专利摘要

本发明公开了一种表面吸附锂离子的范德华异质结光电二极管器件结构，属于半导体技术领域，包括：源极：空穴注入的单层硼烯，漏极：电子注入的单层C4N4，光敏结构：包括本征单层硼烯与本征单层C4N4垂直堆叠形成的范德华异质结；以及分别与本征单层硼烯和C4N4连接的源漏极；其中硼烯和C4N4的能带结构呈现交错方式的能带重排。其中，在硼烯的上表面设置以HfO2为材质的介电层和上金属电极作为顶栅，在C4N4的下表面设置以BN为材质的介电层和下金属电极作为底栅，形成双栅极结构。分别在上下表面的栅极上设置门电压，通过双门压调控发光二极管电子传输的非对称性；本发明的结构能够解决现有技术中无法有效调控范德华异质结层间肖特基势垒的问题。

专利附图

一种表面吸附锂离子的范德华异质结光电二极管器件结构专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。