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半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体

半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体

IPC分类号 : E04H9/10,E04H9/00

申请号
CN201720286211.5
可选规格
  • 专利类型: 实用新型专利
  • 法律状态: 有权
  • 申请日: 2017-03-22
  • 公开号: 206646895U
  • 公开日: 2017-11-17
  • 主分类号: E04H9/10
  • 专利权人: 中国人民解放军装甲兵工程学院

专利摘要

半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体,包括基坑,基坑的底部铺设有混凝土制成的地基层,地基层上端面的前部与混凝土制成的前挡墙的底部相连为一体,前挡墙向上延伸至基坑上方,地基层的左端侧边与混凝土制成的左挡墙的底端相连为一体,左挡墙向上延伸至基坑上方,地基层的右端侧边与混凝土制成的右挡墙的底端相连为一体,右挡墙向上延伸至基坑上方,地基层的后端侧边与混凝土制成的后挡墙的底端相连为一体,后挡墙向上延伸至基坑上方,后挡墙的墙面为中部向后凸起的半圆弧形。其目的是提供一种可在投弹人员未能将手榴弹投向远处也能确保投弹人员安全,有效避免人员伤亡事故发生,进而让训练可以正常进行下去的半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体。

权利要求

1.半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体,其特征在于:包括基坑,基坑的底部沿水平方向铺设有混凝土制成的地基层(1),地基层(1)上端面的前部与混凝土制成的前挡墙(5)的底部相连为一体,前挡墙(5)的墙面位于左右竖直方向,前挡墙(5)向上延伸至基坑上方,地基层(1)的左端侧边与混凝土制成的左挡墙(2)的底端相连为一体,左挡墙(2)的墙面位于前后竖直方向,左挡墙(2)向上延伸至基坑上方,地基层(1)的右端侧边与混凝土制成的右挡墙(3)的底端相连为一体,右挡墙(3)的墙面位于前后竖直方向,右挡墙(3)向上延伸至基坑上方,地基层(1)的后端侧边与混凝土制成的后挡墙(4)的底端相连为一体,后挡墙(4)的墙面位于竖直方向,后挡墙(4)向上延伸至基坑上方,后挡墙(4)的墙面为中部向后凸起的半圆弧形;

所述前挡墙(5)的左侧边与左挡墙(2)的前侧边相连为一体,前挡墙(5)的右侧边与右挡墙(3)的前侧边相连为一体,后挡墙(4)的左侧边与左挡墙(2)的后侧边相连为一体,后挡墙(4)的右侧边与右挡墙(3)的后侧边相连为一体;

所述基坑的顶部沿水平方向设有混凝土制成的投掷平台(6),投掷平台(6)的前端侧边与前挡墙(5)的中上部相连为一体,投掷平台(6)的左侧边与左挡墙(2)之间设有左落弹沟(7),投掷平台(6)的右侧边与右挡墙(3)之间设有右落弹沟(8),投掷平台(6)朝后的侧边与后挡墙(4)之间设有后落弹沟(9),投掷平台(6)下端面的中部与混凝土制成的支撑墙(10)的顶端相连为一体,支撑墙(10)的墙面位于竖直方向,支撑墙(10)的底端与地基层(1)相连为一体;

所述投掷平台(6)朝向左落弹沟(7)、右落弹沟(8)和后落弹沟(9)的侧面分别为一个里高外低的斜坡面。

2.根据权利要求1所述的半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体,其特征在于:所述左挡墙(2)朝向左落弹沟(7)的墙面为一个里低外高的斜坡墙面,右挡墙(3)朝向右落弹沟(8)的墙面为一个里低外高的斜坡墙面,后挡墙(4)朝向后落弹沟(9)的墙面为一个里低外高的斜坡墙面。

3.根据权利要求2所述的半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体,其特征在于:所述地基层(1)的上端面为一个中间低、外侧高的下凹面。

