专利摘要

本发明提出了一种n型半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料及其制备方法。该方法所述电极底层采用未掺杂的n型半绝缘GaAs基片，基片上的两个电极区上，采用脉冲激光沉积法镀有钴（Co）掺杂的非晶碳膜（a-C），非晶碳膜层上再采用真空热蒸发方法镀银（Ag）而制成。本发明的n型半绝缘GaAs的欧姆接触电极材料，经多项数据检测，电极的I-V曲线具有很好的线性和对称关系，其性能指标均符合稳定接触电极的要求，且光灵敏度较大，可成功应用于与n型半绝缘GaAs相关的器件中；且与现有技术的制作工艺相比，流程简短、成本低，具有良好的经济效益。

专利附图

一种n型半绝缘GaAs欧姆接触电极材料及其制备方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。