专利摘要
本发明涉及化工领域,公开了一种有机硅介微孔超低介电薄膜及其制备方法,该薄膜中POSS类有机硅烷前躯体的结构式如下:,其中,n为12、16、18、20或22,X为CH3或CH2CH3;制备方法如下:室温下,将一定量的POSS类前驱体溶解于有机溶剂中,加入适量光产酸剂,搅拌均匀后,在基底上喷涂成膜;待有机溶剂完全挥发后,置于发光二极管灯下照射预设时间,然后置于N、N二甲基甲酰胺中与氟代烷基醇进行酯交换反应24‑72h,洗涤干燥后得到有机硅介微孔超低介电薄膜。与现有超低介电薄膜相比,所得薄膜介电常数更低(1.89),在潮湿环境中介电稳定性更优,而且操作简单、聚合速度快。
专利附图
有机硅介微孔超低介电薄膜及其制备方法专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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