专利摘要

本发明涉及一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器及其制备方法，所述短沟道有机晶体管多级光存储器包括层叠设置的衬底、栅极、电荷阻挡层、浮栅层、隧穿层、网状源极、源极接触电极、有机半导体层以及漏极；所述网状源极、有机半导体层和漏极形成三明治堆叠结构，网状源极和漏极的重叠区域为器件的有效沟道面积，有机半导体层的厚度为器件的沟道长度，通过控制有机半导体层的厚度即可以实现短沟道有机晶体管的制备；本发明提供的一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器的制备方法不仅仅提高了器件的驱动能力和响应速度，而且提高了器件的存储容量，在柔性上也有巨大的应用价值，为未来的存储器件的应用提供了参考。

权利要求

1.一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器，其特征在于，

1)大小为1.5 cm×1.5 cm的玻璃基板分别在丙酮和异丙醇中分别超声清洗十分钟后用氮气吹干后作为衬底；

2)采用热蒸发的方式利用专用掩膜板在干净衬底上蒸镀100 nm的铝作为栅电极；

3) 采用原子层沉积的方式在栅极上沉积一层氧化铝薄膜作为电荷阻挡层，沉积温度为200℃，得到的氧化铝薄膜厚度为100 nm；

4)将有机绝缘聚合物PVP以15 mg/ml的配比溶解于丙二醇甲醚醋酸酯溶剂中，并在常温下搅拌48小时使其完全溶解，将CdSe/ZnS量子点以3 mg/ml的配比溶解于三氯甲烷中，然后将溶解完全的PVP溶液和量子点溶液以5:2的体积比完全混合；以此溶液为浮栅层材料并用直径为0.22 μm的过滤塞过滤后旋涂在步骤3）中所得的衬底上；旋涂速度为先低速600rpm/min，时间为5 s，再高速2000 rpm/min，时间为30 s；旋涂完后在手套箱内退火2 h，得到厚度为80 nm的浮栅层薄膜；

5)采用原子层沉积的方式在步骤4）中所得的浮栅层上沉积一层氧化铝薄膜作为隧穿层，沉积温度为200℃，得到的氧化铝薄膜厚度为4 nm；

6) 将银纳米线以1 mg/ml的配比分散在异丙醇溶剂中，以此溶液为网状源极材料采用旋涂方式制备在步骤5）中所得的隧穿层上；旋涂速度为2000 rpm/min，时间为60 s，然后在100℃下退火1 min；

7) 采用热蒸发的方式利用专用掩膜板在步骤6)中所得的网状源极上蒸镀出宽为200μm，厚度为50 nm的金作为源极接触电极；

8)将半导体聚合物材料PDVT-8以10 mg/ml的配比溶解于三氯甲烷溶剂中，以此溶液为有机半导体层材料采用旋涂方式制备在步骤6）中所得的网状源极上；旋涂速度为1000rpm/min，时间为60 s，然后在150℃下退火10 min，得到厚度为120 nm的有机半导体层薄膜；

9) 将器件部分浸泡到三氯甲烷溶剂中使得源极接触电极上的PDVT-8全部泡掉，源极接触电极刚好露出来与PDVT-8独立开；

10)采用溅射的方式利用专用掩膜板在步骤9)中所得的有机半导体层上溅射出宽为200 μm，厚度为50 nm的氧化铟锡ITO作为漏电极。

一种基于短沟道有机晶体管的多级光存储器及其制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。