IPC分类号 : H01L45/00; B82Y30/00; B82Y40/00
专利摘要
本发明涉及纳米材料技术领域,涉及一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括碲化锗薄膜材料和单质锗薄膜材料,二者通过磁控溅射法进行纳米量级的交替叠加,形成类超晶格结构。本发明的材料的结构通式为[GeTe(a)/Ge(b)]x,其中:a表示单层GeTe薄膜的厚度(nm),并且1≤a≤50;b表示单层Ge薄膜的厚度(nm),并且1≤b≤13;x表示单层GeTe薄膜和单层Ge薄膜的交替周期数,并且x为任一正整数。本发明的材料具有较快的相变速度、较好的热稳定性以及较低的操作功耗,适合于制备高速、高稳定性、低功耗的相变存储器,极具市场前景。
专利附图
一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
动态评分
0.0