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CMOS气体传感器及其形成方法

CMOS气体传感器及其形成方法

IPC分类号 : H01L27/092;H01L21/8238;G01N27/00

申请号
CN201510046466.X
可选规格
  • 专利类型: 发明专利
  • 法律状态: 有权
  • 申请日: 2015-01-29
  • 公开号: CN104617095A
  • 公开日: 2015-05-13
  • 主分类号: H01L27/092
  • 专利权人: 江西师范大学

专利摘要

一种CMOS气体传感器及其形成方法,其中CMOS气体传感器的形成方法包括:利用MOS器件的多晶硅栅的形成工艺形成气体传感器的多晶硅加热层;利用MOS器件互连结构的形成工艺形成传感器互连结构;然后在传感器互连结构的第二顶层金属互连层表面形成气敏层;采用干法刻蚀工艺刻蚀位于气敏层周围的钝化层、介质层以及部分厚度的衬底,形成环绕气敏层的沟槽;采用各向同性刻蚀工艺对沟槽暴露出的衬底进行刻蚀,在传感器区上方形成悬空结构,悬空结构与传感器区衬底之间具有隔热区域。本发明气体传感器的形成工艺与MOS器件的形成工艺完全兼容,将气体传感器和MOS器件集成在同一芯片上,缩小芯片面积,降低功耗、提高集成度和产量。

专利附图

CMOS气体传感器及其形成方法

CMOS气体传感器及其形成方法专利购买费用说明

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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