪烁器部20的高度T相对应而如以下那样设定。

即,在令闪烁器部20的高度T为不到100μm的情况下,能够令凹部12的宽度W为1μm~10μm左右,在令闪烁器部20的高度T为100μm~200μm的情况下,能够令凹部12的宽度W为10μm~40μm左右,在令闪烁器部20的高度T为200μm~400μm的情况下,能够令凹部12的宽度W为40μm~60μm左右,在令闪烁器部20的高度T为400μm~600μm的情况下,能够令凹部12的宽度W为60μm~80μm左右。此时,能够令凸部11的高度H例如为5μm~50μm。

这样,如果与闪烁器部20的高度H相应地设定凹部12的宽度W和凸部11的高度H,则能够将通过真空蒸镀形成的闪烁器部20彼此相互分离(即,能够实现闪烁器部的像素化),并且能够在凹部12的底面12a上形成闪烁器部30。另外,使凹部12的宽度W过宽,从数值孔径的问题出发并不现实。

如以上所说明的那样,本实施方式所涉及的闪烁器面板1包括在基板10的多个凸部11上形成的闪烁器部20和在由基板10的凸部11规定的凹部12的底面12a上形成的闪烁器部30。特别是闪烁器部20不仅包括从凸部11的上表面11a延伸的第一部分21,而且包括从凸部11的侧面11b延伸的第二部分22。因此,闪烁器部20与基板10的接触面积变大,紧贴性得到提高。

此外,在本实施方式所涉及的闪烁器面板1中,从凸部11的侧面11b延伸的第二部分22与在凹部12的底面12a形成的闪烁器部30接触。因此,构成第二部分22的多个柱状晶体C2从凹部12的底面12a侧被闪烁器部30支承,因此能够防止它们的脱落。由此,根据该闪烁器面板1,能够抑制可靠性的降低。

此外,在本实施方式所涉及的闪烁器面板1中,与构成闪烁器部20的第一部分21的柱状晶体C1的柱径R1的放大率相比,构成第二部分22的柱状晶体C2的柱径R2的放大率更大。因此,特别是在各个前端部,第二部分22的柱状晶体C2的柱径R2比第一部分21的柱状晶体C1的柱径R1大。由此,从放射线R的入射方向看有效区域更大,并且放射线R的吸收率得到提高。

再有,在本实施方式所涉及的闪烁器面板1中,使凸部11的高度H比各柱状晶体的柱径大,因此,能够可靠地在凸部11的侧面11b上形成多个柱状晶体C2,而且能够可靠地将闪烁器部20以相互分离的方式在凸部11上形成。如果凸部11的高度H不充分,则在通过蒸镀形成闪烁器部20时存在彼此相邻的闪烁器部20彼此接触的情况。

[第二实施方式]

接着,对第二实施方式所涉及的闪烁器面板进行说明。图5是表示第二实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。如图5所示,本实施方式所涉及的闪烁器面板1A与第一实施方式所涉及的闪烁器面板1相比较,在还具备保护膜40的方面不同。

保护膜40以沿闪烁器部20的外形覆盖整个闪烁器部20、30的方式在闪烁器部20、30上形成。特别是保护膜40在彼此相邻的闪烁器部20彼此之间也形成,但是以不填满彼此相邻的闪烁器部20彼此的间隙的方式(即,以维持该间隙的方式)形成。具体而言,能够令保护膜40的厚度例如为1μm~5μm左右,也可以为2μm~3μm左右。保护膜40例如能够为由聚对二甲苯或聚尿素等构成的耐湿性有机膜。

根据本实施方式所涉及的闪烁器面板1A,能够与第一实施方式所涉及的闪烁器面板1同样地抑制可靠性的降低。再有,根据本实施方式所涉及的闪烁器面板1A,通过设置保护膜40,能够保护闪烁器部20、30不受湿气等的影响,能够提高闪烁器部20的耐湿性。

[第三实施方式]

接着,对第三实施方式所涉及的闪烁器面板进行说明。图6是第三实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。图7是图6所示的闪烁器面板的部分平面图。如图6、7所示,本实施方式所涉及的闪烁器面板1B与第二实施方式所涉及的闪烁器面板1A相比较,在还具备光遮蔽层50的方面不同。另外,在图7中省略保护膜40。

光遮蔽层50是将在闪烁器部20产生的闪烁光反射的光反射层或将在闪烁器部20产生的闪烁光吸收的光吸收层。即,光遮蔽层50用于将在规定的闪烁器部20产生的闪烁光遮蔽而封入于该规定的闪烁器部20。

