专利摘要

本发明提供一种磁性存储轨道和磁性存储器，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，且该过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，包括选通电路和读写装置。由于磁性存储轨道包括多个堆叠的存储轨道单元，从而磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成，因此，当增大磁性存储轨道的轨道长度时，可通过增加存储轨道单元实现，避免增加存储轨道单元的轨道长度，从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致工艺难度增大的技术问题。

权利要求

1.一种磁性存储轨道，其特征在于，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，其中，所述存储轨道单元包括由磁性材料构成的用于存储数据的数据区域，每个过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，每个过渡层中包括：

选通电路，所述选通电路的一端与层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元连接，所述选通电路的另一端连接驱动电源，用于向层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元传输驱动信号，所述驱动信号用于驱动所述存储轨道单元中的磁畴移动；

读写装置，与层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元连接，用于在所述选通电路传输的驱动脉冲的作用下，对层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元中的磁畴进行读操作或写操作。

2.根据权利要求1所述的磁性存储轨道，其特征在于，所述选通电路包括金属氧化物半导体MOS管，其中：

所述MOS管的第一端用于输入控制信号，所述控制信号用于控制所述MOS管处于导通状态或断开状态；

所述MOS管的第二端连接层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元；

所述MOS管的第三端连接驱动电源，用于在所述MOS管处于导通状态时，向层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元传输所述驱动信号。

3.根据权利要求2所述的磁性存储轨道，其特征在于，所述磁性存储轨道包括至少两个过渡层，所述至少两个过渡层中位于同一列的MOS管的第三端共同连接所述驱动电源。

4.根据权利要求2所述的磁性存储轨道，其特征在于：所述存储轨道单元包括U型存储轨道，所述选通电路以及所述读写装置设置于所述U型存储轨道的底部。

5.根据权利要求4所述的磁性存储轨道，其特征在于：所述选通电路包括第一MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管和所述第二MOS管分别设置于所述读写装置的两侧,其中，所述第一MOS管用于向所述U型存储轨道的第一侧轨道传输驱动信号，所述第二MOS管用于向所述U型存储轨道的第二侧轨道传输驱动信号。

6.根据权利要求2所述的磁性存储轨道，其特征在于：所述MOS管包括薄膜场效应晶体管TFT。

7.根据权利要求1-6任一项所述的磁性存储轨道，其特征在于：所述在绝缘材料上淀积的半导体材料包括多晶硅或多晶硅化合物。

8.一种磁性存储器，其特征在于，所述磁性存储器包括至少两个如权利要求1-7任意一项所述的磁性存储轨道。

9.根据权利要求8所述的磁性存储器，其特征在于，所述磁性存储轨道包括U型磁性存储轨道，其中同一行的U型磁性存储轨道的第一侧轨道共用同一个控制信号，同一行的U型磁性存储轨道的第二侧轨道共用同一个控制信号，同一列的U型磁性存储轨道的第一侧轨道连接同一个驱动电源，同一列的U型磁性存储轨道的第二侧轨道连接同一个驱动电源。

说明书

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术，尤其涉及一种磁性存储轨道和磁性存储器。

背景技术

磁性存储器是一种利用磁性存储轨道中磁畴的磁化方向进行信息存储的存储器件。其中，磁畴是指构成磁性存储轨道的磁性材料在自发磁化的过程中为降低静磁能而产生分化的方向各异的小型磁化区域，这些小型磁化区域内部包含大量原子，这些原子的原子磁矩都像许多个小磁铁般整齐排列，原子磁矩排列的方向与其内部电子的自旋方向相关联，原子磁矩是其内部所有电子集合的轨道磁矩、自旋磁矩和核磁矩的矢量和。由于相邻的磁畴之间原子磁矩排列的方向不同，因此，各磁畴之间的交界会形成磁畴壁。磁性存储器具体是通过施加到磁性存储轨道上的电流或磁场推移磁畴壁所在的位置，以此将原子磁矩排列的方向推移到待写入的磁畴中，从而利用磁畴互成一定角度的两个磁化方向分别代表0和1，实现信息存储。

