专利摘要

本发明涉及一种B掺杂SiC纳米线大应变系数高灵敏压力传感器，包括原子力显微镜探针(含Pt/It镀层)、Si片和负载于Si片上的B掺杂SiC纳米线。其制备方法为：将有机前驱体进行预处理得到有机前躯体粉末，取有机前躯体粉末和氧化硼粉末为原料；将催化剂形成于柔性衬底上；然后将原料及柔性衬底一起置于气氛烧结炉中，经程序升温进行热解后再经程序降温生长，制备得到B掺杂SiC纳米线。然后将B掺杂SiC纳米线分散于溶剂中形成混合溶液，然后通过该混合溶液将B掺杂SiC纳米线负载于Si片上，制备成一种应变系数高、灵敏度高的B掺杂SiC纳米线大应变系数高灵敏压力传感器。

专利附图

一种B掺杂SiC纳米线大应变系数高灵敏压力传感器专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。