专利摘要
本发明公开了一种SiC晶须的制备方法,包括下列步骤:1)取碳源和硅源制成前驱体;2)将步骤1)所得前驱体压制成片后,埋入石英砂中,进行微波烧结合成反应,即得。本发明的SiC晶须的制备方法,利用碳优良的吸波性能,采用直接微波合成方法,实现了SiC晶须的快速合成,得到结晶良好的SiC晶须;微波烧结是依靠材料自身的介电损耗来完成材料烧结的,相比于工业传统加热方法,具有能实现体积加热、污染少、烧结周期短、能耗低等优点;所得SiC晶须尺寸均匀,长径比高,结晶度好,缺陷少,产量高;该方法工艺简单,操作方便,生产周期短,烧结温度低,能耗低、污染少,适合大规模工业化生产,具有广阔的应用前景。
专利附图
一种SiC晶须的制备方法专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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