IPC分类号 : C01B31/04,B82Y30/00,C23C16/26,C23C16/56,C23C18/42
专利摘要
本发明涉及一种在单层石墨烯膜上可控生长纳米结构的普适方法。本发明铜箔上生长单层石墨烯薄膜：首先选取铜箔在氩气和氢气混合气氛下于高温下退火，然后通入甲烷生长，最后关闭氢气和甲烷并在氩气气氛下冷却至室温，臭氧处理石墨烯：通过改变处理时间控制臭氧对样品处理的程度，沉积贵金属纳米结构：将臭氧处理过的石墨烯/铜箔衬底浸泡到硝酸银水溶液中，沉积不同时间，得到产物。本发明克服了物理方法制备工艺比较繁琐、昂贵的设备、高成本及化学方法石墨烯碳平面上的形核只发生在缺陷处等缺陷。本发明解决石墨烯基复合材料化学合成不形核问题，工艺简单、合成量大、绿色环保、成本低廉、制备过程可控且易于大量合成等优点。
一种在单层石墨烯膜上可控生长纳米结构的普适方法专利购买费用说明
Q：办理专利转让的流程及所需资料
A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。
1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2：按规定缴纳著录项目变更手续费。
3：同时提交相关证明文件原件。
4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q：专利转让变更，多久能出结果
A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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