专利摘要

本发明公开了一种紫外发光二极管，包括蓝宝石衬底与GaN缓冲层，所述紫外发光二极管包括GaN纳米线层与GaN纳米线融合层；所述GaN纳米线层设置在所述紫外发光二极管的蓝宝石衬底表面；所述GaN纳米线层包括GaN纳米线，所述GaN纳米线的两端分别连接所述GaN纳米线融合层和所述蓝宝石衬底，实现所述GaN纳米线融合层与所述蓝宝石衬底间的电连接；所述GaN纳米线融合层设置在所述GaN纳米线层与所述紫外发光二极管的GaN缓冲层之间。本发明通过将传统的GaN层替换成GaN纳米线层，减少了GaN材料与衬底的接触面积，同时也就减少了接触面间的缺陷和位错，提升了内量子效率，进而提高了元件效率。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的紫外发光二极管的制作方法。

专利附图

一种紫外发光二极管及其制作方法专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。