因此,光遮蔽层50隔着保护膜40而被填充到彼此相邻的闪烁器部20彼此之间的间隙而形成。此外,光遮蔽层50在位于闪烁器面板1B的外周部的闪烁器部20,在与其它闪烁器部20不邻接侧的侧部上也隔着保护膜40而形成。另一方面,光遮蔽层50在闪烁器部20的上端部(与凸部11相反侧的端部)不形成。

因此,光遮蔽层50以除了闪烁器部20的上端部以外,覆盖各闪烁器部20的整体的方式在保护膜40上形成(换言之,各闪烁器部20在其上端部被保护膜40覆盖并且从光遮蔽层50露出)。这样的光遮蔽层50例如能够为包含有机颜料、无机颜料或金属颜料的墨(ink)、涂料或膏体、或包含Ag、Pt或Cu等的金属纳米颗粒的金属纳米墨或各种染料。此外,光遮蔽层50还能够通过利用ALD法(原子层沉积法)或无电解镀等形成金属膜而形成。

根据本实施方式所涉及的闪烁器面板1B,能够与第二实施方式所涉及的闪烁器面板1A同样地抑制可靠性的降低并能够提高耐湿性。再有,根据本实施方式所涉及的闪烁器面板1B,能够通过设置光遮蔽层50,将在规定的闪烁器部20产生的闪烁光封入于该规定的闪烁器部20,因此能够实现高亮度·高清晰度。

[第四实施方式]

接着,对第四实施方式所涉及的闪烁器面板进行说明。图8是第四实施方式所涉及的闪烁器面板的侧面图。如图8所示,本实施方式所涉及的闪烁器面板1C与第三实施方式所涉及的闪烁器面板1B相比较在还具备光遮蔽层60的方面不同。光遮蔽层60与光遮蔽层50同样,为用于遮蔽闪烁光的层,是将闪烁光反射的光反射层或将闪烁光吸收的光吸收层。

光遮蔽层60以覆盖从光遮蔽层50露出的闪烁器部20的上端部(上端部上的保护膜40)的方式遍及基板10上的整体而在保护膜40和光遮蔽层50上形成。光遮蔽层60可以与光遮蔽层50一体地形成,也可以分开形成。此外,光遮蔽层50可以由与光遮蔽层50相同的材料形成,也可以由与光遮蔽层50不同的材料形成。

根据本实施方式所涉及的闪烁器面板1C,与第二实施方式所涉及的闪烁器面板1A同样地能够抑制可靠性的降低并且能够提高耐湿性。再有,根据本实施方式所涉及的闪烁器面板1C,通过设置光遮蔽层50、60,能够将在规定的闪烁器部20产生的闪烁光可靠地封入于该规定的闪烁器部20。

以上的实施方式说明本发明的一个侧面所涉及的闪烁器面板的一个实施方式。因此,本发明的一个侧面并不限定于上述的闪烁器面板1~1C。本发明的一个侧面能够在不变更各权利要求的主旨的范围内任意地变更上述的闪烁器面板1~1C,或应用于其它方面。

例如,在上述实施方式中对将本发明的一个侧面应用于闪烁器面板的情况进行了说明,但是本发明的一个侧面能够应用于具备上述的闪烁器面板等的放射线检测器。在这种情况下,放射线检测器具备上述的闪烁器面板1~1C中的任一闪烁器面板,并且能够令这些基板10为具备以与闪烁器部20光学结合的方式排列的多个光电转换元件的传感器面板(TFT面板或CMOS图像传感器面板)。

在这种情况下,例如形成与作为基板10的TFT面板或CMOS图像传感器的各像素分别对应的凸部11,在其上形成闪烁器部20、30。凸部11的材料或形成方法如上所述。此时,能够利用相对于在闪烁器部20产生的闪烁光具有透过性的材料构成各个凸部11。

根据这样的放射线检测器,因为具备上述的闪烁器面板1~1C,所以能够抑制可靠性的降低。此外,因为基板10为包括光电转换元件的传感器面板,所以如果在该光电转换元件上直接形成凸部11并设置闪烁器部20,则不需要将另外准备的闪烁器面板与传感器面板贴合。

产业上的可利用性

根据本发明的一个侧面,能够提供能够抑制可靠性的降低的、具有分离型闪烁器部的闪烁器面板和具有分离型闪烁器部的放射线检测器。

符号的说明

1、1A、1B、1C…闪烁器面板、10…基板(传感器面板)、11…凸部、11a…上表面、11b…侧面、12…凹部、12a…底面、20…闪烁器部(第一闪烁器部)、21…第一部分、22…第二部分、30…闪烁器部(第二闪烁器部)、40…保护膜、50…光遮蔽层、60…光遮蔽层、C1、C2…柱状晶体、R…放射线、R1、R2…柱径。

闪烁器面板和放射线检测器专利购买费用说明

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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