IPC分类号 : H01L31/049; H01L31/0216; H01L31/18; H01L31/0304
专利摘要
本发明公开了一种背面钝化的晶体硅太阳能电池及其制备方法,以氧化钼作为p型晶体硅钝化层和空穴传输层,具有如下的结构:Ag/SiNx/n‑c‑Si/p‑c‑Si/SiO2/MoO3/Al/Ag,其中x=0.9~1.2,n‑c‑Si为磷掺杂的n型晶体硅。本发明利用氧化钼取代氧化铝作为p型晶体硅电池的背面钝化材料,不仅可以大幅降低了电池背面的复合,同时也可以作为p型晶体硅电池的空穴传输层,因此,在电池的实际生产工艺中不像PERC电池那样需要激光开孔来保证载流子的传输,这就达到了既能降低晶体硅的背面复合、又同时避免了激光开孔带来的负面影响。
专利附图
一种背面钝化的晶体硅太阳能电池及其制备方法专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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