由于磁性存储器的存储能力与磁性存储轨道的轨道长度直接相关，轨道长度越长，存储能力就越强。但是，在磁性存储轨道制备过程中，轨道长度越长，磁性存储轨道的制造工艺难度越大。

发明内容

本发明实施例提供一种磁性存储轨道和磁性存储器，用于解决在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致制造工艺难度增大的技术问题。

本发明实施例的第一个方面是提供一种磁性存储轨道，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，其中，所述存储轨道单元包括由磁性材料构成的用于存储数据的数据区域，每个过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，每个过渡层中包括：选通电路，所述选通电路的一端与层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元连接，所述选通电路的另一端连接驱动电源，用于向层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元传输驱动信号，所述驱动信号用于驱动所述存储轨道单元中的磁畴移动；读写装置，与层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元连接，用于在所述选通电路传输的驱动脉冲的作用下，对层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元中的磁畴进行读操作或写操作。

本发明实施例的第二个方面是提供一种磁性存储器，所述磁性存储器包括至少两个如上所述的磁性存储轨道。

本发明实施例提供的磁性存储轨道和磁性存储器，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，且每个过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，每个过渡层中包括选通电路和读写装置，其中，选通电路用于向层叠于该过渡层之上的存储轨道单元传输驱动信号，读写装置用于在选通电路传输的驱动脉冲的作用下，对层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元中的磁畴进行读操作或写操作。本发明实施例提供的磁性存储轨道由于包括多个堆叠的存储轨道单元，磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成，因此，当增大磁性存储轨道的轨道长度时，可通过增加存储轨道单元实现，避免增加存储轨道单元的轨道长度，从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致制造工艺难度增大的技术问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的一种磁性存储轨道的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种磁性存储轨道的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的另一种磁性存储轨道的结构示意图；

图4为磁性存储轨道阵列的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

磁性存储器由驱动电源、读写装置和磁性存储轨道构成。磁性存储轨道中包括磁畴，用于存储数据。驱动电压用于向磁性存储轨道施加驱动信号，从而驱动磁畴移动。读写装置可以包括读装置和写装置，读装置和写装置可以并列设置在U型轨道的底部，用于实现对磁畴的读操作或写操作。其中，写装置可以对一个磁畴进行写操作，将数据写入该磁畴中。具体的，当磁畴在驱动脉冲的作用下移动到写装置的位置时，可以通过写装置改变该磁畴的磁化方向，例如可以通过两个不同的磁化方向分别代表0和1，从而将数据写入磁畴中。读装置可以对一个磁畴进行读操作，读取磁畴中的数据。具体的，当磁畴在驱动脉冲的作用下移动到读装置的位置时，可以通过读装置识别所述磁畴的磁化方向，从而读出数据。当对一个磁畴执行完读操作或写操作后，该磁畴可以在驱动脉冲的作用下通过向U型轨道底部和U型轨道两臂上施加电压，控制磁畴在U型轨道内向左或向右移动，从而使读写装置可以对下一个磁畴继续执行读操作或写操作。通过上述过程，可以将数据存储在磁性存储轨道中，或者从磁性存储轨道中读取数据。

在本发明实施例中，将读装置和写装置统称为读写装置。可以理解的是，磁性存储轨道可以不限于U型，还可以为I型或L型等。当磁性存储轨道为除U型之外的其他形状时，可以将读写装置设置在磁性存储轨道的其他位置，只要能够使读写装置能够对磁性存储轨道中的磁畴进行读操作或写操作即可。

