专利摘要

本发明公开了一种大面积完美量子点及其阵列制造方法。首先，在衬底缓冲层之上沉积一层薄的电介质层，采用软紫外纳米压印和刻蚀工艺在电介质层上制作出纳米孔图形阵列；然后，以制备的图形化衬底为模板，使用选择性外延生长工艺，在图形窗口区域纳米孔内生长种子层量子点，去除电介质层，得到种子层；在种子层之上生长隔离层，在隔离层之上垂直堆积生长量子点，获得大面积完美量子点及其阵列。该方法充分结合并利用具有电介质层的图形化衬底、选择性外延生长和垂直堆积生长工艺的优势。实现大小和形状高度均匀、成核位置精确控制、长程有序、光学特性好以及无缺陷的大面积完美量子点的制造，具有成本低、生产效率高、适合规模化生产的优点。

专利附图

一种大面积完美量子点及其阵列制造方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。