专利摘要
本发明涉及一种二维片状SiC材料的制备方法,属于微波合成技术领域。本发明的二维片状SiC材料的制备方法,包括以下步骤:1)将主要由溶胶和膨胀碳材料组成的分散体系进行凝胶化处理,得到前驱体凝胶;所述溶胶为硅溶胶或由硅源经过水解、缩合得到;2)将所得的前驱体凝胶进行干燥,得到复合粉体;3)将所得的复合粉体进行反应烧成,即得。本发明的二维片状SiC材料的制备方法,以膨胀碳材料作为碳源,分散体系中的硅溶胶颗粒分布于膨胀碳材料的片层状结构表面,也呈片状分布,经过烧成反应后,即可得到具有纳米片状结构的二维片状的SiC材料,具有比表面积更大、更易分散的优点,并且层状结构能够改善其在复合材料的界面润湿性。
专利附图
一种二维片状SiC材料的制备方法专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
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