4.根据权利要求3所述的半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体,其特征在于:所述左挡墙(2)的前部或右挡墙(3)的前部设有人员出入口,人员出入口的宽度为800mm—1000mm。

5.根据权利要求1至4中任何一项所述的半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体,其特征在于:所述左落弹沟(7)、右落弹沟(8)和后落弹沟(9)的宽度同为250mm—300mm,所述地基层(1)的厚度为750mm—1200mm,地基层(1)的顶端与地面之间的距离为2600mm—2900mm,前挡墙(5)在投掷平台(6)上方的高度为1100mm—1200mm,前挡墙(5)的厚度为350mm—400mm,左挡墙(2)在投掷平台(6)上方的高度为900mm—1000mm,左挡墙(2)的厚度为300mm—350mm,右挡墙(3)在投掷平台(6)上方的高度为900mm—1000mm,右挡墙(3)的厚度为300mm—350mm,后挡墙(4)在投掷平台(6)上方的高度为900mm—1000mm,后挡墙(4)的厚度为300mm—350mm,支撑墙(10)的厚度为500mm—650mm。

6.根据权利要求5所述的半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体,其特征在于:所述前挡墙(5)、左挡墙(2)、右挡墙(3)、后挡墙(4)、投掷平台(6)和支撑墙(10)内设有钢筋网。

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体。

背景技术

在现有技术中,由于场地设置不科学,在手榴弹实弹投掷过程中,每当出现险情,常常会造成人员伤亡事故发生,由此会给投弹训练造成严重的干扰,令训练难以正常进行下去。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种可在投弹人员未能将手榴弹投向远处也能确保投弹人员安全,有效避免人员伤亡事故发生,进而让训练可以正常进行下去的半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体。

本实用新型的半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体,包括基坑,基坑的底部沿水平方向铺设有混凝土制成的地基层,地基层上端面的前部与混凝土制成的前挡墙的底部相连为一体,前挡墙的墙面位于左右竖直方向,前挡墙向上延伸至基坑上方,地基层的左端侧边与混凝土制成的左挡墙的底端相连为一体,左挡墙的墙面位于前后竖直方向,左挡墙向上延伸至基坑上方,地基层的右端侧边与混凝土制成的右挡墙的底端相连为一体,右挡墙的墙面位于前后竖直方向,右挡墙向上延伸至基坑上方,地基层的后端侧边与混凝土制成的后挡墙的底端相连为一体,后挡墙的墙面位于竖直方向,后挡墙向上延伸至基坑上方,后挡墙的墙面为中部向后凸起的半圆弧形;

所述前挡墙的左侧边与左挡墙的前侧边相连为一体,前挡墙的右侧边与右挡墙的前侧边相连为一体,后挡墙的左侧边与左挡墙的后侧边相连为一体,后挡墙的右侧边与右挡墙的后侧边相连为一体;

所述基坑的顶部沿水平方向设有混凝土制成的投掷平台,投掷平台的前端侧边与前挡墙的中上部相连为一体,投掷平台的左侧边与左挡墙之间设有左落弹沟,投掷平台的右侧边与右挡墙之间设有右落弹沟,投掷平台朝后的侧边与后挡墙之间设有后落弹沟,投掷平台下端面的中部与混凝土制成的支撑墙的顶端相连为一体,支撑墙的墙面位于竖直方向,支撑墙的底端与地基层相连为一体;

所述投掷平台朝向左落弹沟、右落弹沟和后落弹沟的侧面分别为一个里高外低的斜坡面。

优选地,所述左挡墙朝向左落弹沟的墙面为一个里低外高的斜坡墙面,右挡墙朝向右落弹沟的墙面为一个里低外高的斜坡墙面,后挡墙朝向后落弹沟的墙面为一个里低外高的斜坡墙面。

