IPC分类号 : H01L45/00;H01L27/24;H01L27/28;H01L51/00
专利摘要
本发明公开了一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器。所述有机薄膜是由甲基丙烯酸甲酯和聚醚酰亚胺组成的共混物制成;所述肖特基特性自整流阻变存储器,包括底电极、沉积于底电极上的阻变层和沉积于阻变层上的上电极,所述底电极是导电薄膜电极,所述阻变层是n型PEI-MMA有机薄膜,所述上电极是金电极、银电极、铂电极、钯电极、铝电极、钛电极或铜电极。本发明不仅保持器件具有较好的双极性存储功能,而且增加了存储器的自整流功能,可避免存储器在三维集成时其1R结构存在的串扰问题,其自整流功能具有肖特基特性,较之pn结自整流阻变存储器,具有肖特基二极管带来的开关速度快,开关损耗小等一切优点,降低了功耗,提高了读写速度。
专利附图
一种n型半导体有机薄膜及肖特基特性自整流阻变存储器专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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