图1为现有技术中的一种磁性存储轨道的结构示意图。该磁性存储轨道包括相互连接的衬底11和刻蚀区12，其中，在磁性存储轨道内部可设置有一U型轨道作为数据区域，U型轨道由磁性材料制成，该U型轨道的左右相互平行的两臂121位于刻蚀区，轨道的底部111位于衬底。在对U型轨道进行制备时，通过首先在与刻蚀区相连的表面，对衬底进行刻蚀，获得U型轨道的底部，然后在刻蚀区表面，对刻蚀区进行刻蚀，获得底部与衬底相连的沟槽，从而获得U型轨道的左右两臂，最后在U型轨道内填充磁性材料，获得如图1所示的磁性存储轨道。

由于磁性存储器的存储能力与磁性存储轨道的轨道长度直接相关，以数据区域为U型轨道为例，U型轨道的两臂121长度越长，所包含的磁畴越多，则磁性存储轨道存储能力就越强。但是，在现有技术的制备U型轨道过程中，若需要获得较长的轨道长度，就需要增加刻蚀区的厚度，然后在刻蚀区刻蚀较深的用于淀积磁性材料以获得数据区域的沟槽。当刻蚀沟槽的深度增加到几百纳米时，往往沟槽的侧壁会呈斜坡状，而不是期望的沟槽侧壁与沟槽底部呈直角，而且表面不平整光滑，从而严重影响磁性存储轨道的稳定性。

图2为本发明实施例提供的一种磁性存储轨道20的结构示意图，作为一种可能的实现方式，图2中磁性存储轨道20包括作为数据区域的U型存储轨道，本领域技术人员可以知晓，数据区域还可以为其他形状的存储轨道，本实施例中对此不作限定。如图2所示，本实施例中的磁性存储轨道20包括：

多个堆叠的存储轨道单元22，相邻两个存储轨道单元22之间设置有过渡层23，其中，存储轨道单元22包括由磁性材料构成的用于存储数据的数据区域221。

每个过渡层23由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成。具体的，在磁性存储轨道20的制备过程中，可通过在衬底21上淀积绝缘材料，然后在淀积的绝缘材料表面进行刻蚀获得沟槽，在沟槽内部淀积磁性材料作为数据区域，最终形成存储轨道单元22，然后再在所形成的存储轨道单元22上淀积半导体材料，在淀积的半导体材料表面依次进行刻蚀和制备选通电路231和读写装置232的步骤，最终形成过渡层23；重复执行交替形成存储轨道单元22和过渡层23的步骤，最终获得磁性存储轨道20。其中，构成过渡层23的半导体材料不同于构成衬底的半导体材料，例如，构成衬底的半导体材料为单晶硅，构成过渡层23的材料为多晶硅或多晶硅的化合物。

每个过渡层23中包括选通电路231和读写装置232。其中选通电路231的一端与层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元22连接，所述选通电路231的另一端连接驱动电源，用于向层叠于所述过渡层23之上的存储轨道单元22传输驱动信号，所述驱动信号用于驱动所述存储轨道单元22中的磁畴移动。

读写装置232，与层叠于过渡层23之上的存储轨道单元22连接，用于在选通电路231传输的驱动脉冲的作用下，对层叠于所述过渡层23之上的存储轨道单元22中的磁畴进行读操作或写操作。也就是说，读写装置232用于读取磁畴中的数据或向磁畴中写数据。

本实施例提供的磁性存储轨道包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，且该过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，包括用于向层叠于该过渡层之上的存储轨道单元传输驱动信号的选通电路和用于在选通电路传输的驱动脉冲的作用下，对层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元中的磁畴进行读操作或写操作读写装置，由于磁性存储轨道包括多个堆叠的存储轨道单元，从而磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成，因此，当增大磁性存储轨道的轨道长度时，可通过增加存储轨道单元实现，避免增加存储轨道单元的轨道长度，从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致工艺难度增大的技术问题。