优选地,所述地基层的上端面为一个中间低、外侧高的下凹面。

优选地,所述地左挡墙的前部或右挡墙的前部设有人员出入口,人员出入口的宽度为800mm—1000mm。

优选地,所述左落弹沟、右落弹沟和后落弹沟的宽度同为250mm—300mm,所述地基层的厚度为750mm—1200mm,地基层的顶端与地面之间的距离为2600mm—2900mm,前挡墙在投掷平台上方的高度为1100mm—1200mm,前挡墙的厚度为350mm—400mm,左挡墙在投掷平台上方的高度为900mm—1000mm,左挡墙的厚度为300mm—350mm,右挡墙在投掷平台上方的高度为900mm—1000mm,右挡墙的厚度为300mm—350mm,后挡墙在投掷平台上方的高度为900mm—1000mm,后挡墙的厚度为300mm—350mm,支撑墙的厚度为500mm—650mm。

优选地,所述前挡墙、左挡墙、右挡墙、后挡墙、投掷平台和支撑墙内设有钢筋网。

本实用新型的半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体在使用时,可让投弹人员和保护人员都站在投掷平台上,投弹人员手握手榴弹向前方投弹,投弹完毕立即俯下身体,躲在前挡墙、左挡墙、右挡墙、后挡墙围成的掩体内,则即使因失误导致手榴弹在前挡墙、左挡墙、右挡墙、后挡墙很近处发生爆炸,不会对躲在前挡墙、左挡墙、右挡墙、后挡墙围成的掩体内的投弹人员和保护人员造成伤害,如果因失误导致手榴弹落入了前挡墙、左挡墙、右挡墙、后挡墙围成的掩体内,其通常也会滚落进入左落弹沟、右落弹沟和后落弹沟中,或者是手榴弹被投弹人员和保护人员踢入左落弹沟、右落弹沟和后落弹沟中,进而落入位于投掷平台下方的地下室中并发生爆炸,由此也可避免手榴弹对投弹人员和保护人员造成伤害。因此,本实用新型的半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体具有可在投弹人员未能将手榴弹投向远处也能确保投弹人员安全,有效避免人员伤亡事故发生,进而让训练可以正常进行下去的特点。

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

附图说明

图1为本实用新型的半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体的主视剖面图;

图2为图1的俯视图。

具体实施方式

如图1和图2所示,本实用新型的半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体,包括位于地面下方的基坑,基坑的底部沿水平方向铺设有混凝土制成的地基层1,地基层1上端面的前部与混凝土制成的前挡墙5的底部相连为一体,前挡墙5的墙面位于左右竖直方向,前挡墙5向上延伸至基坑上方,前挡墙5的前表面与基坑之间的缝隙用土填埋压实,地基层1的左端侧边与混凝土制成的左挡墙2的底端相连为一体,左挡墙2的墙面位于前后竖直方向,左挡墙2向上延伸至基坑上方,左挡墙2的左表面与基坑之间的缝隙用土填埋压实,地基层1的右端侧边与混凝土制成的右挡墙3的底端相连为一体,右挡墙3的墙面位于前后竖直方向,右挡墙3向上延伸至基坑上方,右挡墙3的右表面与基坑之间的缝隙用土填埋压实,地基层1的后端侧边与混凝土制成的后挡墙4的底端相连为一体,后挡墙4的墙面位于竖直方向,后挡墙4向上延伸至基坑上方,后挡墙4的外表面与基坑之间的缝隙用土填埋压实,后挡墙4的墙面为中部向后凸起的半圆弧形;

所述前挡墙5的左侧边与左挡墙2的前侧边相连为一体,前挡墙5的右侧边与右挡墙3的前侧边相连为一体,后挡墙4的左侧边与左挡墙2的后侧边相连为一体,后挡墙4的右侧边与右挡墙3的后侧边相连为一体;前挡墙5、左挡墙2、右挡墙3和后挡墙4相连构成一个环形的投弹掩体,投弹掩体内左右方向的宽度为2300mm—2700mm,投弹掩体内前后方向的距离为3600mm—4000mm。

