专利摘要

本发明涉及一种调控无机半导体异质结材料生长的制备方法，特别是调控石墨烯/碳化硅(Graphene/SiC)纳米异质结生长的方法。所述的制备方法包括如下步骤：1)在清洗后的SiC晶片上溅射催化剂形成催化剂薄膜；2)将聚合物前驱体和带催化剂薄膜的SiC晶片置于石墨坩埚中；3)将高纯石墨坩埚置于气氛烧结炉中，在保护气体的作用下在1520‑1600℃下保温30‑80min进行热处理，随炉冷却至室温，制得Graphene/SiC纳米异质结。本发明能够实现Graphene/SiC纳米异质结的生长调控；且周期短，工艺可控，在纳米异质结生长的同时即可实现对其组成比例的调控。

专利附图

一种调控Graphene/SiC纳米异质结生长的方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。