专利摘要

一种空心纳米球阵列传感器的制备方法，包括如下步骤：(a)衬底基材预处理；(b)光刻蚀法对预处理的硅衬底进行加工；(c)正丙醇中清洗、通氮气干燥；(d)选取Ti作为附着层，Au作为检测电极，采用辉光真空镀膜方法对干燥后的样品进行检测电极沉积；(e)通过剥离技术去除步样品表面残余的光刻胶；(f)制备溶胶溶液，对干燥后的样品衬底进行旋涂制膜；(g)对样品先进行后置热蒸水热处理，然后通氮气保护进行焙烧，制备传感材料与器件一体的气体传感器。本发明把握有害气体分子(SO2)检测技术与应用技术创新的平衡点，实现材料制备与器件集成相统一，提升传感器对SO2的特征识别能力以及对响应信号的快速提取和增强能力。

专利附图

一种空心纳米球阵列传感器的制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。