此外，由于本发明实施例采用多个堆叠的存储轨道单元，且相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层的方式，能够减小在存储轨道单元中刻蚀的用于淀积磁性材料以获得数据区域的沟槽的深度，避免出现沟槽的侧壁会呈斜坡状以及表面不平整光滑的情况出现。同时，由于沟槽的侧壁会呈斜坡状以及表面不平整光滑的情况会对磁畴内部的原子产生扰动，改变原子磁矩，进而改变磁畴所存储的数据，因此，可以有效避免沟槽的侧壁会呈斜坡状以及表面不平整光滑的情况，提高磁性存储轨道的稳定性。

图3为本发明实施例提供的另一种磁性存储轨道20的结构示意图，如图3所示，在上一实施例的基础上，本实施例中的存储轨道单元22包括作为数据区域221的U型存储轨道，则如图3所示：

U型存储轨道包括U型轨道的两臂2211和U型轨道的底部2212。

具体的，U型轨道的两臂2211分别与U型轨道的底部2212的两端连接；U型轨道的底部2212嵌入过渡层23。形成于过渡层23上的存储轨道单元22是通过交替淀积两种不同材料，例如交替淀积Si和SiO2，或者交替淀积SiO2和Si3N4所获得的，在其内部的U型轨道的两臂2211是对该存储轨道单元22进行刻蚀沟槽后，在沟槽内淀积磁性材料所获得的。而嵌入过渡层23的U型轨道的底部2212是通过对过渡层23表面刻蚀另一沟槽后，在沟槽内淀积磁性材料所获得的。

选通电路231以及所述读写装置232设置于所述U型轨道的下方。

具体的，选通电路231以及所述读写装置232，分别与U型轨道的底部2212连接。

选通电路231包括金属氧化物半导体(metal oxid semiconductor，MOS)场效应晶体管，在本发明实施例中可以称为MOS管。其中：MOS管的第一端用于输入控制信号，所述控制信号用于控制所述MOS管处于导通状态或断开状态。所述MOS管的第二端连接层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元22。所述MOS管的第三端连接驱动电源，用于在所述MOS管处于导通状态时，向层叠于所述过渡层之上的存储轨道单元传输所述驱动信号。

在一种情形下，MOS管的第一端可为MOS管的栅极，MOS管的第二端可为MOS管的源极，MOS管的第三端可为MOS管的漏极。在另一种情形下，MOS管的第一端可为MOS管的栅极，MOS管的第二端可为MOS管的漏极，MOS管的第三端可为MOS管的源极。通过MOS管的第三端可向所述U型轨道施加电压，以使所述U型轨道中的磁畴根据MOS管的第三端所施加的电压和在U型轨道的两臂2211所施加的电压之差，沿所述U型轨道移动。可以理解的是，电压只是驱动信号的一种，实际应用中，还可以通过MOS管的第三端可向所述U型轨道施加电流、脉冲等其他形式的驱动信号，只要能够驱动磁畴移动即可。在本发明实施例中，MOS管可以为薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。

需要说明的是，磁畴沿所述U型轨道移动并不是磁畴的物理位置沿U型轨道移动，而是磁畴的磁化方向沿述U型轨道方向进行传递。

进一步，每一个过渡层23中的选通电路231包括两个MOS管，即第一MOS管2311和第二MOS管2312，第一MOS管2311和第二MOS管2312分别设置于读写装置232的两侧,其中，第一MOS管2311用于向U型存储轨道的第一侧轨道传输驱动信号，第二MOS管2312用于向所述U型存储轨道的第二侧轨道传输驱动信号。

具体的，针对每一个过渡层23中的选通电路231所包括的两个MOS管，第一侧的第一MOS管2311，用于向U型存储轨道的一臂，即第一侧轨道传输驱动信号，第二侧的第二MOS管2312，用于向U型存储轨道的另一臂，即第二侧轨道传输驱动信号。