所述基坑的顶部沿水平方向设有混凝土制成的投掷平台6,投掷平台6的前端侧边与前挡墙5的中上部相连为一体,投掷平台6的左侧边与左挡墙2之间设有左落弹沟7,投掷平台6的右侧边与右挡墙3之间设有右落弹沟8,投掷平台6朝后的侧边与后挡墙4之间设有后落弹沟9,投掷平台6下端面的中部与混凝土制成的支撑墙10的顶端相连为一体,支撑墙10的墙面位于竖直方向,支撑墙10的底端与地基层1相连为一体;

所述投掷平台6朝向左落弹沟7、右落弹沟8和后落弹沟9的侧面分别为一个里高外低的斜坡面,该3个斜坡面与地面之间的夹角为12°—25°。

作为本实用新型的进一步改进,上述左挡墙2朝向左落弹沟7的墙面为一个里低外高的斜坡墙面,右挡墙3朝向右落弹沟8的墙面为一个里低外高的斜坡墙面,后挡墙4朝向后落弹沟9的墙面为一个里低外高的斜坡墙面。该3个斜坡墙面与地面之间的夹角为55°—75°。

作为本实用新型的进一步改进,上述地基层1的上端面为一个中间低、外侧高的下凹面。

作为本实用新型的进一步改进,上述地左挡墙2的前部或右挡墙3的前部设有人员出入口,人员出入口的宽度为800mm—1000mm。

作为本实用新型的进一步改进,上述左落弹沟7、右落弹沟8和后落弹沟9的宽度同为250mm—300mm,所述地基层1的厚度为750mm—1200mm,地基层1的顶端与地面之间的距离为2600mm—2900mm,前挡墙5在投掷平台6上方的高度为1100mm—1200mm,前挡墙5的厚度为350mm—400mm,左挡墙2在投掷平台6上方的高度为900mm—1000mm,左挡墙2的厚度为300mm—350mm,右挡墙3在投掷平台6上方的高度为900mm—1000mm,右挡墙3的厚度为300mm—350mm,后挡墙4在投掷平台6上方的高度为900mm—1000mm,后挡墙4的厚度为300mm—350mm,支撑墙10的厚度为500mm—650mm。

作为本实用新型的进一步改进,上述前挡墙5、左挡墙2、右挡墙3、后挡墙4、投掷平台6和支撑墙10内设有钢筋网。

本实用新型的半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体在使用时,可让投弹人员和保护人员都站在投掷平台6上,投弹人员手握手榴弹向前方投弹,投弹完毕立即俯下身体,躲在前挡墙5、左挡墙2、右挡墙3、后挡墙4围成的掩体内,则即使因失误导致手榴弹在前挡墙5、左挡墙2、右挡墙3、后挡墙4很近处发生爆炸,不会对躲在前挡墙5、左挡墙2、右挡墙3、后挡墙4围成的掩体内的投弹人员和保护人员造成伤害,如果因失误导致手榴弹落入了前挡墙5、左挡墙2、右挡墙3、后挡墙4围成的掩体内,其通常也会滚落进入左落弹沟7、右落弹沟8和后落弹沟9中,或者是手榴弹被投弹人员和保护人员踢入左落弹沟7、右落弹沟8和后落弹沟9中,进而落入位于投掷平台6下方的地下室中并发生爆炸,由此也可避免手榴弹对投弹人员和保护人员造成伤害。

本发明解决了实投危险问题,只要将手榴弹从前挡墙5位置投出,然后蹲下,就能保证安全;如失误投在前挡墙5、左挡墙2、右挡墙3、后挡墙4围成的掩体外,甚至是万一掉在脚下,只需将手榴弹拨入左落弹沟7、右落弹沟8和后落弹沟9中,然后蹲下别动,均能保证投弹人员的安全。

半遮架构环防式手榴弹实弹投掷掩体专利购买费用说明

专利买卖交易资料

Q:办理专利转让的流程及所需资料

A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。

1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2:按规定缴纳著录项目变更手续费。

3:同时提交相关证明文件原件。

4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q:专利转让变更,多久能出结果

A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。

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