专利摘要
本发明属于光电子信息功能材料技术领域,具体涉及一种Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法,包括如下步骤:称取ZnO粉末和Ga2O3粉末,其中Ga占总粉末的摩尔百分含量为1~3%,将称取的粉末经预烧结和烧结处理,制得Ga掺杂ZnO靶材;将衬底和制得的靶材装入磁控溅射镀膜机中,将溅射室抽真空,通入氩气,控制工作压强为0.1~0.5Pa;将衬底的温度升至300~600℃,控制溅射功率为80~120W,进行镀膜处理,制得Ga掺杂ZnO透明导电薄膜,本发明的制备方法可大面积规模化生产、工艺简单、成本低,制得的透明导电薄膜表面平整致密,粗糙度较小,电阻率低,透过率高,性能稳定,应用前景广阔。
专利附图
一种Ga掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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