专利摘要
本发明公开了一种双通道变掺杂LDMOS器件及其制造方法,该器件包括P型衬底,P型衬底中形成有相邻的深N阱和P阱,深N阱的顶部形成多段深度相同且相互间隔的P型帽层,在多段P型帽层下方的深N阱中形成有至少一层注入埋层,深N阱远离P阱的一侧形成有N+漏极,P阱上形成有N+源极和P+源极,在深N阱与P阱交界区域上方的P型衬底上形成有多晶硅栅,多晶硅栅与深N阱和P阱绝缘隔离,其中,注入埋层包括由上至下的N型埋层和P型埋层,多段P型帽层的掺杂浓度互不相同。本发明能够在同样击穿电压前提下,获得更低的比导通电阻。
专利附图
一种双通道变掺杂LDMOS器件及其制造方法专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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