专利摘要

本实用新型公开了一种带角动量的单能阿秒正电子串生成系统，包括用于生成拉盖尔高斯激光经第一光学系统进入近临界密度靶的拉盖尔‑高斯激光源、具有柱状带径向密度梯度的近临界密度靶、用于生成普通高斯激光并经第二光学系统进入近临界密度靶的高斯激光源，在近临界密度靶内的拉盖尔高斯激光与普通高斯激光互为对向；利用单能阿秒电子串生成系统通过涡旋激光（拉盖尔高斯激光和普通高斯激光）与近临界密度梯度靶相互作用产生单能阿秒正电子串。

权利要求

1.一种带角动量的单能阿秒正电子串生成系统，其特征在于：包括拉盖尔-高斯激光源、柱状带径向密度梯度的近临界密度靶、高斯激光源，所述拉盖尔-高斯激光源生成拉盖尔高斯激光经第一光学系统进入近临界密度靶，所述高斯激光源生成普通高斯激光经第二光学系统进入近临界密度靶，且进入近临界密度靶内的拉盖尔高斯激光与普通高斯激光互为对向。

2.根据权利要求1所述的一种带角动量的单能阿秒正电子串生成系统，其特征在于：所述第一光学系统包括用于将拉盖尔-高斯激光源生成的拉盖尔高斯激光进行聚焦的凹面镜(101)，及用于将经凹面镜(101)聚焦后的拉盖尔高斯激光反射至近临界密度靶内的第一反射镜(102)。

3.根据权利要求1所述的一种带角动量的单能阿秒正电子串生成系统，其特征在于：所述第二光学系统采用能够将普通高斯激光反射进入到近临界密度靶内的第二反射镜(111)。

4.根据权利要求1所述的一种带角动量的单能阿秒正电子串生成系统，其特征在于：所述拉盖尔-高斯激光源生成拉盖尔高斯激光经第一光学系统沿近临界密度靶的轴心进入近临界密度靶。

5.根据权利要求1～4任一项所述的一种带角动量的单能阿秒正电子串生成系统，其特征在于：所述近临界密度靶采用相对设置在第一光学系统和第二光学系统之间的光轴两侧的喷嘴A(106)和喷嘴B(107)生成，且近临界密度靶沿轴向密度分布为中间低两侧高。

6.根据权利要求1～4任一项所述的一种带角动量的单能阿秒正电子串生成系统，其特征在于：在所述第二光学系统和近临界密度靶之间的光轴两侧还分别设置有由两块第二磁铁(108)所构成的第二磁铁系统和由第二正电子探测器(109)及第二负电子探测器(110)所构成的第二探测系统。

7.根据权利要求1～4任一项所述的一种带角动量的单能阿秒正电子串生成系统，其特征在于：在所述第一光学系统和近临界密度靶之间的光轴两侧还分别设置有由两块第一磁铁(105)所构成的第一磁铁系统和由第一正电子探测器(103)及第一负电子探测器(104)所构成的第一探测系统。

8.根据权利要求1～4任一项所述的一种带角动量的单能阿秒正电子串生成系统，其特征在于：所述拉盖尔高斯激光的激光强度为1.3～9.5×1022W/cm2，能够聚焦至焦斑半径为3μm，波长为λ＝1μm，时间构型为高斯型，脉宽为12T0，其中，T0＝c/λ为激光周期，c为真空中的光速。

9.根据权利要求1～4任一项所述的一种带角动量的单能阿秒正电子串生成系统，其特征在于：所述普通高斯激光，强度为3.2×1022W/cm2，焦斑半径为5μm，波长为λ＝1μm，时间构型为高斯型，脉宽为10T0；其中，T0＝c/λ为激光周期，c为真空中的光速。

10.根据权利要求1～4任一项所述的一种带角动量的单能阿秒正电子串生成系统，其特征在于：所述近临界密度靶在光轴向上长度为100μm。

一种带角动量的单能阿秒正电子串生成系统专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。