专利摘要

本发明属于半导体材料制备技术领域，涉及一种金属氧化物薄膜的制备方法，尤其是一种金属氧化物高介电常数(简称高K)薄膜和金属氧化物半导体薄膜的制备方法，采用纳米尺寸热物理效应和静电纺丝法相结合的工艺，用于金属氧化物高K介电薄膜制备及薄膜晶体管制备场合，解决传统金属氧化物薄膜制备成本昂贵，工艺复杂，难以工业化生产或者成膜质量低，可靠性差的难题，实现低成本且工业化生产，其整体工艺简单，原理可靠，成膜质量高，制备时间短，能够实现工业化生产，制备的薄膜晶体管性能高，稳定性好，成本低，应用前景广阔，具有良好的经济效益和广阔的市场前景。

专利附图

一种金属氧化物薄膜的制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。