专利摘要

本发明公开一种阻变存储器。本发明提供的阻变存储器包括：底电极、MgO纳米线、碳纳米管电极和顶电极。其中，多根MgO纳米线位于底电极的上表面，每一MgO纳米线的顶端与一个碳纳米管的底端直接接触，形成异质结接触；各个碳纳米管电极的顶端与顶电极接触连接。本发明利用异质结接触对电流特性的作用来抑制漏电流，能够增大高阻状态阻值，并且增大导通电流，增强高低阻值比，从而能够降低阻变存储器的功耗。同时，阻变存储器的阻变层由多个MgO纳米线构成，将导电路径限定在纳米线内，难以在空间上发散和衍生，因此，形成的导电路径更短，进一步降低了RRAM特征参数的发散性，有利于进一步缩小存储器的尺寸。

专利附图

一种阻变存储器专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。