专利摘要
本实用新型公开了一种适用于多样化体型样品的电波暗室,包括屏蔽室框架,屏蔽室框架为一侧开口的半封闭结构,屏蔽室框架底部的一侧设有天线升降台,屏蔽室框架底部的另一侧设有检测器,屏蔽室框架内壁上设有锥形块,每个锥形块顶部的表面均设有铁氧体,屏蔽室框架底部设有用于连接屏蔽室框架内各个电器件的电线,电线一端与电源连接,屏蔽室框架的开口处设有用于将其封闭的大门,大门上设有可供工作人员通过的小门,屏蔽室框架的顶部内壁上设有冷光灯。本实用新型通过选用聚氨酯泡沫作为锥形块的材质,可以有效吸收入射的电磁波能量,并使其散射大幅度衰减;通过小门和大门的设置,将工作人员与大型测试产品分隔开来,适用于不同产品的测试。
权利要求
1.一种适用于多样化体型样品的电波暗室,其特征在于,包括屏蔽室框架(1),屏蔽室框架(1)为一侧开口的半封闭结构,屏蔽室框架(1)底部的一侧设有天线升降台(3),屏蔽室框架(1)底部的另一侧设有检测器(2),屏蔽室框架(1)内壁上设有锥形块(4),每个锥形块(4)顶部的表面均设有铁氧体(5),屏蔽室框架(1)底部设有用于连接屏蔽室框架(1)内各个电器件的电线(6),电线(6)一端与电源(7)连接,屏蔽室框架(1)的开口处设有用于将其封闭的大门(8),大门(8)上设有可供工作人员通过的小门(9),屏蔽室框架(1)的顶部内壁上设有冷光灯(10)。
2.如权利要求1所述的一种适用于多样化体型样品的电波暗室,其特征在于,所述的锥形块(4)的材质为聚氨酯泡沫。
3.如权利要求1或2所述的一种适用于多样化体型样品的电波暗室,其特征在于,所述的锥形块(4)的形状呈现为倒锥形。
4.如权利要求1或2所述的一种适用于多样化体型样品的电波暗室,其特征在于,所述的锥形块(4)均布在屏蔽室框架(1)除了底面的四面内壁上。
5.如权利要求1所述的一种适用于多样化体型样品的电波暗室,其特征在于,所述的天线升降台(3)底部通过联轴器连接电机,电机另一端与电线(6)连接。
6.如权利要求5所述的一种适用于多样化体型样品的电波暗室,其特征在于,所述的电机内设有可远程控制天线升降台(3)升降和旋转的伺服控制器。
7.如权利要求1所述的一种适用于多样化体型样品的电波暗室,其特征在于,所述的电线(6)上与电源(7)连接一端设于屏蔽室框架(1)的外侧,电线(6)的另一端设于屏蔽室框架(1)内部;电线(6)设于屏蔽室框架(1)内的一端上包裹有黑色吸光胶布。
8.如权利要求1所述的一种适用于多样化体型样品的电波暗室,其特征在于,所述的屏蔽室框架(1)开口处的外壁通过轴孔配合连接大门(8),大门(8)通过轴孔配合连接小门(9)。
9.如权利要求1或8所述的一种适用于多样化体型样品的电波暗室,其特征在于,所述的大门(8)上的轴一端通过联轴器连接在屏蔽室框架(1)底部的电机上。
10.如权利要求1所述的一种适用于多样化体型样品的电波暗室,其特征在于,所述的冷光灯(10)设于屏蔽室框架(1)顶部的角落处;冷光灯(10)的照射角度为可均匀照耀在整个电波暗室的各个角落的呈半圆状散射光线。
说明书
技术领域
本实用新型涉及一种适用于多样化体型样品的电波暗室,属于薄膜包装设备技术和电磁测试技术领域。
背景技术
近年来,各领域军用、民用各单位都建立了五花八门的电波暗室,以应对天线测试、系统联调、电气部件EMC测试设定,国内外有成千上万的暗室。有的已进入报废更新年代,现有的电子产品的个体体积也呈现出越来越大的差异,有的电子产品体积非常小巧,而有的电子产品外形庞大,而传统的电波暗室中通常只有一个小型人员通道入口,显然无法适应测试体积重量差异较大的产品。因此,传统的电波暗室已无法满足现今产品多样化的辐射骚扰测试的要求,而且由于之前电磁波吸收基础材料的不够优良,导致测试效果往往不太理想。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是:如何使得暗室适用于测试体积重量差异较大的产品以及如何提高测试效果。
为了解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是提供了一种适用于多样化体型样品的电波暗室,其特征在于,包括屏蔽室框架,屏蔽室框架为一侧开口的半封闭结构,屏蔽室框架底部的一侧设有天线升降台,屏蔽室框架底部的另一侧设有检测器,屏蔽室框架内壁上设有锥形块,每个锥形块顶部的表面均设有铁氧体,屏蔽室框架底部设有用于连接屏蔽室框架内各个电器件的电线,电线一端与电源连接,屏蔽室框架的开口处设有用于将其封闭的大门,大门上设有可供工作人员通过的小门,屏蔽室框架的顶部内壁上设有冷光灯。
优选地,所述的锥形块的材质为聚氨酯泡沫。
优选地,所述的锥形块的形状呈现为倒锥形。
优选地,所述的锥形块均布在屏蔽室框架除了底面的四面内壁上。
优选地,所述的天线升降台底部通过联轴器连接电机,电机另一端与电线连接。
优选地,所述的电机内设有可远程控制天线升降台升降和旋转的伺服控制器。
优选地,所述的电线上与电源连接一端设于屏蔽室框架的外侧,电线的另一端设于屏蔽室框架内部;电线设于屏蔽室框架内的一端上包裹有黑色吸光胶布。
优选地,所述的屏蔽室框架开口处的外壁通过轴孔配合连接大门,大门通过轴孔配合连接小门。
优选地,所述的大门上的轴一端通过联轴器连接在屏蔽室框架底部的电机上。
