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LED芯片、垂直结构的LED外延片及其制备方法

LED芯片、垂直结构的LED外延片及其制备方法

IPC分类号 : H01L33/06; H01L33/32; H01L33/00

申请号
CN201811527124.X
可选规格
  • 专利类型: 发明专利
  • 法律状态: 有权
  • 申请日: 2018/12/13
  • 公开号: CN109509816A
  • 公开日: 2019/3/22
  • 主分类号: H01L33/06
  • 专利权人: 广东工业大学

专利摘要

本发明公开了一种LED芯片、垂直结构的LED外延片及其制备方法,其中,制备方法包括:在清洗后的金属衬底表面生长GaN成核层,并在GaN成核层表面生长P型GaN层;在P型GaN层表面生长GaN阻挡层,并在GaN阻挡层表面生长多量子阱层;在多量子阱层上生长N型GaN层,以得到垂直结构的LED外延片。本申请公开的上述技术方案,直接在金属衬底上依次生长GaN成核层、P型GaN层、GaN阻挡层、多量子阱层、及N型GaN层,以得到垂直结构的LED外延片,这样就不需要对LED外延片的衬底进行剥离和键合,因此,则可以提高LED外延片的制备效率,并且可以提高最终所制备出的LED外延片的良品率和内量子效率。

专利附图

LED芯片、垂直结构的LED外延片及其制备方法

LED芯片、垂直结构的LED外延片及其制备方法专利购买费用说明

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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