进一步，磁性存储轨道20包括至少两个过渡层，所述至少两个过渡层中位于同一侧的MOS管的第三端共同连接磁性存储器中的驱动电源。从而使得磁性存储轨道20中不同存储轨道单元所对应同一侧的轨道，在相同的驱动信号的驱动下，驱动该同一侧的轨道中的磁畴同步移动，驱动信号每驱动一次，对应不同存储轨道单元的读写装置可同时对各自所对应的存储轨道单元进行操作，实现了磁性存储轨道20中不同存储轨道单元所对应同一侧轨道的数据并行输入或输出。

具体的，针对过渡层23中的选通电路231所包括的每个MOS管，MOS管的第一端接收控制信号；MOS管的第三端与磁性存储单元中的驱动电源连接，以接收驱动信号。其中，驱动信号用于驱动存储轨道单元中的磁畴移动，控制信号用于控制MOS管处于导通状态或断开状态。在磁性存储轨道20工作的过程中，可利用控制信号和驱动信号对多个存储轨道单元22中的一个存储轨道单元22进行操作。例如：当磁性存储轨道20包括三个存储轨道单元22时，对位于中间的存储轨道单元22进行操作，可通过向对应中间的存储轨道单元22的MOS管发送不同于其他MOS管的控制信号，使得位于中间的存储轨道单元22对应的MOS管处于导通状态，其余的存储轨道单元22对应的MOS管处于断开状态，然后，向对应中间的存储轨道单元22的MOS管发送驱动信号，从而控制中间的存储轨道单元22中的磁畴移动。

本发明实施例，由于磁性存储轨道包括多个堆叠的存储轨道单元，从而磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成，因此，当增大磁性存储轨道的轨道长度时，可通过增加存储轨道单元实现，避免增加存储轨道单元的轨道长度，从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致工艺难度增大的技术问题。另外，由于至少两个过渡层中位于同一侧的MOS管的第三端共同连接磁性存储器中的驱动电源，从而使得磁性存储轨道中不同存储轨道单元所对应同一侧的轨道，在相同的驱动信号的驱动下，驱动该同一侧的轨道中的磁畴同步移动，驱动信号每驱动磁畴移动一次，对应不同存储轨道单元的读写装置可同时对各自所对应的存储轨道单元进行操作。从而实现了对位于U型轨道中的同一侧轨道中的数据的并行输入和输出，提高了读写带宽。

本发明又一实施例，还提供了一种磁性存储器，包括多个如前述实施例中描述的磁性存储轨道20。其中，多个如前述实施例中描述的磁性存储轨道20的衬底21相互连接，另外，磁性存储器还可包括驱动电源。

具体的，驱动电源与多个磁性存储轨道连接，磁性存储轨道可为多个，多个磁性存储轨道按行和列呈阵列形式排列。

在一种情形下，若磁性存储轨道为U型磁性存储轨道，U型磁性存储轨道的左右两臂分别构成两侧轨道，其中同一行的U型磁性存储轨道的第一侧轨道共用同一个控制信号，同一行的U型磁性存储轨道的第二侧轨道共用同一个控制信号，同一列的U型磁性存储轨道的第一侧轨道连接同一个驱动电源，同一列的U型磁性存储轨道的第二侧轨道连接同一个驱动电源。

具体的，若磁性存储轨道为至少两个，且磁性存储轨道排列为N行乘以M列的阵列，则同一行中的磁性存储轨道中对应过渡层中接收控制信号的字线相互连接形成连线之后，再将该各过渡层所形成的连线相互连接，获得总字线。图4为磁性存储轨道阵列的结构示意图，如图4所示，将同一行中的磁性存储轨道中对应过渡层中的第一侧字线相互连接，将同一行中的磁性存储轨道中对应过渡层中的第二侧字线相互连接，其中，第一侧字线是当每个过渡层中包含两个MOS管分别记为第一侧MOS管和第二侧MOS管时，与第一侧MOS管相连的字线，同理，第二侧字线是与第二侧MOS管相连的字线。然后，将各过渡层中第一侧字线相互连接所获得的连线相互连接，获得第一侧总字线，将各过渡层中第二侧字线相互连接所获得的连线相互连接，获得第二侧总字线。针对接收驱动信号的位线，首先将每个过渡层中的连接不同MOS管的位线相互连接。在同一列中，对同一列中的磁性存储轨道中对应过渡层中的位线相互连接，然后，将各过渡层中位线相互连接所获得的连线相互连接，获得该列的总位线。