优选地,所述的冷光灯设于屏蔽室框架顶部的角落处;冷光灯的照射角度为可均匀照耀在整个电波暗室的各个角落的呈半圆状散射光线。
在使用时,通过小门和大门的设置,很好的将工作人员与大型测试产品分隔开来,可以适用于不同产品的测试,通过监测器来实时监视电波暗室中的试验情况。
屏蔽室框架内壁上粘接的锥形块材质为聚氨酯泡沫,且锥形块形状呈现为倒锥形。在所选材料聚氨酯泡沫的作用下,可以有效吸收入射的电磁波能量,并使其散射大幅度衰减。
天线升降台底部通过联轴器连接有电机,而电机另一端连接在电线上。用电机带动天线升降台升降和转动,可以相对准确的达到测试所需位置,有利于提高测试结果的准确性。
电线一端伸入屏蔽室框架内部,电线伸入的一端包裹有黑色吸光胶布。通过在电线上包裹黑色吸光胶布,可以使得整个电波暗室内部处于黑暗的环境下,把整个密闭的屏蔽室优化成绝对黑暗的环境。
大门上的轴一端通过联轴器连接在屏蔽室框架底部电机上。电机控制大门的设计,可以有效防止由于大门过重导致人员关闭不够紧密的漏洞。
与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:
1、通过选用聚氨酯泡沫作为锥形块的材质,可以有效吸收入射的电磁波能量,并使其散射大幅度衰减;即有效提高吸收电磁波的效率;
2、通过在电线上包裹黑色吸光胶布,可以使得整个电波暗室内部处于黑暗的环境下,把整个密闭的屏蔽室优化成绝对黑暗的环境;
3、通过小门和大门的设置,很好的将工作人员与大型测试产品分隔开来,可以适用于不同产品的测试,提高这个电波暗室的互换性。
附图说明
图1为一种适用于多样化体型样品的电波暗室的侧面剖视结构示意图;
图2为一种适用于多样化体型样品的电波暗室的整体结构示意图;
图3为一种适用于多样化体型样品的电波暗室凸显冷光灯仰视结构示意图。
具体实施方式
为使本实用新型更明显易懂,兹以优选实施例,并配合附图作详细说明如下。
本实用新型为一种适用于多样化体型样品的电波暗室,如图1所示,其包括屏蔽室框架1、检测样品测试期间功能状态的监测器2、固定天线及调整天线高度的天线升降台3、反射衰减信号机屏蔽信号的锥形块4和铁氧体5、给检测器 2和天线升降台3供电的电源7和电线6、样品进出的大门8、人员进出的小门9、室内照明用的冷光灯10。屏蔽室框架1为一侧开口的半封闭结构,屏蔽室框架1 底部一侧通过螺栓连接有天线升降台3,屏蔽室框架1底部另一侧通过螺栓连接有检测器2,屏蔽室框架1内壁上粘接有锥形块4,锥形块4顶部表面粘接有铁氧体5,屏蔽室框架1底部焊接有电线6,电线6一端通过压合连接有电源7,电源7设于屏蔽室框架1的外侧,屏蔽室框架1开口处的外壁通过轴孔配合连接有大门8,大门8通过轴孔配合连接有小门9,小门9的大小为可供工作人员通过。屏蔽室框架1顶部内壁通过螺栓连接有冷光灯10。大门8、小门9与屏蔽室框架1形成封闭式结构。其中,磁性陶瓷又称为铁氧体,这类材料是指具有铁离子、氧离子及其他金属离子所组成的复合氧化物磁性材料,存在少数不含铁的磁性氧化物。
如图1所示,屏蔽室框架1内壁上粘接的锥形块4材质为聚氨酯泡沫,均匀分布在四面内壁上,且锥形块4形状呈现为倒锥形。
如图1所示,天线升降台3底部通过联轴器连接有电机,而电机另一端连接在电线6上,电机内部安装有伺服控制器,可远程控制天线升降台3的升降和旋转。
如图1所示,电线6一端伸入屏蔽室框架1内部,电线6伸入的一端包裹有黑色吸光胶布。
如图1所示,锥形块4和铁氧体5均布在屏蔽室框架1四面内壁上。
如图2所示,大门8上的轴一端通过联轴器连接在屏蔽室框架1底部电机上。
如图3所示,冷光灯10安装在屏蔽室框架1顶部角落处。冷光灯10呈半圆状散射光线,当安装测试产品时光线可均匀照耀在整个电波暗室的各个角落。
本实用新型的工作过程如下:
先打开冷光灯10,照亮整个电波暗室,再将大门8打开,把测试产品运送进暗室内,之后工作人员通过小门9进入暗室进行准备,当准备完成后,将冷光灯10关闭,大门8和小门9先后关闭,打开监视器2,通过调节天线升降台3 到达理想位置,从而大大提高了测试结果的准确性。
一种适用于多样化体型样品的电波暗室专利购买费用说明
Q:办理专利转让的流程及所需资料
A:专利权人变更需要办理著录项目变更手续,有代理机构的,变更手续应当由代理机构办理。
1:专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。
2:按规定缴纳著录项目变更手续费。
3:同时提交相关证明文件原件。
4:专利权转移的,变更后的专利权人委托新专利代理机构的,应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。
Q:专利著录项目变更费用如何缴交
A:(1)直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,(2)通过代办处缴纳,(3)通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式
Q:专利转让变更,多久能出结果
A:著录项目变更请求书递交后,一般1-2个月左右就会收到通知,国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。
动态评分
0.0