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一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法

一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法

IPC分类号 : H01L21/762;H01L21/306;H01L21/265;H01L29/778

申请号
CN201510522304.9
可选规格
  • 专利类型: 发明专利
  • 法律状态: 有权
  • 申请日: 2015-08-24
  • 公开号: CN105070681A
  • 公开日: 2015-11-18
  • 主分类号: H01L21/762
  • 专利权人: 桂林电子科技大学

专利摘要

本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法,针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离,提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法,即首先去除表面高掺杂层,再进行离子注入隔离,有效提高了离子注入的注入效果,进而提高了有源区之间的隔离效果;在同等条件下,离子注入和台面腐蚀相结合的隔离方法,具有电学隔离效果好、工艺兼容性强、对后续工艺影响较小、具有良好的重复性和便于实现等特点,并有效地避免了单独采用台面腐蚀和离子注入的弊端,对半导体制造工艺有很好的使用价值。

专利附图

一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法

一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法专利购买费用说明

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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