专利摘要
本发明涉及一种SiC纳米线,具体涉及一种具有长高长径比的P掺杂SiC纳米线及其制备方法,属于纳米材料技术领域。所述纳米线的相成份为3C-SiC,所述P掺杂SiC纳米线中P掺杂量为0.10-0.15at.%,所述纳米线的直径为50-200nm,长径比为500-3000。制备方法包括如下步骤:有机前驱体热交联固化和粉碎,得有机前驱体粉末;碳纸浸渍在含有催化剂的乙醇溶液中,并超声处理;将有机前驱体粉末和FePO4粉末混合置于石墨坩埚底部,在坩埚顶部放置超声处理后的碳纸;将石墨坩埚及碳纸一起置于气氛烧结炉中,在Ar气氛保护下于1350-1450℃下进行热解;气氛烧结炉先冷却至1080-1150℃,再随炉冷却至室温,即可得到具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线。本发明纳米线的直径为50-200nm,长径比可达500-3000。
专利附图
一种具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线及其制备方法专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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