专利摘要

本发明公开的精确控制SiC一维纳米材料的方法，包括如下步骤，前躯体准备；基体预处理，包括将催化剂引入基体；纳米线生长，为将基体与前躯体在保护氛围下烧结，升温至热解温度，热解前躯体从而在基体表面形成SiC一维纳米材料，其中SiC一维纳米材料包括本体以及形成于本体端部的头部；冷却。本发明实现了多种截面形态的柱形结构的，同时具有良好的结构稳定性和半导体性能，同时加工制备方便，易于实现。

专利附图

一种精确控制SiC一维纳米材料的方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。