专利摘要
本发明公开了一种大功率高亮度发光二极管芯片及其制造方法,它包括:一个金属衬底,在金属衬底之上设有嵌入准光子晶体结构的LED外延片,外延片两侧设有钝化保护层;所述外延片自下向上依次设有:金属键合层、金属反射层、电流扩展和P型欧姆接触层、P型半导体层、发光层、嵌入准光子晶体结构的N型半导体层、N型欧姆接触电极;所述钝化保护层位于金属衬底之上外延片两侧。还公开了该芯片的制造方法。本发明同时解决LED芯片的高效取光和有效散热的问题,克服表面了光子晶体LED结构的缺陷,为大功率、高亮度LED的开发提供一种有效解决方案。
专利附图
一种大功率高亮度发光二极管芯片及其制造方法专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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