专利摘要
本实用新型公开了一种极化扭转基片集成频率选择表面结构，包括SIW腔体（2），所述SIW腔体（2）正面刻蚀有槽天线一（1），所述SIW腔体（2）背面刻蚀有槽天线二（3），且所述槽天线一（1）与槽天线二（3）相互正交；所述槽天线一（1）的中间的间距小于两端头的间距；所述槽天线二（3）的中间的间距小于两端头的间距。本实用新型有效地利用了SIW技术高Q值的优点，同时避免了栅瓣的出现而破坏FSS通带内的性能，改善FSS在平面波斜入射情况下的频率响应特性，进一步提高FSS的频率选择性能。
权利要求
1.一种极化扭转基片集成频率选择表面结构，包括SIW腔体（2），其特征在于：所述SIW腔体（2）正面刻蚀有槽天线一（1），所述SIW腔体（2）背面刻蚀有槽天线二（3），且所述槽天线一（1）与槽天线二（3）相互正交；
所述槽天线一（1）的中间的间距小于两端头的间距；所述槽天线二（3）的中间的间距小于两端头的间距。
2.根据权利要求1所述极化扭转基片集成频率选择表面结构，其特征在于：所述槽天线一（1）包括中间段一（11）、左端段（12）、右端段（13），所述中间段一（11）、左端段（12）、右端段（13）依次连接，所述中间段一（11）的间距小于左端段（12）的间距，所述中间段一（11）的间距小于右端段（13）的间距。
3.根据权利要求2所述极化扭转基片集成频率选择表面结构，其特征在于：所述槽天线二（3）包括中间段二（31）、上端段（32）、下端段（33），所述中间段二（31）、上端段（32）、下端段（33）依次连接，所述中间段二（31）的间距小于上端段（32）的间距，所述中间段二（31）的间距小于下端段（33）的间距。
4.根据权利要求3所述极化扭转基片集成频率选择表面结构，其特征在于：所述SIW腔体（2）的表面为正方形。
5.根据权利要求4所述极化扭转基片集成频率选择表面结构，其特征在于：所述SIW腔体（2）的基片选用Rogers5880基片。
一种极化扭转基片集成频率选择表面结构专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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