IPC分类号 : H01L31/0236; H01L31/18; H01L31/028; H01L31/06
专利摘要
本发明提供了一种图案化硅结构的制备方法及硅基光伏电池。该制备方法包括:提供一非抛光的硅基底和一具有预设图案的灰度图;按照预设图案设定待显示在硅基底上的像素点阵列,每个像素点由待刻蚀在硅基底上的绒面结构所形成的待刻蚀区和未刻蚀绒面结构的未刻蚀区按照预定比例组成;根据硅基底和绒面结构的光学参数确定像素点的尺寸以及确定将待刻蚀区和未刻蚀区中哪个区域作为像素点的中心区域;获得灰度图的灰度值与像素点的中心区域边长之间的关系;将灰度图的灰度矩阵按照转换关系转换为待显示在硅基底上的像素点阵列组成的结构图形;利用结构图形制作获得光刻掩模板;利用光刻掩模板按照图案化工艺在硅基底上刻蚀出与灰度图对应的图案。
专利附图
一种图案化硅结构的制备方法及硅基光伏电池专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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