在磁性存储器工作的过程中，可利用控制信号和驱动信号，仅选通并操作多个U型磁性存储轨道中的一个U型磁性存储轨道的一侧轨道。例如：当磁性存储器包括2行2列的U型磁性存储轨道时，若需要对第一行第二列的U型磁性存储轨道的第二侧轨道选通并操作，可以通过第二列总位线接收指示MOS管处于导通状态的控制信号，第一列总位线接收指示MOS管处于断开状态的控制信号，第一行第二侧总字线接收指示驱动磁畴移动的驱动信号，第二侧MOS管根据驱动信号控制第二侧轨道中的磁畴移动，进而磁畴移动完成后，指示读写装置进行读操作或写操作。通过上述方式，实现了选通并操作第一行第二列的U型磁性存储轨道的第二侧轨道。以从所述第一行第二列的U型磁性存储轨道的第二侧轨道的磁畴中读取数据或将数据存储于所述第一行第二列的U型磁性存储轨道的第二侧轨道的磁畴中。

需要说明的是，在本发明实施例中，为了描述方便，将共用驱动信号的磁性存储轨道称为同一列的磁性存储轨道，将共用控制信号的磁性存储轨道称为同一行的磁性存储轨道。本发明实施例所描述的行和列均是指逻辑上的行和列。根据这种方式，同一列的磁性存储轨道并不限定于在物理位置上位于同一行，只要在逻辑上共用位线获得驱动信号即可。同一行的磁性存储轨道也并不限定于在物理位置上位于同一行。

本发明实施例，由于磁性存储轨道包括多个堆叠的存储轨道单元，从而磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成，因此，当增大磁性存储轨道的轨道长度时，可通过增加存储轨道单元实现，避免增加存储轨道单元的轨道长度，从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致工艺难度增大的技术问题。另外，采用本实施例中的磁性存储轨道布局方法和连接方法，由于同一行的U型磁性存储轨道的第一侧轨道共用同一个控制信号，同一行的U型磁性存储轨道的第二侧轨道共用同一个控制信号，同一列的U型磁性存储轨道的第一侧轨道连接同一个驱动电源，同一列的U型磁性存储轨道的第二侧轨道连接同一个驱动电源，从而实现了仅选通并操作多个U型磁性存储轨道中的一个U型磁性存储轨道的一侧轨道，增加了灵活性。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制。本申请所提供的实施例仅仅是示意性的。所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。在本发明实施例、权利要求以及附图中揭示的特征可以独立存在也可以组合存在。

磁性存储轨道和磁性存储器专利购买费用说明

Q：办理专利转让的流程及所需资料

A：专利权人变更需要办理著录项目变更手续，有代理机构的，变更手续应当由代理机构办理。

1：专利变更应当使用专利局统一制作的“著录项目变更申报书”提出。

2：按规定缴纳著录项目变更手续费。

3：同时提交相关证明文件原件。

4：专利权转移的，变更后的专利权人委托新专利代理机构的，应当提交变更后的全体专利申请人签字或者盖章的委托书。

Q:专利著录项目变更费用如何缴交

A：（1）直接到国家知识产权局受理大厅收费窗口缴纳,（2）通过代办处缴纳，（3）通过邮局或者银行汇款,更多缴纳方式

Q：专利转让变更，多久能出结果

A：著录项目变更请求书递交后，一般1-2个月左右就会收到通知，国家知识产权局会下达《转让手续合格通知书》。