专利摘要

本发明公开了基于热耦合增强效应的光纤传感器及其制备方法，基于热耦合增强效应的侧抛结构光纤传感器包括：具有裸露出纤芯的微结构光纤以及对微结构光纤裸露区加热的加热设备，微结构光纤裸露区表面依次沉积有金属颗粒层(101)、热敏材料层(102)和敏感层(103)，金属颗粒层(101)用于吸收放大倏逝波，倏逝波为光纤中传播的电磁波在微结构光纤处产生的倏逝波，敏感层(103)用于检测待测信号。本发明提出的上述光纤传感器具有敏感度高的特点。

专利附图

基于热耦合增强效应的光纤传感器及其制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。