专利摘要
本发明涉及一种4H‑SiC纳米带阵列在高温场发射阴极材料中的应用,属于纳米材料应用领域。该4H‑SiC纳米带阵列为场发射阴极,4H‑SiC纳米带阵列中至少纳米带具有介孔结构,场发射阴极在200‑300℃的电子发射波动性为5‑6%,开启电场为1.2‑0.8V/μm。本发明实现了在常温常压下SiC纳米带阵列场发射阴极的温和制备,且所制备的SiC纳米带阵列场发射阴极在200‑300℃的高温下具有较低的开启电场和具有良好的电子发射稳定性,具备在高温苛刻服役条件下稳定工作的能力。
专利附图
4H-SiC纳米带阵列在高温场发射阴极材料中的应用专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
动态评分
0.0