专利摘要

本发明公开了一种氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法，相变薄膜材料由Zn、Sb、N三种元素组成，其化学组成通式为Nx（Zn15Sb85）1‑x，其中0.48≤x≤0.49。制备时通过在射频溅射沉积Zn15Sb85薄膜的过程中同时通入氩气和氮气，得到的相变薄膜材料中掺杂氮元素。本发明的掺氮改性相变薄膜材料与纯的Zn15Sb85薄膜相比，改性后的薄膜具有较快的晶化速度，大大提高相变存储器的存储速度；而且改性后的薄膜的晶化温度和激活能较高，数据保持能力得到加强；掺氮改性相变薄膜材料的晶态电阻和非晶态电阻更高，使得RESET功耗降低，有限降低用其制作的相变存储器的操作功耗。

专利附图

氮掺杂改性的相变薄膜材料及其制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。